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DTD05101

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DTD05202

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DTD11003

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DTD113/DTD113EK

ИэЕЖ/

07+ SOT-23

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DTD113E

onsemi

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

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DTD113ECHZGT116

Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist

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8+	0.39 EUR
11+	0.27 EUR
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1000+	0.077 EUR
3000+	0.06 EUR
9000+	0.049 EUR
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DTD113ECHZGT116

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113ECHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101

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DTD113ECHZGT116

Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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DTD113ECHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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2632+	0.059 EUR

Mindestbestellmenge: 2632

DTD113ECHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2975 Stücke:

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46+	0.39 EUR
65+	0.27 EUR
134+	0.13 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.076 EUR

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DTD113ECHZGT116

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DTD113ECHZGT116

auf Bestellung 3802 Stücke:

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DTD113ECHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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620+	0.25 EUR
643+	0.23 EUR
1000+	0.22 EUR
2500+	0.2 EUR
5000+	0.19 EUR

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DTD113ECT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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690+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR
2500+	0.2 EUR

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DTD113ECT116

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DTD113ECT116

Description: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

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DTD113ECT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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690+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR
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DTD113ECT116

Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors

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5+	0.59 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.2 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.088 EUR
9000+	0.076 EUR
24000+	0.07 EUR

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DTD113ECT116

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DTD113ECT116

Description: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

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DTD113ECT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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DTD113EK

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DTD113EKFRAT146

Digital Transistors NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346

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10+	0.6 EUR
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500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR
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DTD113EKFRAT146

Description: DTD113EKFRA IS A TRANSISTOR WITH

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DTD113EKFRAT146

Description: DTD113EKFRA IS A TRANSISTOR WITH

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DTD113EKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms

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3000+	0.17 EUR

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DTD113EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

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997+	0.16 EUR
1167+	0.13 EUR
1237+	0.12 EUR
2000+	0.11 EUR
3000+	0.1 EUR
6000+	0.092 EUR
12000+	0.083 EUR

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DTD113EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

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537+	0.29 EUR
557+	0.27 EUR
1000+	0.25 EUR
2500+	0.24 EUR

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DTD113EKT146

Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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DTD113EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

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537+	0.29 EUR
557+	0.27 EUR
1000+	0.25 EUR

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DTD113EKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms

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28+	0.65 EUR
35+	0.5 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.19 EUR

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DTD113EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

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DTD113EKT146

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113EKT146

Digital Transistors NPN 50V 500MA

auf Bestellung 1733 Stücke:

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5+	0.64 EUR
10+	0.5 EUR
100+	0.27 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.15 EUR
45000+	0.14 EUR

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DTD113EKT146

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113EKT146

Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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DTD113ES

TO-92S

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DTD113ES

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD113ZCHZGT116

Description: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 6326 Stücke:

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DTD113ZCHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 45952 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	0.46 EUR
56+	0.32 EUR
115+	0.15 EUR
500+	0.13 EUR
1000+	0.089 EUR

Mindestbestellmenge: 39

DTD113ZCHZGT116

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113ZCHZGT116

Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist

auf Bestellung 14611 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.46 EUR
10+	0.31 EUR
100+	0.13 EUR
1000+	0.088 EUR
3000+	0.07 EUR
9000+	0.058 EUR
24000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 7

DTD113ZCHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2990 Stücke:

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690+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR
2500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 690

DTD113ZCHZGT116

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113ZCHZGT116

auf Bestellung 6326 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD113ZCHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2090 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD113ZCHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.077 EUR
6000+	0.072 EUR
9000+	0.059 EUR
30000+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD113ZCT116

Digital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106

auf Bestellung 27386 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.33 EUR
100+	0.15 EUR
1000+	0.11 EUR
3000+	0.079 EUR
9000+	0.069 EUR
24000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD113ZCT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

420+	0.37 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR
2500+	0.3 EUR
5000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 420

DTD113ZCT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 6491 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
44+	0.4 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 30

DTD113ZCT116

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113ZCT116

Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 9950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD113ZCT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD113ZCT116

auf Bestellung 9950 Stücke:

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DTD113ZCT116

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113ZK

SOT23

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD113ZK

auf Bestellung 5850 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD113ZKT146

