Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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Транзистор IRF7317PBF | IR | Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=6,6A; Id=-5,3A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7324PBF | IR | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-20V; Id=-9A; Pdmax=2W; Rds=0,018 Ohm |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7331TRPBF | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V; Id=7A; Pdmax=2W; Rds=0,030 Ohm |
auf Bestellung 3592 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7342PBF | IR | Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7389PBF | IR | Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7416PBF | IR | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-30V; Id=-10A; Pdmax=2,5W; Rds=0,02Ohm |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7450PBF | IR | Транз. Пол. ММ HEXFET SMPS MOSFET SO8 Udss=200V; Id=2,5A; Pdmax=2,5W; Rds=0,17 Ohm |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7470TRPBF | IR | MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7473TRPBF | IR | Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=100V Id=6.9A P=2.5W Rds=0.026Ohm |
auf Bestellung 1764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7501TR | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 Udss=20V; Id=2,4A; Pdmax=1,25W; Rds=0,135 Ohm |
auf Bestellung 4930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7507TR | IR | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(20; -20)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm |
auf Bestellung 3038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7509TRPBF | IR | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(30; -30)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm |
auf Bestellung 3998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7705 | IR | Транз. Пол. ММ P-Channel TSSOP-8 Udss=-30V Id=-8A P=1.5W Rds=4mOhm |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF8313PBF | IR | Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=30V Idm=81A Pd=2.0W |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFL014NPBF | IR | Транз. Пол. ММ 60V 2,7A N-Channel HEXFET SOT223 No Pb |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRFL9014PBF | IR | Транзистор SOT-223 -60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLL014NTRPBF | IR | Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=2A; Pdmax=2,1W; Rds=0,14 Ohm |
auf Bestellung 1091 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLML0030TRPBF | IR | Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=30V; Id=5,2A; Rds=0,028 Ohm |
auf Bestellung 1706 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLML2244TRPBF | IR | MOSFET Transistor, P Channel, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRLML6302TR | IR | Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-0,78A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm |
auf Bestellung 4135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRG4BC30F | IR | Транз. IGBT Fast TO220AB Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W |
auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRG4BC30K | IR | Транз. IGBT UltraFast TO220AB Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRG4BC30KD | IR | Транз. IGBT UltraFast TO-220 Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W; (с диодом) |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRG4BC30W | IR | Транз. IGBT WARP TO220AB Uces=600V; Ic=23A; Ic=12A(100°C); Pdmax=100W |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRG4PC30F | IR | Транз. IGBT Fast TO247AC Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRGP4062DPBF | IR | IGBT 600V 48A 250W TO247AC |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема IPS7071GTRPBF | IR | ИМС SOIC8 Драйвер верхн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема IR2153PBF | IR | ИМС DIP8 Полумост. драйвер для упр-ния мощ. N-MOSFET и IGBT |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема IR2156SPBF | IR | ИМС IC CTRLR BALLAST 600V .5A 14SOIC |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема IR21834SPBF | IR | ИМС SOIC14 Драйвер нижн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема IR4426SPBF | IR | ИМС SO8, Драйвер управления затвором MOSFET (2 затвора) |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема IRS21844MPBF | IR | ИМС MLPQ4x4 Драйвер высок./нижн. уровня для управления мощн. MOSFET и IGBT |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема PVA3054N | IR | ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 40mA, 0-300V AC/DC |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема PVA3324N | IR | ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 130mA, 0-300V AC/DC |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Мікросхема PVU414 | IR | ИМС DIP6 400V 1 Form A Photo Voltaic Relay |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Транзистор IRF7317PBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=6,6A; Id=-5,3A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=6,6A; Id=-5,3A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 4.16 EUR |
