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WeEn Semiconductors WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

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WNS20H100C

Dual power Schottky diode

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WNS20H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

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WNS20H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

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WNS20H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

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WNS20H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 198
Durchlassspannung Vf max.: 750
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 198
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

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WNS20H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 10Ax2; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 180A
Max. forward voltage: 0.7V

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127+	0.56 EUR
144+	0.5 EUR
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WNS20H100CBJ

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WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

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WNS20H100CBJ

WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

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WNS20H100CBJ

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WNS20H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Max. forward voltage: 0.7V

auf Bestellung 468 Stücke:

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76+	0.94 EUR
143+	0.5 EUR
162+	0.44 EUR
178+	0.4 EUR
188+	0.38 EUR
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WNS20H100CQ

WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

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WNS20H100CQ

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WNS20H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK,

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WNS20H100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1232 Stücke:

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WNS20H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

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WNS20S100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1013 Stücke:

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WNS20S100CBJ

Dual Power Schottky Diode

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WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 7054 Stücke:

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15+	1.18 EUR
18+	1.03 EUR
100+	0.71 EUR

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WNS20S100CBJ

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180+	0.4 EUR

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WNS20S100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

auf Bestellung 1411 Stücke:

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3+	1.2 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.65 EUR
800+	0.48 EUR
2400+	0.45 EUR
4800+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

WNS20S100CBJ

auf Bestellung 1013 Stücke:

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WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 6400 Stücke:

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800+	0.59 EUR
1600+	0.51 EUR
2400+	0.45 EUR
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WNS20S100CBJ

auf Bestellung 236 Stücke:

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103+	0.7 EUR
131+	0.55 EUR
170+	0.42 EUR
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WNS20S100CQ

auf Bestellung 465 Stücke:

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113+	0.63 EUR
143+	0.5 EUR
180+	0.4 EUR
191+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 113

WNS20S100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 4448 Stücke:

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WNS20S100CQ

Dual Power Schottky Diode

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WNS20S100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 4911 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.16 EUR
50+	0.95 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 16

WNS20S100CQ

auf Bestellung 465 Stücke:

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113+	0.63 EUR
143+	0.5 EUR
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WNS20S100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK,

auf Bestellung 3858 Stücke:

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3+	1.16 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.44 EUR
5000+	0.42 EUR

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WNS20S100CXQ

WNS20S100CX/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNS20S100CXQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

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WNS20S100CXQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220FP; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 0.95V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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WNS20S100CXQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

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WNS20S100CXQ

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WNS30H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

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WNS30H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

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WNS30H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 131-135 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.47 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.97 EUR
800+	0.79 EUR
2400+	0.74 EUR
4800+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 5622 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.81 EUR
12+	1.48 EUR
100+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

WNS30H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 15Ax2; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 100V
Case: D2PAK
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 330A
Load current: 15A x2

auf Bestellung 338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	1.07 EUR
80+	0.9 EUR
91+	0.79 EUR
111+	0.65 EUR
117+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 67

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	0.98 EUR
1600+	0.8 EUR
2400+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 800

WNS30H100CBJ

auf Bestellung 338 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

67+	1.07 EUR
80+	0.9 EUR
91+	0.79 EUR
111+	0.65 EUR
117+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 67

WNS30H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO220AB; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 100V
Case: TO220AB
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 330A
Load current: 15A x2

auf Bestellung 501 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	1 EUR
88+	0.82 EUR
100+	0.72 EUR
122+	0.59 EUR
129+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 72

WNS30H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 12668 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.74 EUR
50+	1.41 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.77 EUR
2000+	0.72 EUR
5000+	0.69 EUR
10000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 11

WNS30H100CQ

auf Bestellung 501 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

72+	1 EUR
88+	0.82 EUR
100+	0.72 EUR
122+	0.59 EUR
129+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 72

WNS30H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

auf Bestellung 7504 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.74 EUR
10+	1.4 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.76 EUR
2000+	0.72 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

WNS32702

auf Bestellung 481 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

WNS40100CQ
Produktcode: 195265

Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden

Produkt ist nicht verfügbar

WNS40100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40100C/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 3155 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.34 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.63 EUR
5000+	0.49 EUR
10000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

