Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > Alle Produkte des Herstellers MICROCHIP TECHNOLOGY (360525) > Seite 3573 nach 6009
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MRF24J40T-I/ML | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: IC: RF transceiver; 2.4÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN40; reel,tape Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Communictions protocol: MiWi™; MiWi™ P2P; ZigBee Case: QFN40 Type of integrated circuit: RF transceiver Receiver sensitivity: -95dBm Supply voltage: 2.4...3.6V DC Transmitter output power: 4dBm Band: 2.405...2.48GHz Interface: SPI Integrated circuit features: AES128; MAC; RSSI; SLEEP Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1600 Stücke |
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MRF39RAT-I/LY | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: IC: RF transceiver; 1.8÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN24; reel,tape; -120dBm Interface: SPI Receiver sensitivity: -120dBm Supply voltage: 1.8...3.6V DC Mounting: SMD Case: QFN24 Type of integrated circuit: RF transceiver Operating temperature: -40...85°C Band: 433MHz; 868MHz; 915MHz Kind of modulation: FSK; GFSK; GMSK; MSK; OOK Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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MRF89XAM8A-I/RM | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MRF89XAT-I/MQ | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: IC: RF transceiver; 2.1÷3.6VDC; 4-wire SPI; SMD; QFN32; reel,tape Interface: 4-wire SPI Receiver sensitivity: -113dBm Supply voltage: 2.1...3.6V DC Band: 868MHz; 915MHz Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: RF transceiver Integrated circuit features: RSSI; SLEEP Kind of modulation: FSK; OOK Case: QFN32 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC010SDA070B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC010SDA070BCT | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC010SDA070BCT THT Schottky diodes |
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MSC010SDA070K | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC010SDA070S | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC010SDA070S SMD Schottky diodes |
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MSC010SDA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 50uA Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO247-2 Technology: SiC Max. forward voltage: 2.1V Load current: 10A Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 50µA Power dissipation: 50W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC010SDA120K | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC010SDA170B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC015SDA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC015SDA120K | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC015SDA120K THT Schottky diodes |
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MSC015SMA070B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 99A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 215nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC015SMA070B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 99A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 455W Case: TO247-4 On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 215nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC015SMA070J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 700V; SOT227B; screw; SiC; tube; screw Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Case: SOT227B Kind of package: tube Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC015SMA070S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 89A; Idm: 315A; 370W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 89A Pulsed drain current: 315A Power dissipation: 370W Case: D3PAK On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 215nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC017SMA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC017SMA120B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC017SMA120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC017SMA120S | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC017SMA120S SMD N channel transistors |
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MSC020SDA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC020SDA120K | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC020SDA120K THT Schottky diodes |
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MSC020SDA120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC025SMA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC025SMA120B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC025SMA120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC025SMA120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC030SDA070B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC030SDA070BCT | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC030SDA070K | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC030SDA070S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC030SDA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ir: 150uA Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO247-2 Technology: SiC Max. forward voltage: 2.1V Load current: 30A Max. forward impulse current: 165A Leakage current: 0.15mA Power dissipation: 112W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC030SDA120BCT | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC030SDA120K | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO220-2; Ir: 150uA Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO220-2 Technology: SiC Max. forward voltage: 2.1V Load current: 30A Max. forward impulse current: 165A Leakage current: 0.15mA Power dissipation: 130W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC030SDA120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC030SDA170B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC030SDA330B | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC030SDA330B THT Schottky diodes |
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MSC035SMA070B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 54A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC035SMA070B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 54A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC035SMA070J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 700V; SOT227B; screw; SiC; screw Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Case: SOT227B Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC035SMA070S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 46A; Idm: 163A; 206W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 46A Pulsed drain current: 163A Power dissipation: 206W Case: D3PAK On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC035SMA170B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC035SMA170B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC035SMA170S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC040SMA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC040SMA120B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC040SMA120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC040SMA120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC040SMA120S/TR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC050SDA070B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC050SDA070BCT | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC050SDA070S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC050SDA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC050SDA120BCT | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-3; Ir: 250uA Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Technology: SiC Max. forward voltage: 2.1V Load current: 50A Max. forward impulse current: 290A Leakage current: 0.25mA Power dissipation: 186W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC050SDA120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC050SDA170B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC060SMA070B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 28A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 143W Case: TO247-3 On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC060SMA070B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 28A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 143W Case: TO247-4 On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC060SMA070S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 26A Pulsed drain current: 93A Power dissipation: 130W Case: D3PAK On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MRF24J40T-I/ML |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 2.4÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN40; reel,tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Communictions protocol: MiWi™; MiWi™ P2P; ZigBee