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113ZKT146

Description: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 440 Stücke:

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DTD113ZKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 14712 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

324+	0.48 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.39 EUR
5000+	0.36 EUR
10000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 324

DTD113ZKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 148687 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
35+	0.5 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 28

DTD113ZKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 32871 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1227+	0.13 EUR
1346+	0.11 EUR
2000+	0.098 EUR
3000+	0.093 EUR
6000+	0.087 EUR
12000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 1227

DTD113ZKT146

Description: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD113ZKT146

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113ZKT146

Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA

auf Bestellung 9632 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.35 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD113ZKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113ZKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 147000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
9000+	0.15 EUR
75000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD113ZKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 73732 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1465+	0.11 EUR
1561+	0.097 EUR
1593+	0.091 EUR
2000+	0.085 EUR
3000+	0.081 EUR
6000+	0.076 EUR
12000+	0.071 EUR

Mindestbestellmenge: 1465

DTD113ZS

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD113ZSTP

DTD113ZSTP Транзисторы Digital

auf Bestellung 5013 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

DTD113ZSTP

Description: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

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DTD113ZU

SOT323

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD113ZU

07+ SOT-323

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD113ZU T106

SOT23/SOT323

auf Bestellung 1651 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD113ZU T106

0239+

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD113ZUT106

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R

auf Bestellung 20875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

214+	0.73 EUR
250+	0.68 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.59 EUR
2500+	0.55 EUR
5000+	0.51 EUR
10000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 214

DTD113ZUT106

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 5889 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
28+	0.64 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DTD113ZUT106

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113ZUT106

Produkt ist nicht verfügbar

DTD113ZUT106

Digital Transistors NPN 50V 500MA

auf Bestellung 31250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DTD113ZUT106

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 5720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD113ZUT106

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R

auf Bestellung 41655 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

728+	0.21 EUR
851+	0.18 EUR
1000+	0.16 EUR
2000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR
12000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 728

DTD114ECHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

632+	0.25 EUR
656+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR
2500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 632

DTD114ECHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD114ECHZGT116

Description: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 635 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114ECHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5628 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	0.46 EUR
56+	0.32 EUR
115+	0.15 EUR
500+	0.13 EUR
1000+	0.089 EUR

Mindestbestellmenge: 39

DTD114ECHZGT116

auf Bestellung 635 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114ECHZGT116

Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist

auf Bestellung 4476 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.46 EUR
10+	0.31 EUR
100+	0.13 EUR
1000+	0.09 EUR
3000+	0.07 EUR
9000+	0.058 EUR
24000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 7

DTD114ECHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

632+	0.25 EUR
656+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 632

DTD114ECT116

Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors

auf Bestellung 2383 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.61 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.2 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.099 EUR
9000+	0.076 EUR
24000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD114ECT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114ECT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD114ECT116

Description: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114ECT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD114ECT116

auf Bestellung 3520 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114EK

09+

auf Bestellung 3038 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD114EK

07+ SOT-23

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD114EK

SOT23

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD114EK-T146

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD114EKFRA

Produkt ist nicht verfügbar

DTD114EKFRAT146

Description: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114EKFRAT146

Produkt ist nicht verfügbar

DTD114EKFRAT146

Description: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114EKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 87000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD114EKT146

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 2809 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

330+	0.22 EUR
525+	0.14 EUR
585+	0.12 EUR
750+	0.096 EUR
795+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 330

DTD114EKT146

Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA

auf Bestellung 49364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.51 EUR
10+	0.36 EUR
100+	0.22 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 6

DTD114EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 51289 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

907+	0.17 EUR
1065+	0.14 EUR
1124+	0.13 EUR
2000+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.1 EUR
12000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 907

DTD114EKT146

Description: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 24890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 4350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

301+	0.52 EUR
313+	0.48 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 301

DTD114EKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 92199 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.51 EUR
45+	0.4 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 35

DTD114EKT146

auf Bestellung 2809 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

330+	0.22 EUR
525+	0.14 EUR
585+	0.12 EUR
750+	0.096 EUR
795+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 330

DTD114EKT146

auf Bestellung 24890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 284 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114ES

TO-92S

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD114ESTP

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD114GCHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2885 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
39+	0.46 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 28