10+ | 3.68 EUR |
100+ | 3.37 EUR |
Транзистор IRF7324PBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-20V; Id=-9A; Pdmax=2W; Rds=0,018 Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-20V; Id=-9A; Pdmax=2W; Rds=0,018 Ohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 4.37 EUR |
10+ | 3.78 EUR |
100+ | 3.44 EUR |
Транзистор IRF7331TRPBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V; Id=7A; Pdmax=2W; Rds=0,030 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V; Id=7A; Pdmax=2W; Rds=0,030 Ohm
auf Bestellung 3592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.3 EUR |
10+ | 2.03 EUR |
100+ | 1.86 EUR |
Транзистор IRF7342PBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.82 EUR |
10+ | 2.51 EUR |
100+ | 2.27 EUR |
Транзистор IRF7389PBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm
Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.75 EUR |
10+ | 2.44 EUR |
100+ | 2.2 EUR |
Транзистор IRF7416PBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-30V; Id=-10A; Pdmax=2,5W; Rds=0,02Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-30V; Id=-10A; Pdmax=2,5W; Rds=0,02Ohm
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.55 EUR |
10+ | 2.27 EUR |
100+ | 2.06 EUR |
Транзистор IRF7450PBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ HEXFET SMPS MOSFET SO8 Udss=200V; Id=2,5A; Pdmax=2,5W; Rds=0,17 Ohm
Транз. Пол. ММ HEXFET SMPS MOSFET SO8 Udss=200V; Id=2,5A; Pdmax=2,5W; Rds=0,17 Ohm
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 6.02 EUR |
10+ | 5.16 EUR |
100+ | 4.3 EUR |
Транзистор IRF7470TRPBF |
Hersteller: IR
MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC
MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.41 EUR |
Транзистор IRF7473TRPBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=100V Id=6.9A P=2.5W Rds=0.026Ohm
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=100V Id=6.9A P=2.5W Rds=0.026Ohm
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 3.37 EUR |
10+ | 2.86 EUR |
100+ | 2.51 EUR |
Транзистор IRF7501TR |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 Udss=20V; Id=2,4A; Pdmax=1,25W; Rds=0,135 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 Udss=20V; Id=2,4A; Pdmax=1,25W; Rds=0,135 Ohm
auf Bestellung 4930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.62 EUR |
10+ | 1.44 EUR |
100+ | 1.31 EUR |
Транзистор IRF7507TR |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(20; -20)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(20; -20)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
auf Bestellung 3038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 3.06 EUR |
10+ | 2.72 EUR |
100+ | 1.79 EUR |
Транзистор IRF7509TRPBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(30; -30)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(30; -30)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
auf Bestellung 3998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.41 EUR |
10+ | 1.27 EUR |
100+ | 1.14 EUR |
Транзистор IRF7705 |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ P-Channel TSSOP-8 Udss=-30V Id=-8A P=1.5W Rds=4mOhm
Транз. Пол. ММ P-Channel TSSOP-8 Udss=-30V Id=-8A P=1.5W Rds=4mOhm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.61 EUR |
10+ | 2.41 EUR |
Транзистор IRF8313PBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=30V Idm=81A Pd=2.0W
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=30V Idm=81A Pd=2.0W
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 17.2 EUR |
Транзистор IRFL014NPBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 60V 2,7A N-Channel HEXFET SOT223 No Pb
Транз. Пол. ММ 60V 2,7A N-Channel HEXFET SOT223 No Pb
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.75 EUR |
10+ | 2.27 EUR |
100+ | 1.72 EUR |
Транзистор IRFL9014PBF |
Hersteller: IR
Транзистор SOT-223 -60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET
Транзистор SOT-223 -60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 16.86 EUR |
Транзистор IRLL014NTRPBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=2A; Pdmax=2,1W; Rds=0,14 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=2A; Pdmax=2,1W; Rds=0,14 Ohm
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.75 EUR |
10+ | 2.41 EUR |
100+ | 2.06 EUR |