WNS40100CQ

Description: POWER SCHOTTKY DIODES
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 14995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.95 EUR
11+	1.6 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.86 EUR
2000+	0.81 EUR
5000+	0.77 EUR
10000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 10

WNS40100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 330A
Max. forward voltage: 0.64V

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.94 EUR
96+	0.75 EUR
106+	0.67 EUR
115+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 76

WNS40100CQ

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.94 EUR
96+	0.75 EUR
106+	0.67 EUR
115+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 76

WNS40H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

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WNS40H100C

WeEn Semiconductors WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

Produkt ist nicht verfügbar

WNS40H100C,127

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

WNS40H100C,127

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100C/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNS40H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

Produkt ist nicht verfügbar

WNS40H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

Produkt ist nicht verfügbar

WNS40H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

auf Bestellung 7333 Stücke:

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2+	2.59 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.5 EUR
800+	1.1 EUR
2400+	1.06 EUR
4800+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2

WNS40H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 20Ax2; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 380A
Max. forward voltage: 0.68V

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	1.14 EUR
70+	1.03 EUR
96+	0.75 EUR
102+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 63

WNS40H100CBJ

WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

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WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 418
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 912 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNS40H100CBJ

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

63+	1.14 EUR
70+	1.03 EUR
96+	0.75 EUR
102+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 63

WNS40H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.04 EUR
1600+	0.99 EUR
2400+	0.94 EUR
4800+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 800

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 5652 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.57 EUR
10+	2.1 EUR
100+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 7

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 5600 Stücke:

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800+	1.38 EUR
1600+	1.13 EUR
2400+	1.06 EUR
5600+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 800

WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 912 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNS40H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.04 EUR
1600+	0.99 EUR
2400+	0.94 EUR
4800+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 800

WNS40H100CGQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

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WNS40H100CGQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

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WNS40H100CGQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; I2PAK; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: I2PAK
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 380A
Max. forward voltage: 0.68V

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WNS40H100CGQ

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WNS40H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK,

auf Bestellung 2157 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.52 EUR
10+	2.06 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.11 EUR
2000+	1.04 EUR
5000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2

WNS40H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 380A
Max. forward voltage: 0.68V

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	1.29 EUR
62+	1.16 EUR
85+	0.84 EUR
90+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 56

WNS40H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 380A
Max. forward voltage: 0.68V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

56+	1.29 EUR
62+	1.16 EUR
85+	0.84 EUR
90+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 56

WNS40H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

auf Bestellung 2868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.5 EUR
50+	2.01 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.1 EUR
2000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 8

WNSC010203

Data Center Operation Floor Layout Creation

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WNSC010210

Data Center Operation Labeling Service

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WNSC010212

Data Center Operation Installation

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC010213

Data Center Operation Additional Module Installation

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC010214

Data Center Operation IT Optimize or Power Control Configuration

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC010215

Data Center Expert Standard Support Software Contract

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC010216

StruxureWare Portal Configuration

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WNSC010402

Data Center Capacity Post Configuration Review

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WNSC0112

IT 5 Rack Management Solution

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WNSC0112

Racks & Rack Cabinets IT 5 Rack Management Solution

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WNSC021200Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Max. load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 26A
Max. forward voltage: 1.4V

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WNSC021200Q

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WNSC021200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

WNSC021200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC021200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 10 nC, TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 10
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220AC
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

auf Bestellung 860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC021200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC021200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2128 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.63 EUR
10+	3.26 EUR
100+	3.19 EUR
1000+	2.71 EUR
2000+	2.59 EUR
5000+	1.92 EUR

WNSC04650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

auf Bestellung 2862 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.59 EUR
10+	3.2 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.75 EUR
3000+	1.65 EUR

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 1930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.73 EUR
10+	3.35 EUR
100+	2.69 EUR
500+	2.21 EUR
1000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 5

WNSC04650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A

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WNSC04650T6J

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WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC051200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC051200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 13 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 523 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC051200Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Max. load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Max. forward voltage: 1.4V

