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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FJD3076FAIRCHILDTO-252
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FJD3076FAIRCHILD07+ TO-252
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FJD3076TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 32V 2A DPAK
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FJD3076TMON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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FJD3076TMFairchild SemiconductorDescription: 2A, 32V, NPN
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FJD3305H1TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.1 W
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2500+0.5 EUR
5000+ 0.47 EUR
12500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FJD3305H1TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.1 W
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14+1.28 EUR
16+ 1.12 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FJD3305H1TMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 1100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FJD5304DTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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161+0.97 EUR
180+ 0.84 EUR
190+ 0.77 EUR
238+ 0.59 EUR
255+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 161
FJD5304DTFonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 30 W
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17+1.07 EUR
19+ 0.93 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
FJD5304DTFONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 1.25W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Collector current: 4A
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FJD5304DTFONSEMIDescription: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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FJD5304DTFonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 30 W
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2000+0.41 EUR
6000+ 0.39 EUR
10000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
FJD5304DTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FJD5304DTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FJD5304DTFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR
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2+1.72 EUR
10+ 1.52 EUR
100+ 1.16 EUR
500+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FJD5304DTFONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 1.25W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Collector current: 4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FJD5304DTFONSEMIDescription: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 8hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1164 Stücke:
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FJD5553onsemionsemi NPN/3A/400V DPAK
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FJD5553TMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FJD5553TMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FJD5553TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 3A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 400mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2483 Stücke:
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13+1.41 EUR
15+ 1.22 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FJD5553TMONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 3A; 1.25W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 10...60
Case: DPAK
Collector current: 3A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FJD5553TM
Produktcode: 187870		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
FJD5553TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 3A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 400mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
FJD5553TMonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans
auf Bestellung 12497 Stücke:
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2+1.42 EUR
10+ 1.23 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.61 EUR
2500+ 0.56 EUR
5000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FJD5553TMONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 3A; 1.25W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 10...60
Case: DPAK
Collector current: 3A
Mounting: SMD
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FJD5555TMonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans
auf Bestellung 685 Stücke:
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3+1.26 EUR
10+ 1.1 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.57 EUR
2500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FJD5555TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.34 W
auf Bestellung 7478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.39 EUR
15+ 1.21 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FJD5555TMONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 1.34W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Current gain: 10...40
Collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.34W
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
FJD5555TMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 5A 1340mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FJD5555TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.34 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.53 EUR
5000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FJD5555TMONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 1.34W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Current gain: 10...40
Collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.34W
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar