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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
BSS 131Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS 79CInfineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS 98Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin TO-92
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BSS-025-01-C-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
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BSS-025-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD
Packaging: Tray
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 50
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.25 EUR
10+ 10.17 EUR
25+ 9.61 EUR
40+ 9.38 EUR
80+ 8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
BSS-025-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
auf Bestellung 46 Stücke:
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10+ 12.85 EUR
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BSS-025-01-F-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 50
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BSS-025-01-F-D-A-TRSAMTECDescription: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A-TR - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 50
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BSS-025-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL
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BSS-025-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
BSS-025-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD
Packaging: Tray
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 50
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.62 EUR
10+ 11.36 EUR
25+ 10.7 EUR
40+ 10.42 EUR
80+ 10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
BSS-025-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
auf Bestellung 348 Stücke:
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1+10.31 EUR
25+ 9.31 EUR
50+ 8.66 EUR
100+ 8.25 EUR
950+ 8.06 EUR
BSS-025-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL
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BSS-050-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
auf Bestellung 27 Stücke:
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1+16.51 EUR
10+ 15.79 EUR
112+ 13.25 EUR
280+ 11.21 EUR
504+ 10.56 EUR
1008+ 9.82 EUR
2520+ 9.54 EUR
BSS-050-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
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BSS-050-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
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BSS-050-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
Packaging: Tray
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 100
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
auf Bestellung 355 Stücke:
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BSS-050-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
auf Bestellung 326 Stücke:
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1+19.08 EUR
10+ 15.79 EUR
112+ 14.38 EUR
280+ 12.71 EUR
504+ 11.28 EUR
BSS-050-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray
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BSS-050-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
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BSS-050-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
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BSS-050-01-L-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
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BSS-075-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
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BSS-075-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray
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BSS-075-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD
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BSS-075-01-F-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
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BSS-075-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 150
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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BSS-075-01-F-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
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BSS-075-01-F-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
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BSS-084-01-F-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
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BSS-084-01-H-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-084-01-L-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-C-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-F-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-F-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-100-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 200
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-F-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-F-D-LCSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-F-D-LCSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-H-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-H-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-H-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-H-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
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BSS-100-01-H-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-H-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-DSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-DSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-DSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-100-01-L-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 200
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+27.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-EM2Samtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-EM2-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-LCSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-100-01-L-D-LC-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-125-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-125-01-F-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-125-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-125-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-125-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-125-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-125-01-H-DSamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD
Produkt ist nicht verfügbar
BSS-125-01-H-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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BSS-125-01-H-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD
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BSS-125-01-H-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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BSS-125-01-L-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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BSS-125-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
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BSS-125-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
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BSS-125-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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BSS-125-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
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BSS-125-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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BSS-150-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD
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BSS-150-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD
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BSS-150-01-F-D-EM2Samtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS EDGE MNT GOLD
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BSS-4EssentraEssentra
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BSS-5EssentraEssentra
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BSS-7EssentraEssentra
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BSS-8EssentraOther Tools
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BSS-L100-001Isabellenhuette USADescription: RESISTOR - BUS BAR SHUNT WITH NT
Packaging: Tray
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Mounting Type: Shunt Fixture, 60mm Pitch
Type: Current Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Automotive AEC-Q200
Resistance: 100 µOhms
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+138.32 EUR
10+ 116.18 EUR
25+ 112.63 EUR
BSS010AEssentra ComponentsDescription: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE
auf Bestellung 13996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.95 EUR
22+ 0.81 EUR
27+ 0.67 EUR
28+ 0.63 EUR
50+ 0.61 EUR
100+ 0.54 EUR
250+ 0.51 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BSS015AEssentraMounting Fixings FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+ 1.01 EUR
25+ 0.95 EUR
50+ 0.9 EUR
100+ 0.81 EUR
250+ 0.76 EUR
500+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSS015AEssentra ComponentsDescription: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE
Packaging: Bag
Color: Natural
Size / Dimension: 0.750" Dia (19.05mm)
Mounting Type: Push In
Material: Nylon
Shape: Cylindrical, Tapered
Type: Bumper
auf Bestellung 10495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
15+ 1.21 EUR
18+ 1.01 EUR
25+ 0.95 EUR
50+ 0.91 EUR
100+ 0.81 EUR
250+ 0.77 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSS05-12VARCO
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS10PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS100HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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BSS100INFINEON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS100onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
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BSS101INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS11PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS110onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3
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BSS110INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS110onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
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BSS119Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23
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BSS119infineonsot-23 09+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS119infineon03/04+ SOT23
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS119 E6327INFINEONsSh/23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS119 E6433Infineon TechnologiesInfineon
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BSS119 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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BSS119 E7796Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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BSS119 E7796Infineon TechnologiesInfineon
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BSS119 E7978Infineon TechnologiesInfineon
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BSS119 E7978Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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BSS119 H6327Infineon TechnologiesMOSFET
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BSS119 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
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BSS119 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS119 L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
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BSS119 L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS119 L7796Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