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WNSC051200Q

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WNSC051200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.75 EUR
10+	8.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN

auf Bestellung 2942 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.07 EUR
10+	4.55 EUR
100+	3.66 EUR
500+	3.01 EUR
1000+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 4

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC06650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

auf Bestellung 2763 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.56 EUR
10+	3.8 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.31 EUR
3000+	2.15 EUR

WNSC06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC06650T6J

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WNSC08650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

auf Bestellung 2925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.37 EUR
10+	4.82 EUR
100+	3.94 EUR
500+	3.36 EUR
1000+	2.83 EUR
3000+	2.71 EUR

WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 2876 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.56 EUR
10+	5.01 EUR
100+	4.1 EUR
500+	3.49 EUR
1000+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4

WNSC08650T6J

WNSC08650T6J SMD Schottky diodes

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WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

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WNSC101200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Max. forward voltage: 1.6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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WNSC101200CWQ

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WNSC101200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 12 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC101200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC101200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC101200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.79 EUR
10+	10.6 EUR
100+	9.47 EUR
1000+	9.19 EUR

WNSC101200Q

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC101200Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC101200Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.4V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC101200Q

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WNSC101200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

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WNSC101200WQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

WNSC101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 594 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC101200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.4V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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WNSC101200WQ

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WNSC10650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A

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WNSC10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

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WNSC10650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

auf Bestellung 2926 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.09 EUR
10+	5.46 EUR
100+	4.47 EUR
500+	3.8 EUR
1000+	3.2 EUR
3000+	3.08 EUR

WNSC10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

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WNSC10650T6J

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WNSC10650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 1186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.16 EUR
10+	4.63 EUR
100+	3.78 EUR
600+	3.22 EUR
1200+	2.71 EUR
5400+	2.69 EUR

WNSC10650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1200 Stücke

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WNSC10650WQ

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WNSC10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

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WNSC12650T6J

WNSC12650T6J SMD Schottky diodes

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WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN

auf Bestellung 3000 Stücke:

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WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	3.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

WNSC12650TJ

Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R

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WNSC12650TJ

Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R

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WNSC12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC12650WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

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WNSC12650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 72A

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WNSC12650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 1181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.72 EUR
10+	6.02 EUR
100+	4.95 EUR
600+	4.21 EUR
1200+	3.56 EUR
3000+	3.41 EUR
5400+	3.4 EUR

WNSC12650WQ

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WNSC12650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2

auf Bestellung 1197 Stücke:

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3+	6.76 EUR
10+	6.08 EUR
100+	4.98 EUR
500+	4.24 EUR
1000+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3

WNSC12650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 508 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC14

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Optimization Services

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WNSC16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 48A
Anzahl je Verpackung: 480 Stücke

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WNSC16650CWQ

Description: DIODE ARR SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

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WNSC16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 19 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC16650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.75 EUR
10+	7.85 EUR
100+	6.42 EUR
480+	5.72 EUR
1200+	5.21 EUR
2640+	5.12 EUR

WNSC16650CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

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WNSC16650CWQ

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WNSC201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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WNSC201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.22 EUR
10+	17.35 EUR
100+	17.16 EUR
480+	14.26 EUR
1200+	13.32 EUR
2640+	13.11 EUR

WNSC201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Max. load current: 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 110A
Load current: 10A x2

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WNSC201200CWQ

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WNSC201200CWQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

auf Bestellung 476 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

WNSC201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Max. load current: 40A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 220A
Load current: 20A

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WNSC201200WQ

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WNSC201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V

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WNSC201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 576 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC201200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

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WNSC201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 1144 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.22 EUR
10+	17.35 EUR
100+	16.33 EUR
3000+	12.74 EUR

WNSC208006Q

WNSC20800/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D0212006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D0212006Q

WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D021200D6J

Description: WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200

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WNSC2D021200D6J

WNSC2D021200D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D021200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 9263 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.71 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 7

WNSC2D03650MBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.22 EUR
6000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

WNSC2D03650MBJ

WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D04650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 5062 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.09 EUR
11+	1.71 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 9

WNSC2D04650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A T/R

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WNSC2D04650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.86 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