DTD114GCHZGT116

Digital Transistors DTD114GCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.

auf Bestellung 7644 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.46 EUR
100+	0.19 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.12 EUR
9000+	0.097 EUR
24000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD114GCHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

690+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR
2500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 690

DTD114GCHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

DTD114GCT116

Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors

auf Bestellung 3793 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.17 EUR
1000+	0.11 EUR
3000+	0.09 EUR
9000+	0.076 EUR
24000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD114GCT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1964 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

288+	0.54 EUR
426+	0.35 EUR
454+	0.32 EUR
459+	0.3 EUR
764+	0.18 EUR
1080+	0.12 EUR
1153+	0.11 EUR
1920+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 288

DTD114GCT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 3080 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
44+	0.4 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 30

DTD114GCT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

632+	0.25 EUR
656+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR
2500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 632

DTD114GCT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD114GK T146

SOT23

auf Bestellung 2893 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD114GKT146

Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 868 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114GKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.92 EUR
250+	0.85 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 171

DTD114GKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD114GKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.92 EUR
250+	0.85 EUR
500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 171

DTD114GKT146

auf Bestellung 868 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114GKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD114GKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.92 EUR
250+	0.85 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 171

DTD114GKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 5900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.86 EUR
27+	0.67 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 21

DTD114GKT146

SOT-23 96+

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD114GKT146

Digital Transistors NPN 50V 500MA

auf Bestellung 69 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.85 EUR
10+	0.69 EUR
100+	0.35 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR
24000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DTD120-12SX-F-W

Desktop AC Adapters 12 vdc 100W 8.33A ADAPTER AC/DC

Produkt ist nicht verfügbar

DTD120-12SX-F-W6

Desktop AC Adapters 120W 12V 8.33A

Produkt ist nicht verfügbar

DTD120-12SX-F-W6

Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 100W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 12V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 8.33A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 W

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	191.84 EUR

DTD120-19SX-F-W

Desktop AC Adapters 19 vdc 120W 6.3A AC/DC Adapter

Produkt ist nicht verfügbar

DTD120-19SX-F-W6

Desktop AC Adapters 120W 19V 6.3A

Produkt ist nicht verfügbar

DTD120-19SX-F-W6

Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 19V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 6.3A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	191.84 EUR

DTD120-24SX-F-W

Desktop AC Adapters 24vdc

Produkt ist nicht verfügbar

DTD120-24SX-F-W6

Desktop AC Adapters 120W 24V 5A

Produkt ist nicht verfügbar

DTD120-24SX-F-W6

Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 24V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 5A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	191.84 EUR

DTD120-36SX-F-W6

Desktop AC Adapters 120W 36V 3.3A

Produkt ist nicht verfügbar

DTD120-48SX-F-W6

Description: AC-DC EXTERNAL POWER ADAPTER

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

DTD120-48SX-F-W6

Desktop AC Adapters 120W 48V 2.5A

Produkt ist nicht verfügbar

DTD120-SX-F-W

Desktop AC Adapters 120W INPUT 90~264

Produkt ist nicht verfügbar

DTD122JKT146

06+ROHS

auf Bestellung 695 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD122JKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Produkt ist nicht verfügbar

DTD122JKT146

Digital Transistors NPN 50V 500MA

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123ECHZGT116

Description: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD123ECHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD123ECHZGT116

Digital Transistors DTD123ECHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.

auf Bestellung 5871 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.46 EUR
100+	0.19 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.11 EUR
9000+	0.097 EUR
24000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD123ECHZGT116

auf Bestellung 2670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD123ECHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
39+	0.46 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 28

DTD123ECHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

662+	0.24 EUR
1000+	0.22 EUR
2500+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 662

DTD123ECT116

Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors

auf Bestellung 637 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.17 EUR
1000+	0.11 EUR
3000+	0.088 EUR
9000+	0.076 EUR
24000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD123ECT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms

auf Bestellung 3785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
44+	0.4 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 30

DTD123ECT116

Description: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123ECT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123ECT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 19672 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

402+	0.39 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.34 EUR
2500+	0.31 EUR
5000+	0.29 EUR
10000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 402