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BSS119 L7978Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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BSS119E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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BSS119L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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BSS119L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS119L6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
auf Bestellung 86725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3463+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3463
BSS119L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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BSS119N H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS119N H6327Infineon
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS119N H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 43985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+ 0.53 EUR
100+ 0.36 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS119N H7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6918+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6918
BSS119NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
496+0.14 EUR
556+ 0.13 EUR
725+ 0.099 EUR
770+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 496
BSS119NH6327XTSA1STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
485+0.32 EUR
595+ 0.25 EUR
1000+ 0.22 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 485
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 38650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS119NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 7437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
496+0.14 EUR
556+ 0.13 EUR
725+ 0.099 EUR
770+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 496
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119NH6327XTSA1
Produktcode: 118883
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 32465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 108200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+ 0.32 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 41832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
36+ 0.5 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 250
BSS119NH6327XTSA1onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.406ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 32465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSS119NH7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 8803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8803+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8803
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2597
BSS12PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
309+0.51 EUR
475+ 0.32 EUR
1065+ 0.14 EUR
1441+ 0.097 EUR
2500+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 309
BSS123NexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 342758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
448+0.35 EUR
585+ 0.26 EUR
610+ 0.24 EUR
1114+ 0.13 EUR
1437+ 0.093 EUR
1504+ 0.085 EUR
2106+ 0.058 EUR
3000+ 0.049 EUR
6000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 448
BSS123onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 68262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
44+ 0.4 EUR
100+ 0.21 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
BSS123HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.081 EUR
63000+ 0.071 EUR
126000+ 0.064 EUR
189000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 15000
BSS123SHIKUESTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS123ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 405000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.075 EUR
15000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123Diodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
9000+ 0.086 EUR
30000+ 0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS123FairchildN-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 405000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.075 EUR
15000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 342758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7093+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 7093
BSS123JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.24 EUR
10+ 0.82 EUR
100+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1114+0.14 EUR
1437+ 0.1 EUR
1504+ 0.096 EUR
2106+ 0.066 EUR
3000+ 0.054 EUR
6000+ 0.046 EUR
15000+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 1114
BSS123onsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 168247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.57 EUR
10+ 0.43 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.12 EUR
2500+ 0.11 EUR
10000+ 0.084 EUR
45000+ 0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS123YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Technology: TRENCH POWER MV
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS123YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Technology: TRENCH POWER MV
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123 E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123 E6433Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123 H6327Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123 L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123 L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123 L7874Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 22806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.15 EUR
1009+ 0.071 EUR
1114+ 0.064 EUR
1401+ 0.051 EUR
1480+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 481
BSS123,215NXP SemiconductorsN-кан. MOSFET SOT-23
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1899000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1899000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.059 EUR
9000+ 0.047 EUR
24000+ 0.043 EUR
45000+ 0.038 EUR
99000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 138442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 318000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.078 EUR
6000+ 0.072 EUR
9000+ 0.06 EUR
30000+ 0.059 EUR
75000+ 0.053 EUR
150000+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123,215NXPN-MOSFET 100V 150mA 6Ω 250mW BSS123,215 BSS123 NXP TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 9075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1899000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.059 EUR
9000+ 0.047 EUR
24000+ 0.043 EUR
45000+ 0.038 EUR
99000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.063 EUR
9000+ 0.051 EUR
24000+ 0.046 EUR
45000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 138442 Stücke:
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BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2152 Stücke:
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354+0.44 EUR
522+ 0.29 EUR
1281+ 0.11 EUR
1927+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 354
BSS123,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22806 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
481+0.15 EUR
1009+ 0.071 EUR
1114+ 0.064 EUR
1401+ 0.051 EUR
1480+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 481
BSS123,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2152 Stücke:
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BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.063 EUR
9000+ 0.051 EUR
24000+ 0.046 EUR
45000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123,215NexperiaMOSFET BSS123/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 81470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
10+ 0.32 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.086 EUR
3000+ 0.067 EUR
9000+ 0.056 EUR
24000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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377+0.42 EUR
544+ 0.28 EUR
548+ 0.27 EUR
1316+ 0.11 EUR
1329+ 0.1 EUR
1343+ 0.096 EUR
1493+ 0.082 EUR
3000+ 0.073 EUR
6000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 377
BSS123,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 522000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 320582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.46 EUR
56+ 0.32 EUR
114+ 0.16 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39
BSS123,215NXPN-MOSFET 100V 150mA 6Ω 250mW BSS123,215 BSS123 NXP TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1316+0.12 EUR
1329+ 0.11 EUR
1493+ 0.093 EUR
3000+ 0.08 EUR
6000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1316
BSS123-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-13PMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V 360mW
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 343045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1395000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.055 EUR
9000+ 0.039 EUR
24000+ 0.038 EUR
45000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.074 EUR
6000+ 0.068 EUR
9000+ 0.057 EUR
30000+ 0.056 EUR
75000+ 0.05 EUR
150000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 885000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.054 EUR
9000+ 0.039 EUR
24000+ 0.037 EUR
45000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1395000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.055 EUR
9000+ 0.039 EUR
24000+ 0.038 EUR
45000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123-7-FDiodes INC.N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25; Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+0.13 EUR
100+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 47
BSS123-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1465+0.11 EUR
1544+ 0.098 EUR
2571+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 1465
BSS123-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 100V 360mW
auf Bestellung 332321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
10+ 0.3 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.084 EUR
3000+ 0.067 EUR
9000+ 0.056 EUR
24000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSS123-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 576000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.054 EUR
9000+ 0.039 EUR
24000+ 0.037 EUR
45000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+0.35 EUR
627+ 0.24 EUR
929+ 0.16 EUR
1376+ 0.1 EUR
1465+ 0.091 EUR
1544+ 0.083 EUR
2571+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 449
BSS123-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 197158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
59+ 0.3 EUR
121+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 40
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 885000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.054 EUR
9000+ 0.039 EUR
24000+ 0.037 EUR
45000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1395400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 576000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.054 EUR
9000+ 0.039 EUR
24000+ 0.037 EUR
45000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
BSS123-7-F
Produktcode: 148378
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-7-F .K23DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS123-7-F .K23DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS123-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-E6327
Produktcode: 98887
SiemensTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Rds(on), Ohm: 6
Ciss, pF/Qg, nC: 55/1.78
JHGF: SMD
verfügbar 4037 Stück:
2995 Stück - stock Köln
1042 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.034 EUR
10+ 0.028 EUR
100+ 0.025 EUR
BSS123-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-F169onsemionsemi N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 170 mA, 6O