WNSC2D04650DJ

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WNSC2D04650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
50+	1.81 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.99 EUR
2000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 8

WNSC2D04650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 2.2V

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D04650Q

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WNSC2D04650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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2+	2.24 EUR
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WNSC2D04650TJ

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WNSC2D04650TJ

Diode Schottky SiC 650V 4A 5-Pin DFN T/R

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WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 10530 Stücke:

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8+	2.43 EUR
10+	1.98 EUR
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WNSC2D04650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

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WNSC2D04650TJ

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WNSC2D04650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 20A

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WNSC2D04650XQ

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WNSC2D04650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

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50+	1.81 EUR
100+	1.43 EUR
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WNSC2D04650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D0512006Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

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WNSC2D0512006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D0512006Q

Silicon Carbide Diode

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WNSC2D051200D6J

Description: WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200

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WNSC2D051200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D051200D6J

Silicon Carbide Diode

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WNSC2D051400D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051400D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D06650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DPAK; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 36A
Load current: 6A

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WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

auf Bestellung 7201 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.8 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 7

WNSC2D06650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D06650DJ

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WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.26 EUR
5000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

WNSC2D06650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A T/R

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WNSC2D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 2976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC2D06650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.99 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.42 EUR
2000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 6

WNSC2D06650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.97 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.41 EUR
2000+	1.34 EUR
5000+	1.3 EUR

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

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WNSC2D06650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D06650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 36A
Load current: 6A

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WNSC2D06650TJ

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WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

auf Bestellung 1974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.2 EUR
10+	2.65 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.79 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 6

WNSC2D06650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D06650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 30A
Load current: 6A

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WNSC2D06650XQ

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WNSC2D06650XQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A Tube

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WNSC2D06650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

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WNSC2D08650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; DPAK; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 48A
Load current: 8A
Anzahl je Verpackung: 7500 Stücke

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WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

WNSC2D08650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

auf Bestellung 7478 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
10+	2.06 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 8

WNSC2D08650DJ

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WNSC2D08650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.92 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.6 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	1.85 EUR
2000+	1.76 EUR
5000+	1.71 EUR

WNSC2D08650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.96 EUR
50+	3.18 EUR
100+	2.61 EUR
500+	2.21 EUR
1000+	1.88 EUR
2000+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 5

WNSC2D08650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; DFN8x8N; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 48A
Load current: 8A

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D08650TJ

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D08650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D1012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D1012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D101200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D101200BT26J

WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D101200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

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WNSC2D101200D6J

Description: WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

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WNSC2D101200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D101200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D101200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

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WNSC2D101200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.88V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 72A
Load current: 10A

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WNSC2D101200WQ

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WNSC2D101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

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WNSC2D101200WQ

auf Bestellung 2333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.52 EUR
10+	6.31 EUR
100+	5.11 EUR
500+	4.54 EUR
1000+	3.89 EUR
2000+	3.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3

WNSC2D101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 25
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 553 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC2D101200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 570 Stücke:

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1+	7.59 EUR
10+	6.56 EUR
100+	5.33 EUR
250+	5.19 EUR
600+	4.65 EUR
1200+	4 EUR
3000+	3.85 EUR

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.66 EUR
1600+	2.26 EUR
2400+	2.15 EUR
5600+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 800

WNSC2D10650BJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

auf Bestellung 4795 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.73 EUR
10+	3.92 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.66 EUR
800+	2.24 EUR
2400+	2.13 EUR
4800+	2.06 EUR

WNSC2D10650BJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; D2PAK; reel,tape
Technology: SiC
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 10A

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WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 8783 Stücke:

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4+	4.77 EUR
10+	3.95 EUR
100+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4

WNSC2D10650BJ

WNSC2D10650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D10650BJ

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WNSC2D10650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D10650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; DPAK; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 10A

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WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

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2500+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

WNSC2D10650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A T/R

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WNSC2D10650DJ

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WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 7460 Stücke:

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6+	3.12 EUR
10+	2.58 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.85 EUR

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WNSC2D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 2896 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC2D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 2995 Stücke:

