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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
LGE206 LUGUANG ELECTRONIC LGE206-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE208 LUGUANG ELECTRONIC LGE208-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE210 LUGUANG ELECTRONIC LGE210-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
auf Bestellung 29180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1380+0.052 EUR
1520+0.047 EUR
1840+0.039 EUR
1940+0.037 EUR
12000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 29180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1380+0.052 EUR
1520+0.047 EUR
1840+0.039 EUR
1940+0.037 EUR
12000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2301 LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B423749858BF&compId=LGE2301.pdf?ci_sign=fb1ccd7fcd06582e7c8ad59c77bff2988d427f2f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2301 LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B423749858BF&compId=LGE2301.pdf?ci_sign=fb1ccd7fcd06582e7c8ad59c77bff2988d427f2f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
100+0.72 EUR
405+0.17 EUR
1110+0.064 EUR
3000+0.039 EUR
12000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2302 LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1125+0.064 EUR
1340+0.053 EUR
1725+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2302 LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1125+0.064 EUR
1340+0.053 EUR
1725+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
12000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2304 LGE2304 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0BA162DD698BF&compId=LGE2304.pdf?ci_sign=627d3ea813cfabcdf9f3367816be162e90eeb118 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1320+0.054 EUR
1450+0.049 EUR
1720+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2304 LGE2304 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0BA162DD698BF&compId=LGE2304.pdf?ci_sign=627d3ea813cfabcdf9f3367816be162e90eeb118 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1320+0.054 EUR
1450+0.049 EUR
1720+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
12000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2305 LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2305 LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
100+0.72 EUR
335+0.21 EUR
915+0.079 EUR
12000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988F2B4974F43D8BF&compId=LGE2312.pdf?ci_sign=2ab10d288b67574288214d76005e5b2af17ec41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.13 EUR
875+0.082 EUR
910+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 560
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988F2B4974F43D8BF&compId=LGE2312.pdf?ci_sign=2ab10d288b67574288214d76005e5b2af17ec41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
560+0.13 EUR
875+0.082 EUR
910+0.079 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 560
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D02120F LUGUANG ELECTRONIC LGE3D02120F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D05120A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D05120A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D06065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D06065F LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D06065G LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D06065N LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590AA0EDB1CE0D6&compId=LGE3D06065N.pdf?ci_sign=1b1d22b2270cbe9b0c0f1a0f23872f5f8260c0f6 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D06065N LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590AA0EDB1CE0D6&compId=LGE3D06065N.pdf?ci_sign=1b1d22b2270cbe9b0c0f1a0f23872f5f8260c0f6 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10065E LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10065F LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10065G LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10065H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065H THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D10170H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10170H THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D15065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D15065A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20065A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20065D LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20065D THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20065H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20065H THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20120A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591227F65B440D6&compId=LGE3D20120A.pdf?ci_sign=989cac16f0d5163de5eecbbee8d9ff99aa389899 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20120A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591227F65B440D6&compId=LGE3D20120A.pdf?ci_sign=989cac16f0d5163de5eecbbee8d9ff99aa389899 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20120D LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59182217E7440D6&compId=LGE3D20120D.pdf?ci_sign=52f6d4745eeb34f8e0f124ed252375234126d85b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20120D LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59182217E7440D6&compId=LGE3D20120D.pdf?ci_sign=52f6d4745eeb34f8e0f124ed252375234126d85b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D20170H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20170H THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3D30065D LUGUANG ELECTRONIC LGE3D30065D THT Schottky diodes
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LGE3D30065H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D30065H THT Schottky diodes
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LGE3D30120D LUGUANG ELECTRONIC LGE3D30120D THT Schottky diodes
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LGE3D42090H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D42090H THT Schottky diodes
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LGE3D50120H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D50120H THT Schottky diodes
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LGE3M14120Q LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB491E25E22C520D6&compId=LGE3M14120Q.pdf?ci_sign=1cbc733b52ae45c424e12ad5fbfe737d5a9857dd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 230nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 340A
Mounting: THT
Case: TO247-4
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LGE3M14120Q LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB491E25E22C520D6&compId=LGE3M14120Q.pdf?ci_sign=1cbc733b52ae45c424e12ad5fbfe737d5a9857dd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 230nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 340A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M160120B LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4AD9DF7CD3AC0D6&compId=LGE3M160120B.pdf?ci_sign=a1d08105870ce1731a1d10c898727561ec248423 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 48A; 134W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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LGE3M160120B LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4AD9DF7CD3AC0D6&compId=LGE3M160120B.pdf?ci_sign=a1d08105870ce1731a1d10c898727561ec248423 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 48A; 134W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M160120E LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4921F42374480D6&compId=LGE3M160120E.pdf?ci_sign=bcd5d7df46e9f6755b1e2c671f5eb2ea218a35dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 38A; 127W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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LGE3M160120E LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4921F42374480D6&compId=LGE3M160120E.pdf?ci_sign=bcd5d7df46e9f6755b1e2c671f5eb2ea218a35dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 38A; 127W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M160120Q LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4922BD5059300D6&compId=LGE3M160120Q.pdf?ci_sign=5e427435c20e3b48b1755f3290e75c2a27cb9dc1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 50A; 138W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 43nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: THT
Case: TO247-4
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LGE3M160120Q LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4922BD5059300D6&compId=LGE3M160120Q.pdf?ci_sign=5e427435c20e3b48b1755f3290e75c2a27cb9dc1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 50A; 138W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 43nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M18120Q LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4923C6E793580D6&compId=LGE3M18120Q.pdf?ci_sign=7e83c72936c316ad271cc8a523a6e575f09dad6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Power dissipation: 428W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 235nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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LGE3M18120Q LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4923C6E793580D6&compId=LGE3M18120Q.pdf?ci_sign=7e83c72936c316ad271cc8a523a6e575f09dad6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Power dissipation: 428W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 235nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M1K170B LUGUANG ELECTRONIC LGE3M1K170B THT N channel transistors
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LGE3M20120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M20120Q THT N channel transistors