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-GonsemiDescription: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-GON SemiconductorFET 100V 6.0 MOHM SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123-GonsemiMOSFET FET 100V 6.0 MOHM
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BSS123-GonsemiDescription: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
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BSS123-MLMOSLEADERDescription: 0.35W 100V 0.17A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSS123-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-100TMN
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BSS123-R2-00001PanjitMOSFET
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BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.064 EUR
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BSS123-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W
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BSS123-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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BSS123.215
Produktcode: 49331
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.15
Rds(on), Ohm: 6
JHGF: SMD
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BSS123/LF1RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
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BSS123AZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS123ATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
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BSS123ATADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123ATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
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BSS123ATCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
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BSS123E6327
auf Bestellung 294000 Stücke:
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BSS123E6327Infineon TechnologiesInfineon
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BSS123E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
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BSS123IXTMA1Infineon TechnologiesDescription: 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
6000+ 0.075 EUR
9000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
auf Bestellung 13515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
49+ 0.36 EUR
101+ 0.18 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 34
BSS123IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
6000+ 0.075 EUR
9000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123IXTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
760+0.094 EUR
1040+ 0.069 EUR
1170+ 0.061 EUR
1350+ 0.053 EUR
1430+ 0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 760
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 40348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.081 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS123IXTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
760+0.094 EUR
1040+ 0.069 EUR
1170+ 0.061 EUR
1350+ 0.053 EUR
1430+ 0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 760
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1270+0.12 EUR
1389+ 0.11 EUR
1619+ 0.09 EUR
2000+ 0.081 EUR
3000+ 0.073 EUR
6000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1270
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
6000+ 0.082 EUR
9000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123K-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V
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BSS123K-13Diodes IncorporatedMOSFET BSS Family SOT23 T&R 10K
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BSS123K-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
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BSS123K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 230MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123K-7Diodes IncorporatedMOSFET BSS Family SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 66-70 Tag (e)
4+0.83 EUR
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9000+ 0.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
BSS123K-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 41143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
65+ 0.27 EUR
134+ 0.13 EUR
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1000+ 0.076 EUR
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BSS123K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W
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8+0.39 EUR
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100+ 0.11 EUR
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3000+ 0.06 EUR
9000+ 0.049 EUR
45000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123K-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+ 0.061 EUR
9000+ 0.051 EUR
30000+ 0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123KHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
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BSS123KHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS123KHE3-TPMicro Commercial ComponentsBSS123KHE3-TP
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BSS123LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.084 EUR
6000+ 0.078 EUR
9000+ 0.065 EUR
30000+ 0.064 EUR
75000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23700 Stücke:
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1177+0.13 EUR
1229+ 0.12 EUR
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3000+ 0.067 EUR
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15000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1177
BSS123LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
750+0.096 EUR
960+ 0.075 EUR
1255+ 0.057 EUR
1330+ 0.054 EUR
3000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 750
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+0.43 EUR
544+ 0.28 EUR
588+ 0.25 EUR
1177+ 0.12 EUR
1188+ 0.11 EUR
1229+ 0.1 EUR
1746+ 0.07 EUR
3000+ 0.062 EUR
6000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 363
BSS123LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+0.096 EUR
960+ 0.075 EUR
1255+ 0.057 EUR
1330+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 750
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.056 EUR
9000+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123Lonsemi / FairchildMOSFET Small Signal MOSFET 100V 170mA 6 Ohm Single N-Channel SOT-23
auf Bestellung 768019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.49 EUR
10+ 0.3 EUR
100+ 0.14 EUR
1000+ 0.097 EUR
3000+ 0.063 EUR
9000+ 0.056 EUR
24000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS123LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
auf Bestellung 133490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
52+ 0.34 EUR
105+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 36
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.053 EUR
9000+ 0.047 EUR
24000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.056 EUR
9000+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.054 EUR
9000+ 0.047 EUR
24000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+ 0.068 EUR
12000+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
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Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123L6433XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123L7874XTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
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Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123LGonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123LT1ONSOT23
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS123LT1onsemiMOSFET 100V 170mA N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123LT1ON
auf Bestellung 3260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS123LT1GON-SemicoductorN-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 42709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.089 EUR
885+ 0.081 EUR
1115+ 0.064 EUR
1175+ 0.061 EUR
12000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800
BSS123LT1Gn-канальний польовий транзистор SOT-23-3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 918000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.055 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.047 EUR
45000+ 0.042 EUR
99000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LT1GONSТранз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=100V; Id=0,15A; Pdmax=0,25W; Rds=6 Ohm
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.74 EUR
10+ 0.67 EUR
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 84025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123LT1GON-SemicoductorN-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LT1GonsemiMOSFET 100V 170mA N-Channel
auf Bestellung 363337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
2500+ 0.076 EUR
30000+ 0.07 EUR
60000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS123LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 159975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.099 EUR
6000+ 0.091 EUR
9000+ 0.076 EUR
30000+ 0.074 EUR
75000+ 0.067 EUR
150000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 918000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.055 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.047 EUR
45000+ 0.042 EUR
99000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 84025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123LT1GON-SemicoductorN-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LT1GON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+0.11 EUR
64+ 0.098 EUR
100+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 59
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1122000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
312+0.5 EUR
460+ 0.33 EUR
1098+ 0.13 EUR
1629+ 0.086 EUR
3000+ 0.045 EUR
9000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 312
BSS123LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 42709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
800+0.089 EUR
885+ 0.081 EUR
1115+ 0.064 EUR
1175+ 0.061 EUR
12000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800
BSS123LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 161300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
44+ 0.4 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30
BSS123LT1G
Produktcode: 42430
ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
JHGF: SMD
verfügbar 3112 Stück:
115 Stück - stock Köln
2997 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.034 EUR
100+ 0.025 EUR
BSS123LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123LT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123LT7GonsemiMOSFET NFET SOT23 100V 170MA 6.0
auf Bestellung 24496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
BSS123LT7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123N H6327Infineon
auf Bestellung 546000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS123N H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 817236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+ 0.45 EUR
100+ 0.26 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.09 EUR
24000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS123N H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.48 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.41 EUR
2500+ 0.38 EUR
5000+ 0.36 EUR
10000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 329
BSS123N H6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 36535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+ 0.46 EUR
100+ 0.26 EUR
1000+ 0.13 EUR
2500+ 0.11 EUR
10000+ 0.09 EUR
20000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS123NH6327Infineon technologies
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS123NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.55 EUR