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4+	4.77 EUR
10+	3.95 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.66 EUR
1000+	2.26 EUR
2000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4

WNSC2D10650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.73 EUR
10+	3.92 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.66 EUR
1000+	2.24 EUR
2000+	2.13 EUR
5000+	2.06 EUR

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

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WNSC2D10650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; DFN8x8N; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 10A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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WNSC2D10650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.42 EUR
10+	3.7 EUR
100+	3 EUR
500+	2.66 EUR

Mindestbestellmenge: 4

WNSC2D10650TJ

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WNSC2D10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 1151 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.42 EUR
10+	3.7 EUR
100+	3 EUR
500+	2.66 EUR
1000+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4

WNSC2D10650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.38 EUR
10+	3.68 EUR
100+	2.97 EUR
250+	2.82 EUR
600+	2.66 EUR
1200+	2.25 EUR
3000+	2.13 EUR

WNSC2D10650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D10650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 10A

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WNSC2D10650XQ

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WNSC2D10650XQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

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WNSC2D12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.6 EUR
10+	4.7 EUR
100+	3.8 EUR
500+	3.38 EUR
1000+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D151200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D151200BT26J

WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D151200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D151200W6Q

Description: WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

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WNSC2D151200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.95V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 102A
Load current: 15A

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D151200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

auf Bestellung 4589 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.01 EUR
10+	8.59 EUR
100+	7.16 EUR
500+	6.32 EUR
1000+	5.68 EUR
2000+	5.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2

WNSC2D151200WQ

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WNSC2D151200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.07 EUR
10+	8.47 EUR
100+	6.86 EUR
250+	6.46 EUR
600+	6.09 EUR
1200+	5.21 EUR
3000+	4.91 EUR

WNSC2D151200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D151200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 35 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 35
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 596 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC2D16650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2396 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.34 EUR
10+	6.35 EUR
100+	5.17 EUR
250+	5.03 EUR
480+	4.49 EUR
960+	3.85 EUR
2880+	3.75 EUR

WNSC2D16650CJQ

Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

auf Bestellung 2369 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.29 EUR
10+	6.11 EUR
100+	4.94 EUR
500+	4.39 EUR
1000+	3.76 EUR
2000+	3.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3

WNSC2D16650CWQ

Description: DIODE ARR SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

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WNSC2D16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 16A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 48A
Load current: 8A x2

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WNSC2D16650CWQ

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WNSC2D16650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 484 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.69 EUR
10+	5.63 EUR
100+	4.56 EUR
240+	4.29 EUR
480+	4.14 EUR
1200+	3.71 EUR
2640+	3.61 EUR

WNSC2D2012006Q

Description: WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V

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WNSC2D2012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D201200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D201200BT26J

WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2D201200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

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WNSC2D201200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

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WNSC2D201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

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WNSC2D201200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

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WNSC2D201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 72A
Load current: 10A x2

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WNSC2D201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 72A
Load current: 10A x2
Anzahl je Verpackung: 480 Stücke

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WNSC2D201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 25
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC2D201200W-B6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W-B/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D201200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D201200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

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WNSC2D201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 125A
Load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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WNSC2D201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 39nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 596 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC2D201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

auf Bestellung 2248 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.52 EUR
10+	11.58 EUR
100+	9.65 EUR
600+	8.51 EUR
1200+	7.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

WNSC2D201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 125A
Load current: 20A

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WNSC2D20650CJQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Technology: SiC
Case: SOT1293; TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 10A x2

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WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

WNSC2D20650CJQ

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WNSC2D20650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.76 EUR
10+	7.37 EUR
100+	5.97 EUR
250+	5.65 EUR
480+	4.91 EUR
960+	4.7 EUR
2880+	4.56 EUR

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

480+	5.33 EUR
960+	4.56 EUR
2400+	4.29 EUR

Mindestbestellmenge: 480

WNSC2D20650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 10A x2

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WNSC2D20650CWQ

Description: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 475 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.29 EUR
30+	6.57 EUR
120+	5.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3