DTD123ECT116

Description: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123EK

04+ SOT-23

auf Bestellung 15100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD123EK

SOT23

auf Bestellung 22000 Stücke:

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DTD123EK

11+ROHS SOT-23

auf Bestellung 53500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD123EK

SOT23/SOT323

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD123EK T146

SOT23

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD123EKFRAT146

Description: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD123EKFRAT146

auf Bestellung 2270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD123EKT146

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 39
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 3772 Stücke:

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292+	0.54 EUR
304+	0.5 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.43 EUR
2500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 292

DTD123EKT146

Description: ROHM - DTD123EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123EKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms

auf Bestellung 7970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
32+	0.56 EUR
100+	0.34 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DTD123EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

292+	0.54 EUR
304+	0.5 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.43 EUR
2500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 292

DTD123EKT146

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 39
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123EKT146

Digital Transistors NPN 50V 500MA

auf Bestellung 4282 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.72 EUR
10+	0.56 EUR
100+	0.3 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
24000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DTD123EKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD123EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 187642 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1309+	0.12 EUR
1419+	0.11 EUR
1462+	0.099 EUR
2000+	0.092 EUR
3000+	0.088 EUR
6000+	0.081 EUR
12000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 1309

DTD123TCHZGT116

Digital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist

auf Bestellung 6332 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.44 EUR
10+	0.3 EUR
100+	0.12 EUR
1000+	0.084 EUR
3000+	0.067 EUR
9000+	0.056 EUR
24000+	0.053 EUR

Mindestbestellmenge: 7

DTD123TCHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8846 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.074 EUR
6000+	0.068 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD123TCHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11846 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

40+	0.44 EUR
59+	0.3 EUR
121+	0.15 EUR
500+	0.12 EUR
1000+	0.085 EUR

Mindestbestellmenge: 40

DTD123TCHZGT116

Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

690+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR
2500+	0.2 EUR
5000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 690

DTD123TCT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123TCT116

Description: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1331 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD123TCT116

Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

626+	0.25 EUR
649+	0.23 EUR
1000+	0.22 EUR
2500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 626

DTD123TCT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123TCT116

auf Bestellung 1331 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD123TCT116

Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors

auf Bestellung 2858 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.61 EUR
10+	0.44 EUR
100+	0.2 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.088 EUR
9000+	0.076 EUR
24000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD123TK

SOT23

auf Bestellung 1103 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD123TKT146

Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 1254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

537+	0.29 EUR
557+	0.27 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 537

DTD123TKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123TKT146

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; 2.2kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123TKT146

Digital Transistors NPN 50V 500MA

auf Bestellung 6655 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.83 EUR
10+	0.66 EUR
100+	0.37 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.22 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DTD123TKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.86 EUR
27+	0.67 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 21

DTD123TKT146

Description: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD123TKT146

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123TSTP

Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123YCHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD123YCHZGT116

Digital Transistors DTD123YCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.

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5+	0.59 EUR
10+	0.37 EUR
100+	0.16 EUR
1000+	0.11 EUR
3000+	0.077 EUR
9000+	0.07 EUR
45000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD123YCHZGT116

Description: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2165 Stücke:

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DTD123YCHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1130 Stücke:

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DTD123YCHZGT116

auf Bestellung 2165 Stücke:

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DTD123YCHZGT116

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123YCHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4640 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
44+	0.4 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.11 EUR

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DTD123YCHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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620+	0.25 EUR
643+	0.23 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 620

DTD123YCHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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620+	0.25 EUR
643+	0.23 EUR
1000+	0.22 EUR
2500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 620

DTD123YCHZGT116

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DTD123YCT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 15699 Stücke:

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418+	0.37 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR
2500+	0.3 EUR
5000+	0.28 EUR
10000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 418

DTD123YCT116

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DTD123YCT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123YCT116

Description: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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DTD123YCT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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1637+	0.092 EUR
1909+	0.076 EUR
2017+	0.069 EUR

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DTD123YCT116

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DTD123YCT116

Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors

auf Bestellung 9710 Stücke:

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5+	0.59 EUR
10+	0.46 EUR
100+	0.17 EUR
1000+	0.11 EUR
3000+	0.088 EUR
9000+	0.076 EUR
24000+	0.07 EUR