454+ 0.33 EUR
459+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 283
BSS123NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 172895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 44950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
407+0.38 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.29 EUR
2000+ 0.26 EUR
15000+ 0.21 EUR
30000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 407
BSS123NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35591 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
241+ 0.3 EUR
349+ 0.21 EUR
634+ 0.11 EUR
1205+ 0.059 EUR
1276+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 173
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 756826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+ 0.37 EUR
100+ 0.17 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.09 EUR
24000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 201000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+ 0.091 EUR
30000+ 0.089 EUR
75000+ 0.074 EUR
150000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
9000+ 0.076 EUR
24000+ 0.07 EUR
45000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123NH6327XTSA1
Produktcode: 198093
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 35591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
241+ 0.3 EUR
349+ 0.21 EUR
634+ 0.11 EUR
1205+ 0.059 EUR
1276+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 173
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 172895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 201752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.62 EUR
42+ 0.43 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 29
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
9000+ 0.076 EUR
24000+ 0.07 EUR
45000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+ 0.46 EUR
100+ 0.26 EUR
1000+ 0.13 EUR
2500+ 0.11 EUR
10000+ 0.09 EUR
20000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 228132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
41+ 0.43 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
2000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123NH6433XTMA1
Produktcode: 190235
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123NH6433XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
695+0.1 EUR
775+ 0.092 EUR
1015+ 0.071 EUR
1070+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 695
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 903999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.14 EUR
1161+ 0.13 EUR
2500+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1123
BSS123NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 900000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS123NH6433XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
695+0.1 EUR
775+ 0.092 EUR
1015+ 0.071 EUR
1070+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 695
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 220000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.092 EUR
30000+ 0.09 EUR
50000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 900000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
939+0.17 EUR
1098+ 0.14 EUR
1158+ 0.13 EUR
2000+ 0.11 EUR
10000+ 0.1 EUR
20000+ 0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 939
BSS123NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123NH6433XTMA1Infineon
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS123Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Application: automotive industry
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123Q-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS123Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123Q-13Diodes IncorporatedMOSFET BSS Family SOT23 T&R 10K
auf Bestellung 56150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.43 EUR
10+ 0.3 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.074 EUR
2500+ 0.069 EUR
10000+ 0.048 EUR
20000+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSS123Q-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123Q-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 29787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
60+ 0.3 EUR
121+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.084 EUR
2000+ 0.073 EUR
5000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 42
BSS123Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Application: automotive industry
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123Q-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 6810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
10+ 0.3 EUR
100+ 0.19 EUR
1000+ 0.084 EUR
3000+ 0.067 EUR
9000+ 0.056 EUR
24000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSS123Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123Q-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123Q-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.073 EUR
6000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Application: automotive industry
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
610+0.12 EUR
960+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 610
BSS123Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Application: automotive industry
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
610+0.12 EUR
960+ 0.074 EUR
1080+ 0.066 EUR
3000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 610
BSS123Q-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123T-HFComchip TechnologyMOSFET 100V 0.19A SOT-23
auf Bestellung 5798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+ 0.53 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.13 EUR
9000+ 0.11 EUR
24000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS123T-HFComchip Technology100 V, N Channel MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123T-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 273053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
32+ 0.55 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 285000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123TADIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
310+0.23 EUR
795+ 0.09 EUR
930+ 0.077 EUR
1065+ 0.067 EUR
1125+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 310
BSS123TADiodes IncorporatedMOSFET N-Chnl 100V
auf Bestellung 77692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+ 0.43 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 285000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.55 EUR
400+ 0.38 EUR
903+ 0.16 EUR
1090+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 287
BSS123TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 270000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+ 0.15 EUR
75000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123TADIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2258+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 2258
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
310+0.23 EUR
795+ 0.09 EUR
930+ 0.077 EUR
1065+ 0.067 EUR
1125+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 310
BSS123TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WYY100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W TBSS123W YY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS123WYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Technology: TRENCH POWER MV
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123WonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
773+0.2 EUR
1839+ 0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 773
BSS123WYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Technology: TRENCH POWER MV
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WTaiwan SemiconductorMOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123WONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
569+0.27 EUR
770+ 0.2 EUR
1832+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 569
BSS123WONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123Wonsemi / FairchildMOSFET 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
auf Bestellung 3553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
60+ 0.3 EUR
122+ 0.14 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 42
BSS123W RFGTaiwan SemiconductorMOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 3016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
11+ 0.27 EUR
100+ 0.17 EUR
1000+ 0.097 EUR
9000+ 0.051 EUR
24000+ 0.048 EUR
45000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSS123W RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123W-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V 200mW
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.085 EUR
9000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123W-7-FDIODES/ZETEXN-MOSFET 100V 170mA 6Ω 200mW BSS123W-7-F Diodes TBSS123w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 100V 200mW
auf Bestellung 51430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 1056000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 1345429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
40+ 0.45 EUR
100+ 0.23 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSS123W-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123W-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
100+ 0.72 EUR
285+ 0.26 EUR
780+ 0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSS123W-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.085 EUR
9000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 1341000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+ 0.095 EUR
30000+ 0.093 EUR
75000+ 0.077 EUR
150000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123W-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123W-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel Mosfets
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WQ-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 292073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
45+ 0.39 EUR
100+ 0.19 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 31
BSS123WQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 8214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123WQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123WQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
auf Bestellung 187419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+ 0.38 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.088 EUR
9000+ 0.074 EUR
24000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 291000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.097 EUR
6000+ 0.09 EUR
9000+ 0.074 EUR
30000+ 0.073 EUR
75000+ 0.066 EUR
150000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123WQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123WQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 8214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123WQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
Produkt ist nicht verfügbar
BSS123_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 12095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
72+ 0.24 EUR
149+ 0.12 EUR
500+ 0.099 EUR
1000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSS123_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1075+0.067 EUR
1320+ 0.054 EUR
1770+ 0.04 EUR
1875+ 0.038 EUR
9000+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 1075
BSS123_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+ 0.055 EUR
9000+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 8880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1075+0.067 EUR
1320+ 0.054 EUR
1770+ 0.04 EUR
1875+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1075
BSS123_R1_00001PanjitMOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
auf Bestellung 9524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.34 EUR
12+ 0.24 EUR
100+ 0.099 EUR
1000+ 0.069 EUR
3000+ 0.055 EUR
9000+ 0.044 EUR
24000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSS123_R2_00001PanjitMOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