Case: QFN40
Type of integrated circuit: RF transceiver
Receiver sensitivity: -95dBm
Supply voltage: 2.4...3.6V DC
Transmitter output power: 4dBm
Band: 2.405...2.48GHz
Interface: SPI
Integrated circuit features: AES128; MAC; RSSI; SLEEP
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1600 Stücke
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 2.4÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN40; reel,tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Communictions protocol: MiWi™; MiWi™ P2P; ZigBee
Case: QFN40
Type of integrated circuit: RF transceiver
Receiver sensitivity: -95dBm
Supply voltage: 2.4...3.6V DC
Transmitter output power: 4dBm
Band: 2.405...2.48GHz
Interface: SPI
Integrated circuit features: AES128; MAC; RSSI; SLEEP
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1600 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MRF39RAT-I/LY |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 1.8÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN24; reel,tape; -120dBm
Interface: SPI
Receiver sensitivity: -120dBm
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: QFN24
Type of integrated circuit: RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Band: 433MHz; 868MHz; 915MHz
Kind of modulation: FSK; GFSK; GMSK; MSK; OOK
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 1.8÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN24; reel,tape; -120dBm
Interface: SPI
Receiver sensitivity: -120dBm
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: QFN24
Type of integrated circuit: RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Band: 433MHz; 868MHz; 915MHz
Kind of modulation: FSK; GFSK; GMSK; MSK; OOK
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MRF89XAM8A-I/RM |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MRF89XAM8A-I/RM RF modules
MRF89XAM8A-I/RM RF modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MRF89XAT-I/MQ |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 2.1÷3.6VDC; 4-wire SPI; SMD; QFN32; reel,tape
Interface: 4-wire SPI
Receiver sensitivity: -113dBm
Supply voltage: 2.1...3.6V DC
Band: 868MHz; 915MHz
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: RF transceiver
Integrated circuit features: RSSI; SLEEP
Kind of modulation: FSK; OOK
Case: QFN32
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: RF transceiver; 2.1÷3.6VDC; 4-wire SPI; SMD; QFN32; reel,tape
Interface: 4-wire SPI
Receiver sensitivity: -113dBm
Supply voltage: 2.1...3.6V DC
Band: 868MHz; 915MHz
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: RF transceiver
Integrated circuit features: RSSI; SLEEP
Kind of modulation: FSK; OOK
Case: QFN32
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC010SDA070B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC010SDA070B THT Schottky diodes
MSC010SDA070B THT Schottky diodes
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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17+ | 4.36 EUR |
18+ | 4.1 EUR |
19+ | 3.88 EUR |
MSC010SDA070BCT |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC010SDA070BCT THT Schottky diodes
MSC010SDA070BCT THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC010SDA070K |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC010SDA070K THT Schottky diodes
MSC010SDA070K THT Schottky diodes
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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12+ | 6.08 EUR |
13+ | 5.73 EUR |
MSC010SDA070S |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC010SDA070S SMD Schottky diodes
MSC010SDA070S SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC010SDA120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 50uA
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
Technology: SiC
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 50W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 50uA
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
Technology: SiC
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 50W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC010SDA120K |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC010SDA120K THT Schottky diodes
MSC010SDA120K THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC010SDA170B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC010SDA170B THT Schottky diodes
MSC010SDA170B THT Schottky diodes
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.03 EUR |
7+ | 10.4 EUR |
8+ | 9.82 EUR |
MSC015SDA120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC015SDA120B THT Schottky diodes
MSC015SDA120B THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC015SDA120K |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC015SDA120K THT Schottky diodes
MSC015SDA120K THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC015SMA070B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 22.12 EUR |
MSC015SMA070B4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-4
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-4
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MSC015SMA070J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 700V; SOT227B; screw; SiC; tube; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 700V; SOT227B; screw; SiC; tube; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
MSC015SMA070S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 89A; Idm: 315A; 370W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 89A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 89A; Idm: 315A; 370W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 89A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 34.43 EUR |
MSC017SMA120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC017SMA120B THT N channel transistors
MSC017SMA120B THT N channel transistors
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MSC017SMA120B4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC017SMA120B4 THT N channel transistors
MSC017SMA120B4 THT N channel transistors
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MSC017SMA120J |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC017SMA120J Transistor modules MOSFET
MSC017SMA120J Transistor modules MOSFET
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MSC017SMA120S |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC017SMA120S SMD N channel transistors
MSC017SMA120S SMD N channel transistors
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MSC020SDA120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC020SDA120B THT Schottky diodes
MSC020SDA120B THT Schottky diodes
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MSC020SDA120K |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC020SDA120K THT Schottky diodes
MSC020SDA120K THT Schottky diodes
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MSC020SDA120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC020SDA120S SMD Schottky diodes