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DTD123YCT116

Description: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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DTD123YCT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 649 Stücke:

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30+	0.6 EUR
44+	0.4 EUR
100+	0.2 EUR
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DTD123YK

auf Bestellung 3000 Stücke:

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DTD123YK

SOT23

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DTD123YK

05+ SOT-23

auf Bestellung 6000 Stücke:

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DTD123YK/F62

auf Bestellung 4900 Stücke:

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DTD123YKA

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD123YKFRAT146

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123YKFRAT146

Description: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD123YKFRAT146

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DTD123YKFRAT146

auf Bestellung 1031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD123YKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 191239 Stücke:

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35+	0.51 EUR
45+	0.4 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.15 EUR

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DTD123YKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123YKT146

Description: ROHM - DTD123YKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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DTD123YKT146

Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346

auf Bestellung 24548 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.51 EUR
10+	0.39 EUR
100+	0.22 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 6

DTD123YKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 35526 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

897+	0.17 EUR
1049+	0.14 EUR
1107+	0.13 EUR
2000+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.1 EUR
12000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 897

DTD123YKT146

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123YKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 186000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD123YKT146

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD123YKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 7572 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

301+	0.52 EUR
313+	0.48 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.39 EUR
5000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 301

DTD123YKT147

auf Bestellung 26000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD13001

auf Bestellung 1093 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD133EK

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD133HKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

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DTD133HKT146

auf Bestellung 14800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD143EC

SOT23

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD143EC

RICOH

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD143ECHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.06 EUR
6000+	0.053 EUR
12000+	0.047 EUR
18000+	0.043 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD143ECHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

44+	0.4 EUR
65+	0.27 EUR
132+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 44

DTD143ECHZGT116

Description: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD143ECHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

712+	0.22 EUR
1000+	0.2 EUR
2500+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 712

DTD143ECHZGT116

auf Bestellung 2930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD143ECHZGT116

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD143ECHZGT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

DTD143ECHZGT116

Digital Transistors NPN SOT-23 4.7kO Input Resist

auf Bestellung 6798 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.41 EUR
11+	0.26 EUR
100+	0.12 EUR
1000+	0.081 EUR
3000+	0.065 EUR
9000+	0.049 EUR
24000+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 7

DTD143ECHZGT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 5134 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1783+	0.088 EUR
2025+	0.074 EUR
2124+	0.068 EUR
3000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 1783

DTD143ECHZGT116

Produkt ist nicht verfügbar

DTD143ECT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1275 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

770+	0.2 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 770

DTD143ECT116

Produkt ist nicht verfügbar

DTD143ECT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD143ECT116

Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors

auf Bestellung 8462 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.17 EUR
1000+	0.11 EUR
3000+	0.09 EUR
9000+	0.076 EUR
24000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD143ECT116

Description: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2415 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD143ECT116

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DTD143ECT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R

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DTD143ECT116
Produktcode: 169680

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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DTD143ECT116

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2740 Stücke:

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2146+	0.073 EUR

Mindestbestellmenge: 2146

DTD143ECT116

auf Bestellung 2415 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD143ECT116

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

auf Bestellung 3519 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	0.6 EUR
44+	0.4 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 30

DTD143ECT216

Digital Transistors DIGITAL NPN 500mA

Produkt ist nicht verfügbar

DTD143ECT216

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

auf Bestellung 921 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
33+	0.54 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DTD143ECT216

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD143EK

SOT23

auf Bestellung 29 Stücke:

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DTD143EK

auf Bestellung 2300 Stücke:

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DTD143EK T146

SOT23-F23

auf Bestellung 599 Stücke:

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DTD143EK T146 SOT23-F23

auf Bestellung 599 Stücke:

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DTD143EKA

auf Bestellung 3000 Stücke:

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DTD143EKFRAT146

Description: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1943 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD143EKFRAT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1086 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
29+	0.61 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DTD143EKFRAT146

Digital Transistors NPN 50V 0.5A 4.7kO SOT-346

auf Bestellung 4964 Stücke:

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4+	0.75 EUR
10+	0.6 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DTD143EKFRAT146

auf Bestellung 1943 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD143EKFRAT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101

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DTD143EKT146

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ

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DTD143EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