WNSC2D20650CWQ

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WNSC2D20650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 1431 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.34 EUR
10+	7.23 EUR
100+	5.9 EUR
240+	5.7 EUR
480+	4.96 EUR
1200+	4.59 EUR
5040+	4.45 EUR

WNSC2D20650CWQ

WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2D301200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

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WNSC2D301200CWQ

Description: DUAL SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI

auf Bestellung 596 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.15 EUR
10+	16.39 EUR
100+	13.57 EUR
500+	11.81 EUR

WNSC2D301200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 102A
Load current: 15A x2

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WNSC2D301200CWQ

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WNSC2D301200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D301200W6Q

Silicon Carbide Diode

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WNSC2D301200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D301200W6Q

Description: WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1.2 kV

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WNSC2D30650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D30650CWQ

Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 2697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.09 EUR
30+	8.85 EUR
120+	7.92 EUR
510+	6.99 EUR
1020+	6.29 EUR
2010+	5.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2

WNSC2D30650WQ

Description: SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

auf Bestellung 1025 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.58 EUR
30+	8.44 EUR
120+	7.55 EUR
510+	6.67 EUR
1020+	6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

WNSC2D30650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D30650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 548 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC2D30650WQ

WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D401200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2000 V

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D401200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 125A
Load current: 20A x2

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D401200CWQ

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D401200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 80A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 350A
Load current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D401200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D401200W6Q

Description: WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2068pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D401200W6Q

WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D401200W6Q

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D501200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 100A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 420A
Load current: 50A

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WNSC2D501200W6Q

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2D501200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2M12120R6Q

WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M12120R6Q

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M150120B76J

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M150120B76J

WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Produkt ist nicht verfügbar

WNSC2M150120R6Q

WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M150120R6Q

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M150120W6Q

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M150120W6Q

WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M1K0170B7J

WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M1K0170B7J

MOSFET WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M1K0170WQ

WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 3840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC2M1K0170WQ

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 20A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 79W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke

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WNSC2M1K0170WQ

MOSFET WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M1K0170WQ

Description: WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 1000 V

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WNSC2M1K0170WQ

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WNSC2M20120B76J

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M20120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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WNSC2M20120R6Q

WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M20120R6Q

MOSFET WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M20120R6Q

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WNSC2M30120B76J

WNSC2M30120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M30120R6Q

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M30120R6Q

WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M40120B76J

WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M40120B76J

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M40120R6Q

WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M40120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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WNSC2M40120R6Q

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WNSC2M40120R6Q

MOSFET WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M40120W6Q

MOSFET WNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC2M60120B76J

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M60120B76J

WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M60120R6Q

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M75120B76J

WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC2M75120B76J

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M75120R6Q

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC2M75120W6Q

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSC401200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Anzahl je Verpackung: 480 Stücke

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WNSC401200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC401200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 86 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 104 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC401200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC401200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

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WNSC401200CWQ

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WNSC5D046506Q

WeEn Semiconductors WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D046506Q

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WNSC5D046506Q

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WNSC5D04650D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 26A
Max. forward voltage: 2.2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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WNSC5D04650D6J

WNSC5D04650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC5D04650D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 26A
Max. forward voltage: 2.2V

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WNSC5D06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.2V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A

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WNSC5D06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.2V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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WNSC5D06650X6Q

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

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WNSC5D06650X6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D06650Y6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D086506Q

WNSC5D08650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D106506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D10650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC5D10650D6J

WNSC5D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC5D126506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D126506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 420pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

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WNSC5D16650CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D206506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

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WNSC5D20650CJ6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D20650W6Q

WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D20650X6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 2.2V

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WNSC5D20650X6Q

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WNSC5D208006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20800/SOD59A/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D30650CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5D30650CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

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WNSC5D30650W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC5RACK

Struxure Ware 5 Rack Installation Service

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WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 8745 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.71 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 7

WNSC6D01650MBJ

WNSC6D01650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.22 EUR
6000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

WNSC6D01650MBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 1A; SMB; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.4V
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 18A

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WNSC6D01650MBJ

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WNSC6D046506Q

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WNSC6D046506Q

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WNSC6D04650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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WNSC6D04650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2917 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.92 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.5 EUR
5000+	1.36 EUR
10000+	1.34 EUR

