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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
MJF11U2DYA4-B90M
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MJF11U2GYA8-VB110E&E MagneticRJ45 Modular Jack
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MJF11U2YGA0-H301E&E MagneticMAGJACK- GREEN YELLOW
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MJF12207+
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MJF122onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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MJF122
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MJF122onsemiDarlington Transistors 5A 100V Bipolar
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MJF122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF122G
Produktcode: 160135		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJF122GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF122G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Wandlerpolarität: NPN
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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MJF122GonsemiDarlington Transistors 5A 100V Bipolar Power NPN
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2+1.57 EUR
10+ 1.3 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.7 EUR
2500+ 0.66 EUR
5000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJF122GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 2W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
MJF122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
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MJF122GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 2W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
5+ 14.3 EUR
23+ 3.1 EUR
63+ 1.13 EUR
MJF122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF122GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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MJF127onsemiDarlington Transistors 5A 100V Bipolar
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MJF127
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF127ON SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP
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MJF127GON SemiconductorТранзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = PNP; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; hFE = 2000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 10 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 20 мA, 5 А; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220FP
auf Bestellung 45 Stücke:
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5+1.56 EUR
10+ 1.34 EUR
100+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJF127GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF127G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 2 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJF127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 216 Stücke:
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77+2.03 EUR
94+ 1.6 EUR
120+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 77
MJF127GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.2 EUR
50+ 1.76 EUR
100+ 1.4 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 8
MJF127GONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: PNP
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.34 EUR
59+ 1.23 EUR
71+ 1.02 EUR
85+ 0.84 EUR
90+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 54
MJF127GONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: PNP
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
59+ 1.23 EUR
71+ 1.02 EUR
85+ 0.84 EUR
90+ 0.8 EUR
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MJF127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF127GON SEMICONDUCTORTRANS DARL PNP 5A 100V TO220FP (Fullpack)
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3+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MJF127GonsemiDarlington Transistors 5A 100V Bipolar Power PNP
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2+2.06 EUR
10+ 1.87 EUR
100+ 1.47 EUR
500+ 1.06 EUR
1200+ 0.83 EUR
2400+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJF127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 216 Stücke:
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94+1.66 EUR
120+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 94
MJF127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF13007
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MJF13S-KX06B3-0808-LFMorethanall Co. Ltd.MJF13S-KX06B3-0808-LF Розетка телефонная в плату
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MJF15030onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 36W NPN
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MJF15030onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 2 W
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MJF15030G
Produktcode: 102249		ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJF15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 36W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJF15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.48 EUR
80+ 1.88 EUR
105+ 1.39 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MJF15030GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.71 EUR
50+ 2.17 EUR
100+ 1.72 EUR
500+ 1.46 EUR
1000+ 1.19 EUR
2000+ 1.12 EUR
5000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MJF15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
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63+2.48 EUR
80+ 1.88 EUR
105+ 1.39 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MJF15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJF15030GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 2 W, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJF15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 36W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
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MJF15030GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 36W NPN
auf Bestellung 9710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+ 2.09 EUR
100+ 1.64 EUR
500+ 1.44 EUR
1000+ 1.11 EUR
2600+ 1.06 EUR
5200+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJF15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJF15031Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJF15031onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 36W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MJF15031
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF15031ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 150V 8A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
MJF15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
Produkt ist nicht verfügbar
MJF15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 36W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 36W
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
33+ 2.19 EUR
40+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30
MJF15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
Produkt ist nicht verfügbar
MJF15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 36W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 36W
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.43 EUR
33+ 2.19 EUR
40+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30
MJF15031GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.64 EUR
50+ 2.93 EUR
100+ 2.41 EUR
500+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJF15031G
Produktcode: 102250		ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MJF15031GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 36W PNP
auf Bestellung 6043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.63 EUR
10+ 2.83 EUR
100+ 2.32 EUR
250+ 2.25 EUR
500+ 1.97 EUR
1000+ 1.67 EUR
2600+ 1.62 EUR
MJF15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.82 EUR
46+ 3.28 EUR
50+ 3.12 EUR
100+ 2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 41
MJF15031GON-SemicoductorTranzystor: PNP ; bipolarny ; 150V ; 8A ; 36W ; TO220FP Trans GP BJT PNP 150V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP MJF15031G TMJF15031
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MJF16206
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF18002
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF18004onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
MJF18004ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 5A 450V 35W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJF18004
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF18004GONSEMIMJF18004G NPN THT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
MJF18004GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 280 mW, ISOWATT-220
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJF18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJF18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJF18004GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 35 W
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.08 EUR
50+ 2.47 EUR
100+ 2.03 EUR
500+ 1.72 EUR
1000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MJF18004GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 450V 35W NPN
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.15 EUR
10+ 2.92 EUR
100+ 2.34 EUR
500+ 1.94 EUR
700+ 1.48 EUR
2800+ 1.39 EUR
5600+ 1.34 EUR
MJF18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJF18006
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF18006G
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF18008ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 8A TO220-3FP
Produkt ist nicht verfügbar
MJF18008ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 8A 450V 45W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJF18008
auf Bestellung 9800 Stücke:
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MJF18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF18008GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 45W NPN
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1+4.49 EUR
10+ 3.63 EUR
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250+ 2.92 EUR
500+ 2.5 EUR
1000+ 1.99 EUR
2600+ 1.95 EUR
MJF18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF18008G
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MJF18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF18008GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 45 W
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4+5.46 EUR
10+ 4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MJF18009
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MJF2955Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PNP 90V 10A TO220FP
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MJF2955ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 90V 10A TO-220FP
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MJF2955ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 10A 90V 30W PNP
