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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.31 EUR
30+ 8.24 EUR
120+ 7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.24 EUR
10+ 9.35 EUR
25+ 7.39 EUR
100+ 6.85 EUR
240+ 6.64 EUR
480+ 5.67 EUR
1200+ 5.54 EUR
IKZ50N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ50N65EH5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
93+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 93
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.87 EUR
10+ 8.29 EUR
25+ 7.83 EUR
100+ 6.71 EUR
240+ 5.28 EUR
480+ 5.16 EUR
1200+ 4.79 EUR
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 274
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ50N65NH5Infineon technologies
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IKZ50N65NH5XKSAInfineon TechnologiesDescription: IKZ50N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ50N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ50N65NH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKZ50N65NH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKZ50N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65EH5Infineon technologies
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IKZ75N65EH5Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.99 EUR
10+ 12.97 EUR
25+ 10.38 EUR
100+ 9.28 EUR
240+ 8.8 EUR
480+ 6.99 EUR
1200+ 6.69 EUR
IKZ75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 395
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
DC-Kollektorstrom: 90
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65EL5Infineon technologies
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.45 EUR
25+ 11.55 EUR
100+ 10.31 EUR
240+ 10.1 EUR
480+ 8.03 EUR
1200+ 7.64 EUR
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 536
Anzahl der Pins: 4
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/405ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.36 EUR
10+ 11.37 EUR
25+ 9.72 EUR
100+ 8.82 EUR
240+ 8.43 EUR
480+ 6.99 EUR
1200+ 6.69 EUR
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42
Verlustleistung Pd: 395
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
DC-Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65NH5Infineon technologies
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IKZ75N65NH5Infineon TechnologiesDescription: IKZ75N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
IKZ75N65NH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65NH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 395
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
DC-Kollektorstrom: 90
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 429 W
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 140A 429W
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IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
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IKZA100N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
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480+ 8.41 EUR
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IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 95A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/360ns
Switching Energy: 970µJ (on), 1.01mJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.46 EUR
30+ 10.75 EUR
120+ 9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesSP005578267
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IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
auf Bestellung 184 Stücke:
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2+14.56 EUR
30+ 11.61 EUR
120+ 10.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
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1+14.45 EUR
10+ 12.39 EUR
25+ 11.23 EUR
100+ 10.33 EUR
240+ 9.7 EUR
480+ 9.1 EUR
1200+ 8.18 EUR
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
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IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 397 Stücke:
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1+10.63 EUR
10+ 8.92 EUR
25+ 8.41 EUR
100+ 7.22 EUR
240+ 6.79 EUR
480+ 6.41 EUR
1200+ 5.49 EUR
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 49.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/134ns
Switching Energy: 370µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 210 W
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.54 EUR
10+ 8.85 EUR
240+ 6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKZA40N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 17 Stücke:
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2+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038198
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IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
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1+13.36 EUR
10+ 11.44 EUR
25+ 10.38 EUR
100+ 9.52 EUR
240+ 8.98 EUR
480+ 8.41 EUR
1200+ 7.57 EUR
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/333ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.42mJ (off)
Gate Charge: 372 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.77 EUR
30+ 11.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 398W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.89 EUR
10+ 12.76 EUR
25+ 11.58 EUR
100+ 10.65 EUR
240+ 10 EUR
480+ 9.38 EUR
1200+ 8.43 EUR
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.81 EUR
10+ 9.26 EUR
25+ 8.4 EUR
100+ 7.73 EUR
240+ 7.25 EUR
480+ 6.79 EUR
1200+ 6.12 EUR
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.88 EUR
10+ 9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKZA50N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
Produkt ist nicht verfügbar
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 200µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.28 EUR
30+ 9.81 EUR
120+ 8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKZA50N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038204
Produkt ist nicht verfügbar
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.18 EUR
10+ 10.63 EUR
25+ 9.33 EUR
100+ 8.17 EUR
240+ 8.15 EUR
480+ 6.9 EUR
1200+ 6.58 EUR
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesHybrid Cool SiC IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.84 EUR
10+ 14.96 EUR
25+ 13.5 EUR
100+ 11.72 EUR
240+ 10.45 EUR
2640+ 9.45 EUR
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+17.77 EUR
10+ 15.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/140ns
Switching Energy: 230µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.76 EUR
30+ 14.38 EUR
120+ 13.54 EUR
IKZA50N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns
Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 550 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.11 EUR
30+ 15.26 EUR
120+ 13.65 EUR
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 109A 549W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.99 EUR
10+ 16.26 EUR
25+ 14.77 EUR
100+ 13.57 EUR
240+ 12.74 EUR
480+ 11.95 EUR
1200+ 10.75 EUR
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
Produkt ist nicht verfügbar
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.68 EUR
10+ 11.74 EUR
25+ 10.65 EUR
100+ 9.77 EUR
240+ 9.19 EUR
480+ 8.61 EUR
1200+ 7.76 EUR
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns
Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 338 W
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.78 EUR
10+ 11.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.16 EUR
10+ 13.87 EUR
25+ 12.57 EUR
100+ 10.21 EUR
240+ 9.82 EUR
480+ 9.15 EUR
2640+ 8.75 EUR
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIKZA75N65RH5XKSA1
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIKZA75N65RH5XKSA1
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.35 EUR
10+ 18.77 EUR
25+ 17.17 EUR
50+ 15.4 EUR
100+ 13.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IKZA75N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.26 EUR
30+ 12.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIKZA75N65RH5XKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038216
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IKZA75N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
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IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038220
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IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
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