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LGE3M25120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M25120Q THT N channel transistors
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LGE206
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE206-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
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LGE208
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE208-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
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LGE210
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE210-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
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LGE2300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca
LGE2300
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
auf Bestellung 29180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1380+0.052 EUR
1520+0.047 EUR
1840+0.039 EUR
1940+0.037 EUR
12000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1380
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LGE2300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca
LGE2300
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 29180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1380+0.052 EUR
1520+0.047 EUR
1840+0.039 EUR
1940+0.037 EUR
12000+0.036 EUR
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LGE2301 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B423749858BF&compId=LGE2301.pdf?ci_sign=fb1ccd7fcd06582e7c8ad59c77bff2988d427f2f
LGE2301
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2301 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B423749858BF&compId=LGE2301.pdf?ci_sign=fb1ccd7fcd06582e7c8ad59c77bff2988d427f2f
LGE2301
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
100+0.72 EUR
405+0.17 EUR
1110+0.064 EUR
3000+0.039 EUR
12000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2302 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d
LGE2302
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1125+0.064 EUR
1340+0.053 EUR
1725+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1125
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LGE2302 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d
LGE2302
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1125+0.064 EUR
1340+0.053 EUR
1725+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
12000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1125
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LGE2304 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0BA162DD698BF&compId=LGE2304.pdf?ci_sign=627d3ea813cfabcdf9f3367816be162e90eeb118
LGE2304
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1320+0.054 EUR
1450+0.049 EUR
1720+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1320
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LGE2304 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0BA162DD698BF&compId=LGE2304.pdf?ci_sign=627d3ea813cfabcdf9f3367816be162e90eeb118
LGE2304
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1320+0.054 EUR
1450+0.049 EUR
1720+0.042 EUR
1820+0.039 EUR
12000+0.038 EUR
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LGE2305 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782
LGE2305
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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LGE2305 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782
LGE2305
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
100+0.72 EUR
335+0.21 EUR
915+0.079 EUR
12000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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LGE2312 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988F2B4974F43D8BF&compId=LGE2312.pdf?ci_sign=2ab10d288b67574288214d76005e5b2af17ec41e
LGE2312
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
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LGE2312
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
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LGE3D06065G SMD Schottky diodes
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Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
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Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
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LGE3D20065H THT Schottky diodes
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Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
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Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
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Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
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Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
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LGE3D20120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
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LGE3D20120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
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LGE3D20170H
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
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LGE3D30065D
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D30065D THT Schottky diodes
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LGE3D30065H
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D30065H THT Schottky diodes
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LGE3D30120D
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D30120D THT Schottky diodes
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LGE3D30120H
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D30120H THT Schottky diodes
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LGE3D40065H
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D40065H THT Schottky diodes
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LGE3D40120H
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D40120H THT Schottky diodes
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LGE3D42090H
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D42090H THT Schottky diodes
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LGE3D50120H
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D50120H THT Schottky diodes
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Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 230nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 340A
Mounting: THT
Case: TO247-4
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Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 230nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 340A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M160120B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4AD9DF7CD3AC0D6&compId=LGE3M160120B.pdf?ci_sign=a1d08105870ce1731a1d10c898727561ec248423
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 48A; 134W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3M160120B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4AD9DF7CD3AC0D6&compId=LGE3M160120B.pdf?ci_sign=a1d08105870ce1731a1d10c898727561ec248423
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 48A; 134W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LGE3M160120E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4921F42374480D6&compId=LGE3M160120E.pdf?ci_sign=bcd5d7df46e9f6755b1e2c671f5eb2ea218a35dc
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 38A; 127W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3M160120E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4921F42374480D6&compId=LGE3M160120E.pdf?ci_sign=bcd5d7df46e9f6755b1e2c671f5eb2ea218a35dc
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 38A; 127W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3M160120Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4922BD5059300D6&compId=LGE3M160120Q.pdf?ci_sign=5e427435c20e3b48b1755f3290e75c2a27cb9dc1
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 50A; 138W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 43nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3M160120Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4922BD5059300D6&compId=LGE3M160120Q.pdf?ci_sign=5e427435c20e3b48b1755f3290e75c2a27cb9dc1
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 50A; 138W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 43nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE3M18120Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4923C6E793580D6&compId=LGE3M18120Q.pdf?ci_sign=7e83c72936c316ad271cc8a523a6e575f09dad6e
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Power dissipation: 428W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 235nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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LGE3M18120Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4923C6E793580D6&compId=LGE3M18120Q.pdf?ci_sign=7e83c72936c316ad271cc8a523a6e575f09dad6e
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Power dissipation: 428W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 235nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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LGE3M1K170B
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LGE3M1K170B THT N channel transistors
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LGE3M20120Q
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M20120Q THT N channel transistors
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LGE3M25120Q
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M25120Q THT N channel transistors
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