BSS124
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS125
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS125
Produktcode: 51591
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 600
Idd,A: 01.01.2000
Rds(on), Ohm: 45
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
BSS125CSEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 125mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.125MXP; 179020.0,125; 0034.1507 Fuse: fast-acting; 125mA Bss125
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 400
BSS126 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126 E6327Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126 E6906Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
357+0.44 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.38 EUR
2500+ 0.35 EUR
5000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 357
BSS126 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+ 0.64 EUR
100+ 0.48 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.3 EUR
3000+ 0.26 EUR
9000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS126 H6327InfineonN-MOSFET 600V 0.021A 500Ω 500mW BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327 Infineon TBSS126
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BSS126 H6906Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 8814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+ 0.95 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.46 EUR
3000+ 0.42 EUR
6000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSS126 H6906Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126 L6906Infineon TechnologiesMOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V
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BSS126 Transistor
Produktcode: 61604
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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BSS126H
Produktcode: 113030
Transistoren > MOSFET N-CH
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BSS126H6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS126H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+ 0.24 EUR
9000+ 0.22 EUR
75000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+ 0.18 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
189+0.38 EUR
211+ 0.34 EUR
275+ 0.26 EUR
291+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 189
BSS126H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS126H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.38 EUR
211+ 0.34 EUR
275+ 0.26 EUR
291+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 189
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.43 EUR
364+ 0.41 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.29 EUR
2000+ 0.28 EUR
3000+ 0.25 EUR
6000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 362
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
537+0.29 EUR
541+ 0.28 EUR
584+ 0.25 EUR
1000+ 0.23 EUR
2000+ 0.22 EUR
6000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 537
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 19610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+ 0.64 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.23 EUR
9000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS126H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
auf Bestellung 120119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
28+ 0.64 EUR
100+ 0.44 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 43413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.35 EUR
472+ 0.32 EUR
477+ 0.3 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.27 EUR
6000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 447
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 42228 Stücke:
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4+0.75 EUR
10+ 0.66 EUR
100+ 0.5 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.38 EUR
6000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+ 0.33 EUR
9000+ 0.3 EUR
24000+ 0.29 EUR
30000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+ 0.26 EUR
9000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126H6906XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
auf Bestellung 39773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+ 0.26 EUR
9000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+ 0.33 EUR
9000+ 0.3 EUR
24000+ 0.29 EUR
30000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 43413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+0.36 EUR
447+ 0.32 EUR
472+ 0.3 EUR
477+ 0.28 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.26 EUR
6000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 436
BSS126H6906XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
auf Bestellung 39773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.79 EUR
179+ 0.84 EUR
196+ 0.74 EUR
200+ 0.71 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.5 EUR
2000+ 0.47 EUR
3000+ 0.45 EUR
6000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 88
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
auf Bestellung 7008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
20+ 0.93 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 900000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 45000
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 4165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.72 EUR
402+ 0.37 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.24 EUR
2000+ 0.23 EUR
3000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 217
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+ 0.17 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 10531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+ 0.54 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+ 0.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
BSS126IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS126L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126SK-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126SK-13Diodes IncorporatedDescription: DIODE GP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126SK-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE GP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS126SK-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127
Produktcode: 40606
Transistoren > MOSFET N-CH
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BSS127N/ASOT-23 05+
auf Bestellung 208500 Stücke:
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BSS127Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127Rectron USADescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 21MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127 E6327Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.39 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.33 EUR
2500+ 0.31 EUR
5000+ 0.29 EUR
10000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 404
BSS127 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 25951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+ 0.57 EUR
100+ 0.36 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS127 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 210mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127H6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 17625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+ 0.54 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
45000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS127H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
auf Bestellung 13865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
481+0.15 EUR
538+ 0.13 EUR
618+ 0.12 EUR
650+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 481
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
9000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
auf Bestellung 59394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
748+0.21 EUR
866+ 0.17 EUR
1000+ 0.16 EUR
2000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
36000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 748
BSS127H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
auf Bestellung 13865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 4904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.15 EUR
538+ 0.13 EUR
618+ 0.12 EUR
650+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 481
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.16 EUR
9000+ 0.15 EUR
30000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127H6327XTSA2InfineonN-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
9000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
auf Bestellung 8405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=10V: 500 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 6456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
37+ 0.49 EUR
100+ 0.24 EUR
500+ 0.2 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 15821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.7 EUR
10+ 0.42 EUR
100+ 0.2 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
24000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS127IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
auf Bestellung 8405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
auf Bestellung 10465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
736+0.21 EUR
780+ 0.19 EUR
789+ 0.18 EUR
1509+ 0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 736
BSS127S-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA
auf Bestellung 37716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.7 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.22 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.62 EUR
347+ 0.43 EUR
425+ 0.34 EUR
736+ 0.19 EUR
780+ 0.17 EUR
789+ 0.16 EUR
1509+ 0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 252
BSS127S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70mA
Power dissipation: 0.61W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 278857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
36+ 0.5 EUR
100+ 0.25 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSS127S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
auf Bestellung 10465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS127S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70mA
Power dissipation: 0.61W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 348000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127S-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 273000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
75000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 348000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127S-7-50Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Field MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127S-7-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127SSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40mA
Pulsed drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.08nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.63 EUR
399+ 0.38 EUR
405+ 0.36 EUR
782+ 0.18 EUR
814+ 0.16 EUR
829+ 0.15 EUR
1009+ 0.12 EUR
3000+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 250
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 57765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
34+ 0.53 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSS127SSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
782+0.2 EUR
814+ 0.19 EUR
829+ 0.18 EUR
1009+ 0.14 EUR
3000+ 0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 782
BSS127SSN-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127SSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedMOSFET BSS Family,SC59 Family,SC59,3K
auf Bestellung 12037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+ 0.45 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS127SSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40mA