WNSC6D04650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A

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WNSC6D06650D6J

WNSC6D06650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D06650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 9066 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.03 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.06 EUR
10000+	1.83 EUR
25000+	1.8 EUR

WNSC6D06650Q

WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D06650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 46A

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WNSC6D06650Q

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WNSC6D06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.55V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 45A

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WNSC6D06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.55V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 45A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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WNSC6D08650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D08650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2927 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.65 EUR
10+	3.91 EUR
100+	3.15 EUR
250+	3.13 EUR
1000+	2.66 EUR
5000+	2.36 EUR
10000+	2.32 EUR

WNSC6D08650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC6D08650Q

WNSC6D08650Q THT Schottky diodes

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WNSC6D08650Q

WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D10650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.65V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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WNSC6D10650B6J

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WNSC6D10650BT2-A6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D10650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 STANDARD MARK SMD

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WNSC6D10650D6J

WNSC6D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D10650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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WNSC6D10650Q

WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D10650Q

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WNSC6D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC6D10650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

auf Bestellung 2639 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.33 EUR
10+	4.61 EUR
100+	3.77 EUR
250+	3.64 EUR
500+	3.27 EUR
1000+	2.75 EUR

WNSC6D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 935 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.21 EUR
10+	4.38 EUR
100+	3.55 EUR
500+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4

WNSC6D166506Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

WNSC6D166506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D166506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 2976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.79 EUR
50+	5.38 EUR
100+	4.61 EUR
500+	4.1 EUR
1000+	3.51 EUR
2000+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 4720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.95 EUR
10+	5.84 EUR
100+	4.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	4.2 EUR
1600+	3.6 EUR
2400+	3.39 EUR

Mindestbestellmenge: 800

WNSC6D16650CW6Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.27 EUR
30+	5.76 EUR
120+	4.93 EUR
510+	4.39 EUR
1020+	3.76 EUR
2010+	3.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3

WNSC6D16650CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 32A
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 16A
Max. forward impulse current: 110A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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WNSC6D16650CW6Q

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WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 4858 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	5.88 EUR
10+	4.95 EUR
100+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 3

WNSC6D20650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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WNSC6D20650B6J

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WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	3.91 EUR

Mindestbestellmenge: 800

WNSC6D20650B6J

WNSC6D20650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

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WNSC6D20650CJ6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D20650CW-A6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D20650CW6Q

Description: DUAL SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

auf Bestellung 465 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.47 EUR
10+	7.1 EUR
100+	5.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3

WNSC6D20650W6Q

WNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D20650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A

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WNSC6D20650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

auf Bestellung 526 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.52 EUR
10+	9.5 EUR
100+	7.87 EUR
500+	6.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2

WNSC6D20650WQ

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WNSC6D20650X6Q

WeEn Semiconductors Silicon Carbide Diode

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WNSC6D30650CW-A6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D30650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D30650CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSC6D30650W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCESREALRM

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Alarm Service

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WNSCESREALRT

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Alerting Service

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WNSCESREBASE

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Base Service

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WNSCESREBMS

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service

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WNSCESREDAY

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Daily Labor Service

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WNSCESREMIG

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote DCE-ITE Migration Service

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WNSCESRETRAIN

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Training Service

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WNSCESREVS

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Virtual Sensor Service

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WNSCESSUCORE

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service

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WNSCM160120W6Q

MOSFET WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM160120W6Q

WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM160120WQ

Description: WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 155W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736 pF @ 1000 V

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WNSCM160120WQ

MOSFET WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM160120WQ

WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120R6Q

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 32A; Idm: 81A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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WNSCM80120R6Q

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WNSCM80120R6Q

MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSCM80120RQ

MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120RQ

Description: WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

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WNSCM80120RQ

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120W6Q

WeEn Semiconductors WNSCM80120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCM80120W6Q

N-Channel Silicon Carbide MOSFET

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WNSCM80120WQ

Description: WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 230W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

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WNSCM80120WQ

MOSFET WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Produkt ist nicht verfügbar

WNSCM80120WQ

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

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WNSCRCAPADM