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MJF2955ONSEMIDescription: ONSEMI - MJF2955 - MJF2955, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MJF2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF2955GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 90V 30W PNP
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2+2.62 EUR
10+ 1.74 EUR
100+ 1.5 EUR
250+ 1.44 EUR
500+ 1.36 EUR
750+ 1.24 EUR
3000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJF2955GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 90V; 10A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 90V
Current gain: 5...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 30W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJF2955GonsemiDescription: TRANS PNP 90V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 721 Stücke:
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7+2.6 EUR
50+ 2.08 EUR
100+ 1.72 EUR
500+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MJF2955G
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MJF2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF2955GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 90V; 10A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 90V
Current gain: 5...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 30W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220FP
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MJF305+5
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF3055onsemiDescription: TRANS NPN 90V 10A TO220FP
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MJF3055ONSEMIDescription: ONSEMI - MJF3055 - MJF3055, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MJF3055
auf Bestellung 2300 Stücke:
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MJF3055onsemiDescription: TRANS NPN 90V 10A TO220FP
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995+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 995
MJF3055onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 90V 30W NPN
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MJF3055G
auf Bestellung 200 Stücke:
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MJF3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF3055GonsemiDescription: TRANS NPN 90V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.96 EUR
50+ 2.38 EUR
100+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MJF3055GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 90V 30W NPN
auf Bestellung 107 Stücke:
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2+2.69 EUR
10+ 2.31 EUR
100+ 1.9 EUR
500+ 1.57 EUR
750+ 1.24 EUR
3000+ 1.18 EUR
5250+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJF3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF31CON SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-220FP
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MJF31C
auf Bestellung 2080 Stücke:
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MJF31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
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MJF31CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 30W NPN
auf Bestellung 623 Stücke:
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2+2.04 EUR
10+ 1.83 EUR
100+ 1.41 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.87 EUR
5000+ 0.83 EUR
10000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJF31CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJF31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2 W, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJF31CG
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 3979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
50+ 1.64 EUR
100+ 1.3 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 0.9 EUR
2000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9
MJF32ConsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJF32ConsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 30W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MJF32C
auf Bestellung 28700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
Produkt ist nicht verfügbar
MJF32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
Produkt ist nicht verfügbar
MJF32CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 30W PNP
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+ 1.54 EUR
100+ 1.22 EUR
500+ 0.84 EUR
1200+ 0.79 EUR
2400+ 0.76 EUR
6000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJF32CGON Semiconductor
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
Produkt ist nicht verfügbar
MJF32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 3759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
50+ 1.55 EUR
100+ 1.23 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.85 EUR
2000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MJF340TFSamsung
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF4343
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF44H11
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF44H11onsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJF44H11onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJF44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.62 EUR
100+ 1.97 EUR
500+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 60
MJF44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.19 EUR
50+ 2.56 EUR
100+ 2.1 EUR
500+ 1.78 EUR
1000+ 1.51 EUR
2000+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MJF44H11G
Produktcode: 169245		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJF44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJF44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
auf Bestellung 11616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.22 EUR
10+ 2.6 EUR
100+ 2.15 EUR
500+ 1.81 EUR
1000+ 1.45 EUR
2600+ 1.4 EUR
5200+ 1.38 EUR
MJF44H11GON-SemicoductorNPN 10A 80V 2W MJF44H11G TMJF44h11g
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 25
MJF44H11GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
MJF44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.77 EUR
100+ 2.09 EUR
500+ 1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 57
MJF44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJF44H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJF44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJF44H11GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MJF45H11onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MJF45H11
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF45H11onsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
MJF45H11GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.16 EUR
37+ 1.97 EUR
42+ 1.73 EUR
48+ 1.5 EUR
51+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 34
MJF45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJF45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.64 EUR
50+ 2.12 EUR
100+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MJF45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJF45H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJF45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
900+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 900
MJF45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
auf Bestellung 13209 Stücke:
Lieferzeit 108-112 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+ 2.04 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.37 EUR
700+ 1.08 EUR
5600+ 1.03 EUR
10500+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJF45H11GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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34+2.16 EUR
37+ 1.97 EUR
42+ 1.73 EUR
48+ 1.5 EUR
51+ 1.42 EUR
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MJF45H11G
Produktcode: 169243		Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJF45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF47
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MJF47ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 250V 1A TO220FP
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MJF47GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 250V 28W NPN
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2+2.31 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.6 EUR
500+ 1.37 EUR
850+ 1.05 EUR
2550+ 0.9 EUR
10200+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJF47GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 250V 1A TO220FP
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7+2.57 EUR
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MJF6107
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MJF6388onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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MJF6388
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MJF6388onsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar
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MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF6388GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 40W; TO220FP
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...15000
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF6388GonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar Power NPN
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500+ 1.74 EUR
1000+ 1.45 EUR
2600+ 1.4 EUR
MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 21 Stücke:
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MJF6388GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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6+3.2 EUR
50+ 2.57 EUR
100+ 2.11 EUR
500+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MJF6388GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 40W; TO220FP
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...15000
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Case: TO220FP
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MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF6388GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF6388G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 40 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJF6668onsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar
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MJF6668ON SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP
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MJF6668
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MJF6668G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJF6668GRochester Electronics, LLCDescription: TRANS PNP 100V 10A TO220FP
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MJF6668GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJF6668GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF6668G - MJF6668G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJF6668GonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar Power PNP
Produkt ist nicht verfügbar
MJF6668GON SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP
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MJFR0447
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJFR0533E&E MagneticMIC-BELFUSE SI-4016F ALTERNATIVE
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