Pulsed drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.08nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSS129SIEMENSSMD
auf Bestellung 101000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS129PHI
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS129VishayTrans MOSFET N-CH Si 230V 0.15A 3-Pin TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
BSS13PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS131YFWTransistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS131SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SLKOR TBSS131 SLK
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS131HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS131JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 JSMICRO TBSS131 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS131 (SOT-23)
Produktcode: 33823
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSS131 E6327Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS131 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
auf Bestellung 29746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+ 0.46 EUR
100+ 0.29 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS131 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.64 EUR
256+ 0.59 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.51 EUR
2500+ 0.47 EUR
5000+ 0.44 EUR
10000+ 0.41 EUR
25000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 245
BSS131 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS131 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 110mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
BSS131E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS131E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS131H6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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BSS131H6327
Produktcode: 122768
InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 240 V
Idd,A: 0,11 A
Rds(on), Ohm: 14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1
JHGF: SMD
auf Bestellung 465 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS131H6327Infineon TechnologiesBSS131 МОП-транзистор N-Channel 240V 100mA 360mW SOT23
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS131H6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
auf Bestellung 18041 Stücke:
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5+0.62 EUR
10+ 0.46 EUR
100+ 0.29 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.19 EUR
880+ 0.17 EUR
889+ 0.16 EUR
1154+ 0.12 EUR
3000+ 0.098 EUR
6000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 834
BSS131H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 11709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
610+0.12 EUR
695+ 0.1 EUR
910+ 0.079 EUR
962+ 0.074 EUR
3000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 610
BSS131H6327XTSA1SHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD.BSS131H6327XTSA1
auf Bestellung 18000 Stücke:
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3000+0.29 EUR
6000+ 0.26 EUR
9000+ 0.24 EUR
12000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7973 Stücke:
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270+0.58 EUR
378+ 0.4 EUR
432+ 0.34 EUR
834+ 0.17 EUR
880+ 0.15 EUR
889+ 0.14 EUR
1154+ 0.11 EUR
3000+ 0.09 EUR
6000+ 0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 270
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS131H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
610+0.12 EUR
695+ 0.1 EUR
910+ 0.079 EUR
962+ 0.074 EUR
3000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 610
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.097 EUR
9000+ 0.082 EUR
24000+ 0.078 EUR
99000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS131H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 7.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71288 Stücke:
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BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.097 EUR
9000+ 0.082 EUR
24000+ 0.078 EUR
99000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 35649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
748+0.21 EUR
849+ 0.18 EUR
1000+ 0.16 EUR
2000+ 0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
18000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 748
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
auf Bestellung 180451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.19 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
9000+ 0.086 EUR
24000+ 0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS131H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 7.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
auf Bestellung 15147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.62 EUR
41+ 0.43 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 29
BSS131H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
9000+ 0.086 EUR
24000+ 0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS131L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
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BSS131L6327XTINFINEON09+ MSOP8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS131L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS134NINFINEONSOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS135
Produktcode: 77919
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSS135
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
12000+ 0.074 EUR
24000+ 0.066 EUR
36000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 36577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+ 0.091 EUR
9000+ 0.076 EUR
30000+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1797000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
30000+ 0.058 EUR
60000+ 0.05 EUR
90000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138LGETransistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS138HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
auf Bestellung 711000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7937+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7937
BSS138ON-SemicoductorN-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 300
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138Good-Ark ElectronicsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138YYTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 220mA; 360mW; 6 Ohm; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138Yangjie Electronic TechnologyTrans MOSFET N-CH 50V 0.34A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 933000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
BSS138onsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 834717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.57 EUR
10+ 0.4 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.076 EUR
9000+ 0.074 EUR
24000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138
Produktcode: 197212
UMWTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
auf Bestellung 5205 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1758000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.066 EUR
9000+ 0.047 EUR
24000+ 0.044 EUR
48000+ 0.04 EUR
99000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138ON-SemicoductorN-MOSFET 200mA 50V 360mW 3.5? BSS138L BSS138 BSS138TA BSS138LT3G BSS138-YAN BSS138-TP [BSS138LT7G(2.75V,5V)] BSS138LT1G smd TBSS138L
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS138Microdiode ElectronicsBSS138
auf Bestellung 324000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
BSS138JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
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BSS138Microdiode ElectronicsBSS138
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Mindestbestellmenge: 6000
BSS138AnBonN-Channel 50V 220mA 1.6V @ 1mA 3.5? @ 220mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET BSS138 TBSS138 ANB
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS138Taiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138Diodes IncorporatedMOSFET
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BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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30000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
BSS138onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 36640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
44+ 0.4 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 31
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1758000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.066 EUR
9000+ 0.047 EUR
24000+ 0.045 EUR
48000+ 0.04 EUR
99000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2755+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 2755
BSS138GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 172146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.072 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.047 EUR
48000+ 0.042 EUR
99000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138Good-ArkGood-Ark Semiconductor BSS138. Single configuration 50 V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138
Produktcode: 144172
YJTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.072 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.047 EUR
48000+ 0.042 EUR
99000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138UMWTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138AnBonN-Channel 50V 220mA 1.6V @ 1mA 3.5? @ 220mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET BSS138 TBSS138 ANB
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS138Taiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138Taiwan SemiconductorMOSFET 50V, 0.26A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 396000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138
Produktcode: 26318
CETTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Idd,A: 0.22
Rds(on), Ohm: 03.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 42/-
JHGF: SMD
verfügbar 300 Stück:
1+0.04 EUR
10+ 0.036 EUR
100+ 0.032 EUR
BSS138 (CJ, SOT-23)
Produktcode: 186257
CJTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 27/
JHGF: SMD
auf Bestellung 9597 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS138 (Diodes, SOT-23)
Produktcode: 125280
DiodesTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138 (ON, SOT-23)
Produktcode: 161156
ONTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138 RFGTaiwan SemiconductorMOSFET 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 18204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.57 EUR
10+ 0.41 EUR
100+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.099 EUR
9000+ 0.084 EUR
24000+ 0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS138 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
9000+ 0.087 EUR
30000+ 0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
auf Bestellung 55245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
44+ 0.41 EUR
100+ 0.21 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
BSS138 SOT23LGETransistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
BSS138(G9-49)NS2000
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS138(SS)FAIRCHILD00+ SOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8620000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 680000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 550000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8060000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 650000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8040000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8620000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 7960000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.056 EUR
30000+ 0.055 EUR
50000+ 0.049 EUR
100000+ 0.044 EUR
250000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 260000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 640000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8620000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 650000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7620000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BSS138-13-FDiodes IncorporatedMOSFET BSS Family
