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LGE3D10065A	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D10065A THT Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D10065E	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D10065E SMD Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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LGE3D10170H	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D10170H THT Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D15065A	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D15065A THT Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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LGE3D20065D	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D20065D THT Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D20065H	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D20065H THT Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D20120A	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 2.2V Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Leakage current: 50µA	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D20120A	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 2.2V Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Leakage current: 50µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D20120D	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Leakage current: 30µA	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D20120D	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Leakage current: 30µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D20120H	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: tube Leakage current: 50µA Max. load current: 100A	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D20120H	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: tube Leakage current: 50µA Max. load current: 100A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D20170H	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D20170H THT Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D30065D	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D30065D THT Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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LGE3D30120D	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D30120D THT Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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LGE3D40065H	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D40065H THT Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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LGE3D42090H	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D42090H THT Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3D50120H	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3D50120H THT Schottky diodes	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M14120Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 108A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 230nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 340A Mounting: THT Case: TO247-4	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M14120Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 108A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 230nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 340A Mounting: THT Case: TO247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M160120B	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3M160120B THT N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M160120E	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3M160120E SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M160120Q	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3M160120Q THT N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M18120Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 235nC On-state resistance: 34mΩ Drain current: 74A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 428W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M18120Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 235nC On-state resistance: 34mΩ Drain current: 74A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 428W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M1K170B	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3M1K170B THT N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M20120Q	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3M20120Q THT N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M25120Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 200A; 370W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 370W Drain current: 60A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M25120Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 200A; 370W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 370W Drain current: 60A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M28065Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 39mΩ Power dissipation: 326W Drain current: 67A Pulsed drain current: 211A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 163nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M28065Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 39mΩ Power dissipation: 326W Drain current: 67A Pulsed drain current: 211A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 163nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M30065B	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 326W Drain current: 64A Pulsed drain current: 212A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 147nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M30065B	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 326W Drain current: 64A Pulsed drain current: 212A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 147nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M30065Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 300W Drain current: 54A Pulsed drain current: 170A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M30065Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 300W Drain current: 54A Pulsed drain current: 170A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M35065Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 130A; 370W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 370W Drain current: 40A Pulsed drain current: 130A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...18V Gate charge: 30nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M35065Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 130A; 370W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 370W Drain current: 40A Pulsed drain current: 130A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...18V Gate charge: 30nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M35120Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 44A; Idm: 130A; 300W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 63mΩ Power dissipation: 300W Drain current: 44A Pulsed drain current: 130A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 148nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M35120Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 44A; Idm: 130A; 300W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 63mΩ Power dissipation: 300W Drain current: 44A Pulsed drain current: 130A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 148nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M40065B	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 348W Drain current: 58A Pulsed drain current: 180A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 110.8nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M40065B	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 348W Drain current: 58A Pulsed drain current: 180A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 110.8nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M40065Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 348W Drain current: 58A Pulsed drain current: 180A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 110.8nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M40065Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 348W Drain current: 58A Pulsed drain current: 180A Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 110.8nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M40120Q	LUGUANG ELECTRONIC	LGE3M40120Q THT N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M45170B	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 520W Drain current: 48A Pulsed drain current: 160A Drain-source voltage: 1.7kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M45170B	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 520W Drain current: 48A Pulsed drain current: 160A Drain-source voltage: 1.7kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M45170Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 520W Drain current: 48A Pulsed drain current: 160A Drain-source voltage: 1.7kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M45170Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 520W Drain current: 48A Pulsed drain current: 160A Drain-source voltage: 1.7kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 54nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M50120B	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 327W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 327W Drain current: 43A Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 0.12µC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M50120B	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 327W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 327W Drain current: 43A Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 0.12µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M50120Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 344W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 344W Drain current: 43A Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 0.12µC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M50120Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 145A; 344W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 344W Drain current: 43A Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 0.12µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
LGE3M60065Q	LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 78nC On-state resistance: 75mΩ Drain current: 36A Pulsed drain current: 97A Power dissipation: 208W Drain-source voltage: 650V Technology: SiC Case: TO247-4 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH