Produkte > DZT

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
DZT2222A-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.097 EUR
5000+ 0.092 EUR
12500+ 0.08 EUR
25000+ 0.078 EUR
62500+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DZT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT2222A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 40V
auf Bestellung 44983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.099 EUR
2500+ 0.079 EUR
10000+ 0.072 EUR
25000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
DZT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 73531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
47+ 0.37 EUR
100+ 0.19 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 33
DZT2907A-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 1W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Produkt ist nicht verfügbar
DZT2907A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -60V
auf Bestellung 10852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+ 0.43 EUR
100+ 0.18 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
DZT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 101745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
41+ 0.44 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 28
DZT2907A-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 1W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DZT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.11 EUR
12500+ 0.093 EUR
25000+ 0.091 EUR
62500+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DZT2907A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2907A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT2907A-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT2907A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2907A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT3150-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 25V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT3150-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 25V 5A
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT491-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT491-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 60V
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT491-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT491-13DIODES09+ BGA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DZT5401onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
DZT5401Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
DZT5401-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -150Vceo
auf Bestellung 4569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+ 0.55 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.25 EUR
2500+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DZT5401-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DZT5401-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 77252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
32+ 0.55 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
340+0.46 EUR
425+ 0.35 EUR
434+ 0.33 EUR
523+ 0.27 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 340
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+0.6 EUR
335+ 0.45 EUR
340+ 0.43 EUR
425+ 0.33 EUR
434+ 0.31 EUR
523+ 0.25 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 261
DZT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.22 EUR
5000+ 0.21 EUR
12500+ 0.19 EUR
62500+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DZT5401-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DZT5551onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
DZT5551DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT5551Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
DZT5551DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT5551-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT5551-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT223
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 351560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT5551-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT5551-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT223
Frequency: 300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT5551-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT5551-13
Produktcode: 131145		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
DZT5551-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
auf Bestellung 26048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+ 0.41 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.24 EUR
2500+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.18 EUR
5000+ 0.16 EUR
10000+ 0.14 EUR
15000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DZT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 350000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT5551Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT5551Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT5551Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT5551Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT5551Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor
auf Bestellung 4671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.82 EUR
10+ 0.7 EUR
100+ 0.48 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.31 EUR
2500+ 0.25 EUR
10000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
DZT5551Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT5551Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZT5551Q-13-52Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT591CDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
DZT591Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
DZT591C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -60V
Produkt ist nicht verfügbar
DZT591C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT591C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT591C-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
auf Bestellung 133877500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
auf Bestellung 125007500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
auf Bestellung 133877500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT651-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 1W
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT658Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
DZT658-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3
Produkt ist nicht verfügbar
DZT658-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT658-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+0.45 EUR
426+ 0.35 EUR
430+ 0.34 EUR
612+ 0.23 EUR
652+ 0.21 EUR
773+ 0.17 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 344
DZT658-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT658-13onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
DZT658-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
25+ 0.72 EUR
100+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 21
DZT658-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT658-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 1W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT751-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP 1W
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT-223
Produkt ist nicht verfügbar
DZT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT-223
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
27+ 0.67 EUR
100+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 23
DZT851-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT851-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT851-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT851-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 60V 6A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
10+ 0.81 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
DZT853-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 100V 6A
auf Bestellung 7330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DZT853-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT853-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT951-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5A SOT-223
Produkt ist nicht verfügbar
DZT951-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -60V -5A
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+ 0.93 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.45 EUR
2500+ 0.4 EUR
5000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
DZT951-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5A SOT-223
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
19+ 0.94 EUR
100+ 0.72 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
DZT953-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT953-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -100V -5A
Produkt ist nicht verfügbar
DZT953-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZT953-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT955-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP 1W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT955-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZT955-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA14PHILIPS
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DZTA42DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZTA42DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZTA42-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 94772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
27+ 0.67 EUR
100+ 0.5 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
DZTA42-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA42-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA42-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 92500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+ 0.26 EUR
12500+ 0.24 EUR
25000+ 0.23 EUR
62500+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
DZTA42-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA42-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 300V
auf Bestellung 11986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.78 EUR
10+ 0.66 EUR
100+ 0.49 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.3 EUR
2500+ 0.27 EUR
5000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
DZTA42Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA42Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+ 0.74 EUR
100+ 0.56 EUR
500+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
DZTA42Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 500MA SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA42Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA42Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA92-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZTA92-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.69 EUR
277+ 0.55 EUR
280+ 0.52 EUR
382+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 227
DZTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA92-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA92-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.59 EUR
295+ 0.51 EUR
355+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 264
DZTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DZTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
Produkt ist nicht verfügbar
DZTA92-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -300V
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)