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-13PMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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BSS138-13PMicro Commercial ComponentsN-Channel MOSFET
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BSS138-13PMicro Commercial ComponentsBSS138-13P
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BSS138-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 360mW
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
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BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 2744935 Stücke:
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50+0.35 EUR
75+ 0.24 EUR
153+ 0.12 EUR
500+ 0.096 EUR
1000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSS138-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1180+0.061 EUR
1620+ 0.044 EUR
1860+ 0.039 EUR
12000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1180
BSS138-7-FMulticompBSS138-7-F
auf Bestellung 378000 Stücke:
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6000+0.037 EUR
93000+ 0.033 EUR
186000+ 0.029 EUR
279000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 525000 Stücke:
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3237+0.048 EUR
9000+ 0.037 EUR
24000+ 0.033 EUR
45000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3237
BSS138-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1180+0.061 EUR
1620+ 0.044 EUR
1860+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1180
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1149000 Stücke:
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9000+ 0.035 EUR
24000+ 0.031 EUR
45000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
BSS138-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 494415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 2727840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.058 EUR
6000+ 0.054 EUR
9000+ 0.045 EUR
30000+ 0.044 EUR
75000+ 0.039 EUR
150000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138-7-FDiodes IncorporatedN-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1611000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3473+0.045 EUR
9000+ 0.035 EUR
24000+ 0.031 EUR
45000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3473
BSS138-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
auf Bestellung 408000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 300mW 50V DSS
auf Bestellung 477247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.34 EUR
15+ 0.2 EUR
100+ 0.097 EUR
1000+ 0.067 EUR
3000+ 0.053 EUR
9000+ 0.042 EUR
24000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-7-F .K38DIODES/ZETEXN-MOSFET 50V 200mA 3.5mΩ 300mW BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO
auf Bestellung 5705 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
BSS138-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-7-F-50Diodes IncBSS Family SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-7-F-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-7-F-52Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET N Channel Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138-AU-R2-000A1PanjitMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-E6327
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS138-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SINGLE NCH LOG LEVEL FIELD EFFECT XTOR
auf Bestellung 5297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
BSS138-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-F169onsemiDescription: 50V N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANC
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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43+ 0.42 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
BSS138-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138-GComchip TechnologyMOSFET 50V 0.22A SOT-23
auf Bestellung 12135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.57 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.25 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.095 EUR
9000+ 0.072 EUR
24000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS138-GonsemiDescription: FET 50V 3.5 OHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 14990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
31+ 0.57 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BSS138-GComchip TechnologyN-Channel MOSFET
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+ 0.094 EUR
12000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138-GON SemiconductorN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138-GonsemiMOSFET FET 50V 3.5 OHM
auf Bestellung 854830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.8 EUR
10+ 0.61 EUR
100+ 0.38 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS138-GonsemiDescription: FET 50V 3.5 OHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+ 0.17 EUR
9000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138-HFComchip TechnologyMOSFET MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT-23
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.57 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.25 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.095 EUR
9000+ 0.072 EUR
24000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS138-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138-MLMOSLEADERDescription: 0.35W 50V 0.22A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.036 EUR
6000+ 0.035 EUR
9000+ 0.034 EUR
15000+ 0.032 EUR
30000+ 0.03 EUR
75000+ 0.028 EUR
150000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138-NL
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS138-R1-00001PanjitMOSFET
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BSS138-R2-00001PanjitMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-SB9G001ON SemiconductorBSS 138 SOT23 FSC
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-TonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 BSS138-TP SOT23-3 MCC TBSS138-TP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5051+0.031 EUR
75000+ 0.027 EUR
150000+ 0.025 EUR
225000+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 5051
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3368+0.046 EUR
9000+ 0.038 EUR
24000+ 0.026 EUR
45000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3368
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 534000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3040+0.051 EUR
9000+ 0.042 EUR
24000+ 0.038 EUR
45000+ 0.031 EUR
99000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3040
BSS138-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 89899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1250+0.057 EUR
1600+ 0.045 EUR
2675+ 0.027 EUR
3185+ 0.022 EUR
3380+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1250
BSS138-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-TP
Produktcode: 189195
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 BSS138-TP SOT23-3 MCC TBSS138-TP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4652+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 4652
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1701000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
BSS138-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 BSS138-TP SOT23-3 MCC TBSS138-TP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.039 EUR
24000+ 0.022 EUR
45000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
BSS138-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
auf Bestellung 28601 Stücke:
Lieferzeit 108-112 Tag (e)
9+0.33 EUR
12+ 0.24 EUR
100+ 0.1 EUR
1000+ 0.07 EUR
3000+ 0.055 EUR
9000+ 0.046 EUR
24000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 1313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.33 EUR
75+ 0.24 EUR
138+ 0.13 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BSS138-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 89899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1250+0.057 EUR
1600+ 0.045 EUR
2675+ 0.027 EUR
3185+ 0.022 EUR
3380+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1250
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3368+0.046 EUR
9000+ 0.038 EUR
24000+ 0.022 EUR
45000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3368
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 534000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3145+0.05 EUR
9000+ 0.04 EUR
24000+ 0.023 EUR
45000+ 0.022 EUR
99000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3145
BSS138/SS
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSS138; 0,22A; 50V; 0,32W; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; MCC
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
auf Bestellung 5870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
12+ 0.25 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.072 EUR
3000+ 0.055 EUR
9000+ 0.046 EUR
24000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138A-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
70+ 0.25 EUR
144+ 0.12 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.071 EUR
2000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 48
BSS138A-TPMicro Commercial Components Corp.Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 1,6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138A-TP TBSS138A-TP
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
BSS138A-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel Mosfets
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138A-TP-HFMicro Commercial ComponentsN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AHE3-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.4 EUR
64+ 0.28 EUR
130+ 0.14 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BSS138AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1294+0.12 EUR
1551+ 0.094 EUR
2393+ 0.058 EUR
4202+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1294
BSS138AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
426+0.37 EUR
636+ 0.24 EUR
645+ 0.23 EUR
652+ 0.21 EUR
1294+ 0.1 EUR
1308+ 0.098 EUR
1551+ 0.079 EUR
2393+ 0.051 EUR
4202+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 426
BSS138AHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET 50Vds 20Vgs N-Ch FET
auf Bestellung 5880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.41 EUR
11+ 0.28 EUR
100+ 0.18 EUR
1000+ 0.079 EUR
3000+ 0.067 EUR
9000+ 0.051 EUR
24000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSS138AHE3-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AK-QRNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 52-56 Tag (e)
9+0.34 EUR
13+ 0.23 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.065 EUR
3000+ 0.056 EUR
9000+ 0.042 EUR
24000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSS138AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AK-QRNEXPERIAN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AK-QRNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AK-QRNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKA/LF1RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
50+ 0.35 EUR
102+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
BSS138AKARNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138AKARNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.054 EUR
9000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.054 EUR
9000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138AKARNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 4695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+0.18 EUR
920+ 0.078 EUR
1025+ 0.07 EUR
1280+ 0.056 EUR
1355+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 400
BSS138AKARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+ 0.081 EUR
