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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
MIE-114A1UNI
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MIE-134A1
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MIE-144A1UNI
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MIE-304A4
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MIE-324A4
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MIE-516L3U
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MIE-516L3U-
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MIE-516L3U-T
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MIE-543A2
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MIE-544A2
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Fuhllehren fur Tester M890 (MIE0100B)
Produktcode: 26799		LechpolWerkzeuge und Geräte > Werkzeug und Vorrichtungen: Zubehör
Тип: Fuhllehren, Klammer, Spannklaue, Clips
Опис: Fühllehren für Tester М890
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MIE114A1UNi
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MIE1300108+
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MIE13007-2
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MIE15032G
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MIE15033G
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MIE170
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MIE171
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MIE172
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MIE1W0505BGLVH-3R-PMonolithic Power Systems (MPS)Isolated DC/DC Converters - SMD Next gen ultra small size isolated power module
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2+2.57 EUR
5+ 2.53 EUR
10+ 2.5 EUR
25+ 2.43 EUR
50+ 2.36 EUR
100+ 2.27 EUR
250+ 2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MIE1W0505BGLVH-3R-ZMonolithic Power Systems Inc.Description: 5V, 1W, REGULATED, 2.5KVRMS ISOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerLFLGA
Size / Dimension: 0.20" L x 0.16" W x 0.05" H (5.0mm x 4.0mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Approval Agency: CB
Current - Output (Max): 200mA
Supplier Device Package: 12-LGA (4x5)
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output 1: 5V
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2.5 kV
Produkt ist nicht verfügbar
MIE1W0505BGLVH-3R-ZMonolithic Power Systems Inc.Description: 5V, 1W, REGULATED, 2.5KVRMS ISOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerLFLGA
Size / Dimension: 0.20" L x 0.16" W x 0.05" H (5.0mm x 4.0mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Approval Agency: CB
Current - Output (Max): 200mA
Supplier Device Package: 12-LGA (4x5)
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output 1: 5V
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2.5 kV
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6+3.48 EUR
10+ 3.13 EUR
25+ 2.95 EUR
100+ 2.52 EUR
250+ 2.36 EUR
500+ 2.07 EUR
1000+ 1.71 EUR
2500+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MIE20N03ASTR
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MIE544A2
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MIEB100W1200TEHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; MOSFET three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E3-Pack
Type of module: IGBT
Topology: MOSFET three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 128A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MIEB100W1200TEHIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
Current - Collector (Ic) (Max): 183 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.43 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
MIEB100W1200TEHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; MOSFET three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E3-Pack
Type of module: IGBT
Topology: MOSFET three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 128A
Produkt ist nicht verfügbar
MIEB100W1200TEHIXYSIGBT Modules Six Pack SPT IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
MIEB101H1200EHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 630W
Application: motors; photovoltaics
Topology: H-bridge
Power dissipation: 630W
Technology: Sonic FRD™; SPT+
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 128A
Produkt ist nicht verfügbar
MIEB101H1200EHIXYSIGBT Modules IGBT Module H Bridge
auf Bestellung 31 Stücke:
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1+224.68 EUR
MIEB101H1200EHLittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW 14-Pin Case E-3 Box
Produkt ist nicht verfügbar
MIEB101H1200EHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 630W
Application: motors; photovoltaics
Topology: H-bridge
Power dissipation: 630W
Technology: Sonic FRD™; SPT+
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 128A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MIEB101H1200EHIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 183 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.43 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
MIEB101W1200EHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E3-Pack
Application: motors; photovoltaics
Power dissipation: 630W
Type of module: IGBT
Technology: Sonic FRD™; SPT+
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 128A
Pulsed collector current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MIEB101W1200EHIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
Current - Collector (Ic) (Max): 183 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.43 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
MIEB101W1200EHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E3-Pack
Application: motors; photovoltaics
Power dissipation: 630W
Type of module: IGBT
Technology: Sonic FRD™; SPT+
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 128A
Pulsed collector current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
MIEB101W1200EHIXYSIGBT Modules Six-Pack SPT IGBT
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 556-560 Tag (e)
1+275.07 EUR
MIEB101W1200EHLittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW Box
Produkt ist nicht verfügbar
MIESTRO-1
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)