MSC020SDA120S SMD Schottky diodes
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MSC025SMA120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC025SMA120B THT N channel transistors
MSC025SMA120B THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
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2+ | 44.73 EUR |
MSC025SMA120B4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC025SMA120B4 THT N channel transistors
MSC025SMA120B4 THT N channel transistors
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MSC025SMA120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC025SMA120J Transistor modules MOSFET
MSC025SMA120J Transistor modules MOSFET
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MSC025SMA120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC025SMA120S SMD N channel transistors
MSC025SMA120S SMD N channel transistors
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MSC030SDA070B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC030SDA070B THT Schottky diodes
MSC030SDA070B THT Schottky diodes
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MSC030SDA070BCT |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC030SDA070BCT THT Schottky diodes
MSC030SDA070BCT THT Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
MSC030SDA070K |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC030SDA070K THT Schottky diodes
MSC030SDA070K THT Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
MSC030SDA070S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC030SDA070S SMD Schottky diodes
MSC030SDA070S SMD Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
MSC030SDA120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ir: 150uA
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
Technology: SiC
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 165A
Leakage current: 0.15mA
Power dissipation: 112W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ir: 150uA
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
Technology: SiC
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 165A
Leakage current: 0.15mA
Power dissipation: 112W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MSC030SDA120BCT |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC030SDA120BCT THT Schottky diodes
MSC030SDA120BCT THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC030SDA120K |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO220-2; Ir: 150uA
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
Technology: SiC
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 165A
Leakage current: 0.15mA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO220-2; Ir: 150uA
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
Technology: SiC
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 165A
Leakage current: 0.15mA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
MSC030SDA120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC030SDA120S SMD Schottky diodes
MSC030SDA120S SMD Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
MSC030SDA170B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC030SDA170B THT Schottky diodes
MSC030SDA170B THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC030SDA330B |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC030SDA330B THT Schottky diodes
MSC030SDA330B THT Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
MSC035SMA070B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC035SMA070B4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-4
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 22.27 EUR |
MSC035SMA070J |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 700V; SOT227B; screw; SiC; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 700V; SOT227B; screw; SiC; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC035SMA070S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 46A; Idm: 163A; 206W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 163A
Power dissipation: 206W
Case: D3PAK
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 46A; Idm: 163A; 206W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 163A
Power dissipation: 206W
Case: D3PAK
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.99 EUR |
MSC035SMA170B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC035SMA170B THT N channel transistors
MSC035SMA170B THT N channel transistors
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MSC035SMA170B4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC035SMA170B4 THT N channel transistors
MSC035SMA170B4 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
MSC035SMA170S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC035SMA170S SMD N channel transistors
MSC035SMA170S SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
MSC040SMA120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC040SMA120B THT N channel transistors
MSC040SMA120B THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
MSC040SMA120B4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC040SMA120B4 THT N channel transistors
MSC040SMA120B4 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 24.81 EUR |
5+ | 15.57 EUR |
MSC040SMA120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC040SMA120J Transistor modules MOSFET
MSC040SMA120J Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC040SMA120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC040SMA120S SMD N channel transistors
MSC040SMA120S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC040SMA120S/TR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC040SMA120S/TR SMD N channel transistors
MSC040SMA120S/TR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA070B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA070B THT Schottky diodes
MSC050SDA070B THT Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
MSC050SDA070BCT |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA070BCT THT Schottky diodes
MSC050SDA070BCT THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA070S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA070S SMD Schottky diodes
MSC050SDA070S SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA120B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA120B THT Schottky diodes
MSC050SDA120B THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA120BCT |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-3; Ir: 250uA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Technology: SiC
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 50A
Max. forward impulse current: 290A
Leakage current: 0.25mA
Power dissipation: 186W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-3; Ir: 250uA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Technology: SiC
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 50A
Max. forward impulse current: 290A
Leakage current: 0.25mA
Power dissipation: 186W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA120S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA120S SMD Schottky diodes
MSC050SDA120S SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA170B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA170B THT Schottky diodes
MSC050SDA170B THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC060SMA070B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 143W
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 143W
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.44 EUR |
MSC060SMA070B4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 143W
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 143W
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.54 EUR |
MSC060SMA070S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 130W
Case: D3PAK
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 130W
Case: D3PAK
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10.18 EUR |