196+	0.8 EUR
250+	0.74 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.64 EUR
2500+	0.6 EUR
5000+	0.56 EUR
10000+	0.52 EUR
25000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 196

DTD143EKT146

Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA

auf Bestellung 21043 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.59 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.22 EUR
9000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD143EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

196+	0.8 EUR
250+	0.74 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.64 EUR
2500+	0.6 EUR
5000+	0.56 EUR
10000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 196

DTD143EKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

auf Bestellung 8194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
30+	0.59 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 26

DTD143EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 1265 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1016+	0.15 EUR
1157+	0.13 EUR
1210+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1016

DTD143EKT146

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD143EKT146

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD143EKT146

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 694 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

196+	0.8 EUR
250+	0.74 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 196

DTD143EKT146/F23

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD143EKT146SOT23-F23

auf Bestellung 2300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD143ES

TO-92S

auf Bestellung 80000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD143ESTP

Description: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD143TK

SOT-23

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD143TKT146

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
37+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 28

DTD143TKT146

Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 7573 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1119+	0.14 EUR
1184+	0.13 EUR
1223+	0.12 EUR
2000+	0.11 EUR
3000+	0.1 EUR
6000+	0.096 EUR

Mindestbestellmenge: 1119

DTD143TKT146

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DTD143TKT146

Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

302+	0.52 EUR
315+	0.48 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.41 EUR
2500+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 302

DTD143TKT146

Digital Transistors NPN 50V 500MA

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.72 EUR
10+	0.58 EUR
100+	0.4 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR
24000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DTD152Z

MAKITA

Description: MAKITA - DTD152Z - 18V IMPACT DRIVER BODY ONLY
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3200BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 165Nm
Versorgungsspannung, V AC: 230V
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD153Z

MAKITA

Description: MAKITA - DTD153Z - 18V B/LESS IMPACT DRIVER - BARE UNIT
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3600BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 170Nm
Versorgungsspannung, V AC: 230V
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: 0
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTD17102

auf Bestellung 659 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD26101

auf Bestellung 1134 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTD50

Category: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	931.53 EUR
3+	895.71 EUR

DTD50

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	931.53 EUR
3+	895.71 EUR

DTD50-RB

Category: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar

Produkt ist nicht verfügbar

DTD50-RB

Category: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD513ZE

Bipolar Transistors - Pre-Biased

Produkt ist nicht verfügbar

DTD513ZE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 2707 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
35+	0.5 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 28

DTD513ZE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

Produkt ist nicht verfügbar

DTD513ZE3TL

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

auf Bestellung 5305 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.36 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD513ZETL

Description: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

DTD513ZETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DTD513ZETL

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DTD513ZETL

Description: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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DTD513ZETL

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 28169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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Mindestbestellmenge: 1325

DTD513ZETL

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

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3000+	0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 4

DTD513ZETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 10071 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
34+	0.53 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DTD513ZETL

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DTD513ZETL

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 5775 Stücke:

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DTD513ZMGT2L

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr

auf Bestellung 6759 Stücke:

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100+	0.38 EUR
500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DTD513ZMGT2L

Description: DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),

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DTD513ZMGT2L

Description: DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),

auf Bestellung 6643 Stücke:

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27+	0.67 EUR
35+	0.51 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.17 EUR
2000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 27

DTD513ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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DTD513ZMT2L

Bipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD513ZMGT2L

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DTD523YE3TL

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.18 EUR

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DTD523YE3TL

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

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DTD523YE3TL

auf Bestellung 3000 Stücke:

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DTD523YETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

auf Bestellung 1963 Stücke:

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DTD523YETL

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC75A; SOT416
Power dissipation: 0.15W
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 140
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 260MHz
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 12V
Base resistor: 2.2kΩ
Polarisation: bipolar

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DTD523YETL

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DTD523YETL

Digital Transistors NPN Digital Transistor

auf Bestellung 1831 Stücke:

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1000+	0.2 EUR
3000+	0.16 EUR
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DTD523YMT2L

DTD523YMT2L NPN SMD transistors

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DTD523YMT2L

Digital Transistors TRANSISTOR

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100+	0.37 EUR
1000+	0.23 EUR
2500+	0.17 EUR
8000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DTD523YMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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DTD543EE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

auf Bestellung 2954 Stücke:

