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PXN010-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PXN010-30QLJ

Trans MOSFET N-CH 30V 10.3A 8-Pin MLPAK33 EP T/R

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PXN010-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN010-30QLJ

MOSFET PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 10956 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.8 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.26 EUR
9000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PXN010-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V

auf Bestellung 11803 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.81 EUR
26+	0.69 EUR
28+	0.64 EUR
100+	0.52 EUR
250+	0.48 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 22

PXN010-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN011-100QLJ

Description: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN011-100QLJ

Description: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN011-100QSJ

Description: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2869 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN011-100QSJ

Nexperia USA Inc.

Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PXN011-100QSJ

Description: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2869 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN011-100QSJ

Nexperia USA Inc.

Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V

auf Bestellung 5995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.97 EUR
21+	0.84 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 19

PXN012-100QLJ

Description: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN012-100QLJ

Description: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN012-100QSJ

Nexperia USA Inc.

Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V

auf Bestellung 5790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1 EUR
21+	0.86 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 18

PXN012-100QSJ

Description: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN012-100QSJ

Nexperia USA Inc.

Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PXN012-100QSJ

Description: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN012-60QLJ

Trans MOSFET N-CH 60V 42A T/R

auf Bestellung 242 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN012-60QLJ

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN012-60QLJ

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

212+	0.74 EUR
245+	0.62 EUR
327+	0.44 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 212

PXN012-60QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V

auf Bestellung 36584 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR
23+	0.78 EUR
25+	0.73 EUR
100+	0.59 EUR
250+	0.54 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 20

PXN012-60QLJ

MOSFET PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 48875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.82 EUR
10+	0.67 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.27 EUR
9000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PXN012-60QLJ

Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm

auf Bestellung 2862 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN012-60QLJ

Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

264+	0.59 EUR
352+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 264

PXN012-60QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR
15000+	0.28 EUR
30000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PXN012-60QLJ

Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm

auf Bestellung 2862 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN017-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V

auf Bestellung 4245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.77 EUR
27+	0.66 EUR
29+	0.62 EUR
100+	0.49 EUR
250+	0.46 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 23

PXN017-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2155 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN017-30QLJ

Trans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PXN017-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PXN017-30QLJ

MOSFET PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 9308 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.78 EUR
10+	0.67 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.28 EUR
6000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PXN017-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 655 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN018-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PXN018-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm

auf Bestellung 1510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN018-30QLJ

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin MLPAK33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PXN018-30QLJ

MOSFET PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 2625 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.76 EUR
10+	0.66 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.27 EUR
6000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PXN018-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V

auf Bestellung 342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.84 EUR
25+	0.72 EUR
27+	0.68 EUR
100+	0.54 EUR
250+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 21

PXN018-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm

auf Bestellung 1510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN020-100QSJ

Nexperia USA Inc.

Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Power Dissipation (Max): 37W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PXN020-100QSJ

Description: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN020-100QSJ

Nexperia USA Inc.

Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Power Dissipation (Max): 37W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V

auf Bestellung 4888 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
30+	0.59 EUR
100+	0.41 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 25

PXN020-100QSJ

Description: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN028-100QLJ

Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN028-100QLJ

Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN040-100QSJ

Nexperia USA Inc.

Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Power Dissipation (Max): 21W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V

auf Bestellung 5693 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.58 EUR
39+	0.46 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 31

PXN040-100QSJ

Description: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN040-100QSJ

Nexperia USA Inc.

Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Power Dissipation (Max): 21W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PXN040-100QSJ

Description: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN210002-01E

Lantronix, Inc.

Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485

Produkt ist nicht verfügbar

PXN210002-01E

Serial to Ethernet/Serial to Wi-Fi Server IEEE 802.11 a/b/g/n 10Mbps/100Mbps

Produkt ist nicht verfügbar

PXN210002-01J

Lantronix, Inc.

Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485

Produkt ist nicht verfügbar

PXN210002-01U

Networking Modules PremierWaveXN 802.11 Device Server US

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

PXN210002-01U

Lantronix, Inc.

Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485

Produkt ist nicht verfügbar

PXN4R7-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

auf Bestellung 18609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.13 EUR
19+	0.97 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 16

PXN4R7-30QLJ

Trans MOSFET N-CH 30V 15A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PXN4R7-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.43 EUR
6000+	0.4 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PXN4R7-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0039 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 342 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN4R7-30QLJ

MOSFET PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 5496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.1 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.42 EUR
6000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3

PXN4R7-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0039 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 342 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN4R8-30QLJ

MOSFET PXN4R8-30QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.62 EUR
10+	1.07 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

PXN5R4-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm

auf Bestellung 1858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN5R4-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

auf Bestellung 34889 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
27+	0.65 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 24

PXN5R4-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PXN5R4-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm

auf Bestellung 1858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN5R4-30QLJ

MOSFET PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 5090 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.02 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3

PXN5R4-30QLJ

Trans MOSFET N-CH 30V 14A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PXN5R5-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 0.0054 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN5R5-30QLJ

MOSFET PXN5R5-30QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	0.9 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3

PXN5R5-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 0.0054 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN6R2-25QLJ

Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 0.0053 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm

auf Bestellung 389 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN6R2-25QLJ

MOSFET PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 3757 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.09 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.39 EUR
6000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3

PXN6R2-25QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PXN6R2-25QLJ

Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 0.0053 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm

auf Bestellung 389 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN6R2-25QLJ

Trans MOSFET N-CH 25V 13.1A 8-Pin MLPAK33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

PXN6R2-25QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V

auf Bestellung 4979 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.95 EUR
21+	0.84 EUR
25+	0.79 EUR
100+	0.64 EUR
250+	0.6 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 19

PXN6R7-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

auf Bestellung 121 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.14 EUR
18+	0.99 EUR
25+	0.92 EUR
100+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 16

PXN6R7-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN6R7-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PXN6R7-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN6R7-30QLJ

MOSFET PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 1521 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.05 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.35 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3

PXN7R7-25QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V

auf Bestellung 5937 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.95 EUR
22+	0.82 EUR
25+	0.76 EUR
100+	0.61 EUR
250+	0.57 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 19

PXN7R7-25QLJ

MOSFET PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 2682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.93 EUR
10+	0.81 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.37 EUR
3000+	0.33 EUR
6000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PXN7R7-25QLJ

Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN7R7-25QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

PXN7R7-25QLJ

Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN8R3-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2902 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

PXN8R3-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

auf Bestellung 1004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.9 EUR
23+	0.78 EUR
25+	0.73 EUR
100+	0.58 EUR
250+	0.54 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 20

PXN8R3-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2902 Stücke:

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PXN8R3-30QLJ

MOSFET PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33

auf Bestellung 1648 Stücke:

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4+	0.88 EUR
10+	0.77 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.32 EUR
9000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PXN8R3-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

PXN9R0-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V

auf Bestellung 5681 Stücke:

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20+	0.88 EUR
24+	0.74 EUR
26+	0.69 EUR
100+	0.55 EUR
250+	0.51 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 20

PXN9R0-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1825 Stücke:

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PXN9R0-30QLJ

MOSFET PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33

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4+	0.87 EUR
10+	0.69 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4

PXN9R0-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V

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3000+	0.31 EUR

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PXN9R0-30QLJ

Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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