Транзистор IRLML0030TRPBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=30V; Id=5,2A; Rds=0,028 Ohm
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=30V; Id=5,2A; Rds=0,028 Ohm
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.55 EUR |
10+ | 0.48 EUR |
100+ | 0.45 EUR |
Транзистор IRLML2244TRPBF |
Hersteller: IR
MOSFET Transistor, P Channel, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V
MOSFET Transistor, P Channel, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 3.27 EUR |
Транзистор IRLML6302TR |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-0,78A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-0,78A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm
auf Bestellung 4135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.52 EUR |
10+ | 0.45 EUR |
100+ | 0.38 EUR |
Транзистор IRG4BC30F |
Hersteller: IR
Транз. IGBT Fast TO220AB Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W
Транз. IGBT Fast TO220AB Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 10.77 EUR |
10+ | 9.77 EUR |
100+ | 8.91 EUR |
Транзистор IRG4BC30K |
Hersteller: IR
Транз. IGBT UltraFast TO220AB Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W
Транз. IGBT UltraFast TO220AB Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 10.04 EUR |
10+ | 9.12 EUR |
100+ | 8.29 EUR |
Транзистор IRG4BC30KD |
Hersteller: IR
Транз. IGBT UltraFast TO-220 Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W; (с диодом)
Транз. IGBT UltraFast TO-220 Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W; (с диодом)
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 15.48 EUR |
100+ | 14.45 EUR |
Транзистор IRG4BC30W |
Hersteller: IR
Транз. IGBT WARP TO220AB Uces=600V; Ic=23A; Ic=12A(100°C); Pdmax=100W
Транз. IGBT WARP TO220AB Uces=600V; Ic=23A; Ic=12A(100°C); Pdmax=100W
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 11.52 EUR |
10+ | 10.18 EUR |
100+ | 9.25 EUR |
Транзистор IRG4PC30F |
Hersteller: IR
Транз. IGBT Fast TO247AC Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W
Транз. IGBT Fast TO247AC Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 11.11 EUR |
10+ | 10.11 EUR |
100+ | 9.18 EUR |
Транзистор IRGP4062DPBF |
Hersteller: IR
IGBT 600V 48A 250W TO247AC
IGBT 600V 48A 250W TO247AC
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 20.12 EUR |
10+ | 19.13 EUR |
100+ | 18.16 EUR |
Мікросхема IPS7071GTRPBF |
Hersteller: IR
ИМС SOIC8 Драйвер верхн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT
ИМС SOIC8 Драйвер верхн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 16.17 EUR |
10+ | 14.1 EUR |
100+ | 12.73 EUR |
Мікросхема IR2153PBF |
Hersteller: IR
ИМС DIP8 Полумост. драйвер для упр-ния мощ. N-MOSFET и IGBT
ИМС DIP8 Полумост. драйвер для упр-ния мощ. N-MOSFET и IGBT
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 5.33 EUR |
10+ | 4.99 EUR |
100+ | 4.64 EUR |
Мікросхема IR2156SPBF |
Hersteller: IR
ИМС IC CTRLR BALLAST 600V .5A 14SOIC
ИМС IC CTRLR BALLAST 600V .5A 14SOIC
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 8.26 EUR |
10+ | 7.43 EUR |
100+ | 6.67 EUR |
Мікросхема IR21834SPBF |
Hersteller: IR
ИМС SOIC14 Драйвер нижн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT
ИМС SOIC14 Драйвер нижн. уровня для управления мощн. N-MOSFET и IGBT
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 13.14 EUR |
10+ | 11.63 EUR |
100+ | 10.6 EUR |
Мікросхема IR4426SPBF |
Hersteller: IR
ИМС SO8, Драйвер управления затвором MOSFET (2 затвора)
ИМС SO8, Драйвер управления затвором MOSFET (2 затвора)
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 11.66 EUR |
10+ | 10.32 EUR |
100+ | 9.39 EUR |
Мікросхема IRS21844MPBF |
Hersteller: IR
ИМС MLPQ4x4 Драйвер высок./нижн. уровня для управления мощн. MOSFET и IGBT
ИМС MLPQ4x4 Драйвер высок./нижн. уровня для управления мощн. MOSFET и IGBT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 26.49 EUR |
10+ | 24.08 EUR |
100+ | 22.98 EUR |
Мікросхема PVA3054N |
Hersteller: IR
ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 40mA, 0-300V AC/DC
ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 40mA, 0-300V AC/DC
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 15.03 EUR |
10+ | 13.66 EUR |
100+ | 12.42 EUR |
Мікросхема PVA3324N |
Hersteller: IR
ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 130mA, 0-300V AC/DC
ИМС DIP8 BOSFET фотоэлект реле,однополярное, 130mA, 0-300V AC/DC
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 21.22 EUR |
10+ | 18.78 EUR |
100+ | 17.1 EUR |
Мікросхема PVU414 |
Hersteller: IR
ИМС DIP6 400V 1 Form A Photo Voltaic Relay
ИМС DIP6 400V 1 Form A Photo Voltaic Relay
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 18.78 EUR |
10+ | 16.62 EUR |
100+ | 15.1 EUR |