9000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138AKARNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.18 EUR
920+ 0.078 EUR
1025+ 0.07 EUR
1280+ 0.056 EUR
1355+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 400
BSS138AKARNexperiaMOSFET BSS138AKA/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 436585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+ 0.35 EUR
100+ 0.14 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.067 EUR
9000+ 0.058 EUR
24000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.059 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.059 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138AKDW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKDW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 10421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
35+ 0.52 EUR
100+ 0.26 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSS138AKDW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKDW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138AKDW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKDW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKDW-TPQ2Micro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
54+ 0.33 EUR
109+ 0.16 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 38
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual 50Vds 20Vgs N-Ch FET
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.49 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.093 EUR
3000+ 0.081 EUR
9000+ 0.06 EUR
24000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKS-QXNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT363/SC-88
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 52-56 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+ 0.43 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.069 EUR
24000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS138AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
41+ 0.44 EUR
100+ 0.21 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSS138AKS-QXNexperiaN-channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKS-QXNEXPERIAN-channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKS-QXNexperiaN-channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKW-QXNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
67+ 0.26 EUR
137+ 0.13 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 46
BSS138AKW-QXNEXPERIAN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKW-QXNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138AKW-QXNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT323/SC-70
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 52-56 Tag (e)
8+0.39 EUR
11+ 0.26 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.076 EUR
3000+ 0.063 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSS138AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138B-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tj)
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138B-TPMicro Commercial Components (MCC)MCC
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKNexperiaN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 360 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 42 @ 10; Qg, нКл = 9,6 @ 4,5 В; Rds = 1 Ом @ 0,35 A, 10 В; Ugs(th) = 1.1 В @ 250 мкА; Опис N-канальний ПТ; Р, Вт = 0,42 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+0.34 EUR
22+ 0.29 EUR
100+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BSS138BKMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138BK - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 57038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138BKNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 42773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
264+ 0.27 EUR
387+ 0.18 EUR
645+ 0.11 EUR
828+ 0.086 EUR
1534+ 0.047 EUR
1624+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 179
BSS138BK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 447000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 499317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
44+ 0.4 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 22660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.48 EUR
462+ 0.33 EUR
472+ 0.31 EUR
1270+ 0.11 EUR
1495+ 0.09 EUR
1509+ 0.085 EUR
2000+ 0.061 EUR
3000+ 0.056 EUR
6000+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 324
BSS138BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 849093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138BK,215NXPN-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW BSS138BK,215 BSS138BK NXP TBSS138bk
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 31290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS138BK,215NexperiaMOSFET BSS138BK/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 149228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.063 EUR
9000+ 0.06 EUR
24000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BK,215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 495000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.099 EUR
6000+ 0.092 EUR
9000+ 0.076 EUR
30000+ 0.075 EUR
75000+ 0.067 EUR
150000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42773 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
264+ 0.27 EUR
387+ 0.18 EUR
645+ 0.11 EUR
828+ 0.086 EUR
1534+ 0.047 EUR
1624+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 179
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 22660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1270+0.12 EUR
1495+ 0.1 EUR
1509+ 0.096 EUR
2000+ 0.07 EUR
3000+ 0.061 EUR
6000+ 0.053 EUR
15000+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1270
BSS138BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 849093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138BK,215
Produktcode: 131639
NexperiaTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,36 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 42/0,6
JHGF: SMD
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BSS138BK-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
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BSS138BK-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 3474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
70+ 0.25 EUR
144+ 0.12 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 48
BSS138BK-TPMicro Commercial ComponentsBSS138BK-TP
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BSS138BK-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BK-TPMicro Commercial ComponentsBSS138BK-TP
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BSS138BK/DG/B2NEXPERIA60 V, 360 MA N-CHANNEL TRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1038+0.15 EUR
1183+ 0.13 EUR
1235+ 0.12 EUR
2000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1038
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
849+0.18 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 849
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
32+ 0.56 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BSS138BKAHZGT116ROHM SemiconductorMOSFET 60V N-CHANNEL 400MA AUTOMOTIVE
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.78 EUR
10+ 0.56 EUR
100+ 0.25 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.17 EUR
9000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKDW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BKDW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKDW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 5605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
35+ 0.52 EUR
100+ 0.26 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSS138BKDW-TPMicro Commercial ComponentsN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKDW-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKDW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKSNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.092 EUR
9000+ 0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.092 EUR
9000+ 0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Dual-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.096 EUR
9000+ 0.084 EUR
24000+ 0.067 EUR
45000+ 0.064 EUR
99000+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BKS,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 426514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
34+ 0.53 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.096 EUR
9000+ 0.084 EUR
24000+ 0.067 EUR
45000+ 0.064 EUR
99000+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 8096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
478+0.33 EUR
483+ 0.31 EUR
502+ 0.29 EUR
797+ 0.18 EUR
860+ 0.16 EUR
893+ 0.14 EUR
1174+ 0.1 EUR
3000+ 0.089 EUR
6000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 478
BSS138BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
340+0.21 EUR
535+ 0.13 EUR
590+ 0.12 EUR
745+ 0.097 EUR
785+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 340
BSS138BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Dual-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 8096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
797+0.2 EUR
860+ 0.18 EUR
893+ 0.16 EUR
1174+ 0.12 EUR
3000+ 0.097 EUR
6000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 797
BSS138BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 423000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
9000+ 0.11 EUR
75000+ 0.092 EUR
150000+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
340+0.21 EUR
535+ 0.13 EUR
590+ 0.12 EUR
745+ 0.097 EUR
785+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 340
BSS138BKS,115NexperiaMOSFET BSS138BKS/SOT363/SC-88
auf Bestellung 430364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.097 EUR
24000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS138BKS/S500XRochester Electronics, LLCDescription: BSS138BKS/X - Small Signal Field
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKS/S500X,115Nexperia USA Inc.Description: BSS138BKS - 60V, 320MA DUAL N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKSHNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKSHNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
34+ 0.53 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSS138BKSHNexperiaMOSFET BSS138BKS/SOT363/SC-88
auf Bestellung 19412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+ 0.5 EUR
100+ 0.22 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.084 EUR
24000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKSHNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKT-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKT-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 3283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
70+ 0.25 EUR
144+ 0.12 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 48
BSS138BKT-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BKT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+ 0.14 EUR
9000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS138BKT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
632+0.25 EUR
656+ 0.23 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.2 EUR
5000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 632
BSS138BKT116ROHMDescription: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138BKT116ROHM SemiconductorMOSFET N CHAN 60V SOT23
auf Bestellung 19783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+ 0.5 EUR
100+ 0.31 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS138BKT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
auf Bestellung 17487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
38+ 0.47 EUR
100+ 0.24 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSS138BKT116ROHMDescription: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS138BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSS138BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.06 EUR
20000+ 0.046 EUR
30000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10000