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28+	0.65 EUR
35+	0.5 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.19 EUR

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DTD543EE3TL

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

auf Bestellung 6000 Stücke:

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100+	0.36 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD543EE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

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DTD543EETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

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500+	0.24 EUR
1000+	0.18 EUR

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DTD543EETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

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DTD543EETL

Digital Transistors TRANSISTOR

auf Bestellung 25 Stücke:

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DTD543EMT2L

Digital Transistors TRANSISTOR

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DTD543EMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

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DTD543XE3TL

auf Bestellung 3000 Stücke:

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DTD543XE3TL

auf Bestellung 3000 Stücke:

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DTD543XE3TL

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

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9000+	0.16 EUR
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DTD543XETL

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

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10+	0.56 EUR
100+	0.35 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR
24000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DTD543XETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

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DTD543XMT2L

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

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DTD543XMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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DTD543ZE3TL

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

auf Bestellung 6388 Stücke:

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5+	0.64 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.36 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD543ZETL

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

auf Bestellung 2966 Stücke:

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DTD543ZETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

auf Bestellung 11 Stücke:

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DTD543ZETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

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DTD543ZMT2L

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 150mW
Case: SOT723
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ

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DTD543ZMT2L

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DTD543ZMT2L

Digital Transistors TRANSISTOR

auf Bestellung 7628 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.28 EUR
1000+	0.21 EUR
2500+	0.17 EUR
8000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DTD543ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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DTD713ZETL

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN

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DTD713ZETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

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DTD713ZMT2L

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRNSISTR DIGI NPN 200MA

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DTD713ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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DTD713ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

auf Bestellung 7527 Stücke:

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DTD713ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

auf Bestellung 7527 Stücke:

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DTD723YETL

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA

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DTD723YETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

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DTD723YMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

auf Bestellung 3426 Stücke:

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DTD723YMT2L

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR

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DTD723YMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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DTD723YMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

auf Bestellung 3426 Stücke:

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DTD743EETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

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DTD743EETL

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

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DTD743EETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

DTD743EMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

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DTD743EMT2L

Digital Transistors TRANSISTOR

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DTD743EMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

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DTD743XETL

Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3EMT

Produkt ist nicht verfügbar

DTD743XETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 2860 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
34+	0.53 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DTD743XETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

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DTD743XMT2L

Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3VMT

Produkt ist nicht verfügbar

DTD743XMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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DTD743ZETL

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

DTD743ZETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Produkt ist nicht verfügbar

DTD743ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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DTD743ZMT2L

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

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DTDG14GP

09+

auf Bestellung 997 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTDG14GP
Produktcode: 106265

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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DTDG14GP

08+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTDG14GP

SOT89

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTDG14GP/EO1P

auf Bestellung 941 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DTDG14GPFRAT100

Description: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DTDG14GPFRAT100

Description: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 1
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-89
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

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DTDG14GPT100

SOT-89 09+

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DTDG14GPT100

Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 11912 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.97 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DTDG14GPT100

Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGITAL NPN 60V 1A

auf Bestellung 1545 Stücke:

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3+	0.97 EUR
10+	0.83 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.38 EUR
2000+	0.32 EUR
10000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

DTDG14GPT100

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 10kΩ
Case: SC62; SOT89
Frequency: 80MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 300
Collector current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DTDG14GPT100

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DTDG14GPT100

Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 11000 Stücke:

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1000+	0.37 EUR
2000+	0.33 EUR
5000+	0.31 EUR
10000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

DTDG14P

N A

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DTDG23YP

09+

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DTDG23YPT100

Digital Transistors NPN 60V 1A

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3+	1.2 EUR
10+	0.99 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

DTDG23YPT100

DTDG23YPT100 NPN SMD transistors

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DTDG23YPT100

Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1944 Stücke:

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DTDG23YPT100

Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms

auf Bestellung 868 Stücke:

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15+	1.23 EUR
17+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 15

DTDG23YPT100

auf Bestellung 1944 Stücke:

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DTDG23YPT100

Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms

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DTDS14GP

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DTDS14GP HRAT100

SOT89

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DTDS14GPHRAT100