Suchergebnisse für "0ZP" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Mindestbestellmenge: 26
Mindestbestellmenge: 13
Mindestbestellmenge: 12
Mindestbestellmenge: 14
Mindestbestellmenge: 2
Mindestbestellmenge: 2
Mindestbestellmenge: 55
Mindestbestellmenge: 58
Mindestbestellmenge: 22
Mindestbestellmenge: 25
Mindestbestellmenge: 3
Mindestbestellmenge: 2
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3710ZPBF Produktcode: 44978 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm JHGF: THT |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||
IRF3710ZPBF Produktcode: 190954 |
JSMICRO |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 JHGF: THT |
auf Bestellung 94 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
IRF540ZPBF Produktcode: 42002 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 36 Rds(on), Ohm: 0.0266 Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42 JHGF: THT |
verfügbar: 208 Stück
|
|
|||||||||||||
IRLR3110ZPbF (DPAK) Produktcode: 48508 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak Uds,V: 100 Idd,A: 63 Rds(on), Ohm: 14 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
auf Bestellung 129 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||
1608640000 ZPE 2.5 | WEIDMЬLLER | ZPE2.5 Rail mounted connectors |
auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
1608650000 ZPE 2.5/3AN | WEIDMЬLLER | ZPE2.5/3AN Rail mounted connectors |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
1608660000 ZPE 2.5/4AN | WEIDMЬLLER | ZPE2.5/4AN Rail mounted connectors |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
1775510000 ZPE 1.5 | WEIDMЬLLER | ZPE1.5 Rail mounted connectors |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
CDNM3030ZPM | SELS | CDNM3030ZPM Capacitive Sensors |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
CDWM3020ZPM | SELS | CDWM3020ZPM Capacitive Sensors |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
IRF540ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 92W Technology: HEXFET® On-state resistance: 26.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
IRFB4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
IRFB4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
IRFI4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Power dissipation: 47W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1142 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
IRFP4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 134A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
IRFP4310ZPBF | IR | MOSFET TO-247-3 N-Channel 100V 127A 6mOhm 120nC Qg |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
IRFP4410ZPBF | IR | MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
PCID-10ZP | SELS |
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷10mm; 10÷30VDC; M30; IP67; 200mA Type of sensor: inductive Output configuration: PNP / NO Range: 0...10mm Supply voltage: 10...30V DC Switch housing: M30 Connection: lead 2m IP rating: IP67 Max. operating current: 0.2A Operating temperature: -25...70°C Kind of forehead: embedded Body material: brass Switching frequency max: 300Hz Overall length: 77mm Body plating: nickel Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
PCID10ZP | SELS |
Sensor inductive; OUT: PNP / NO; 0?10mm; 10?30VDC; M30; IP67 PCID10ZP PCID-10ZP SELS CZ PCID-10ZP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
PCID10ZPKM1250M12 | SELS | PCID10ZPKM1250M12 DC Cylindrical Inductive Sensors |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
PCID10ZPKM1250M12 | SELS |
Sensor inductive; OUT: PNP / NO; 0?10mm; 10?30VDC; M12; IP67 PCID10ZPKM1250M12 SELS CZ PCID10ZPKM1250M12 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
1DI200ZP-120 | FIJI | 07+; |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI200ZP-120 | FUJI | MODULE |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI200ZP-120 | FUJI |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||
1DI200ZP-120 | FUJI | 200A/1200V/GTR/1U |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI200ZP-120 | FUJI | H4-8 |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI200ZP-120-01 | FUJI | . |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI200ZP-120-01 | FUJI | H1-3 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI200ZP-120-01 | FUJI | MODULE |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI20ZP-120-01 | FUJI | MODULE |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI300ZP-120 | FUJI | 300A/1200V/GTR/1U |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI300ZP-120 | FUJI | H4-8 |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI300ZP-120 | FIJI | 07+; |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI300ZP-120 | FUJI | MODULE |
auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI300ZP-120 | FUJI |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||
1DI300ZP-120-01 | FUJI | . |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
1DI300ZP-120-02 | FUJI | MODULE |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
2X1DI200ZP-120 | FUJI | MODULE |
auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
2X1DI300ZP-120 | FUJI | MODULE |
auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
3X1DI300ZP-120 | FUJI | MODULE |
auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
BU930ZP |
auf Bestellung 15200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
CX95580-00ZP |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
DS1930ZP | CREATIVE | O5 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
HD64180ZP-10 | HITACHI |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||
HD64180ZP10 |
auf Bestellung 5080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
HD64180ZP6 | HITACHI |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||
HD64180ZP6 | HIT | DIP-64 |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
HD64180ZP8 | HIT | DIP64 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
HD64180ZP8 | HITACH | 1995 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
HD647180ZP8 | HIT | DIP |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
HM514100ZP8 | HIT | 90 DIP |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
HM514800ZP7 | HIT | ZIP28 |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
HM514800ZP8 | HIT | ZIP28 |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
HM514800ZP8 | HIT | 93+ ZIP |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
IRFB4410ZPBF | International Rectifier Corporation | MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
IRFS4410ZPBF | Infineon |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||
IRFU1010ZPBF | IR | 06+ |
auf Bestellung 20400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
KXPC860ZP66C1 | MOT | 9834+ |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||
LRTBG6SF-V2BA-3E7F-0-0-ZP | OSRAM | 2010+ LED |
auf Bestellung 23000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
IRF3710ZPBF Produktcode: 44978 |
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.72 EUR |
IRF3710ZPBF Produktcode: 190954 |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 94 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRF540ZPBF Produktcode: 42002 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
verfügbar: 208 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.54 EUR |
10+ | 0.52 EUR |
IRLR3110ZPbF (DPAK) Produktcode: 48508 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 63
Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 63
Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 129 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 1.13 EUR |
1608640000 ZPE 2.5 |
Hersteller: WEIDMЬLLER
ZPE2.5 Rail mounted connectors
ZPE2.5 Rail mounted connectors
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
26+ | 2.82 EUR |
32+ | 2.25 EUR |
34+ | 2.12 EUR |
1608650000 ZPE 2.5/3AN |
Hersteller: WEIDMЬLLER
ZPE2.5/3AN Rail mounted connectors
ZPE2.5/3AN Rail mounted connectors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 5.83 EUR |
17+ | 4.22 EUR |
1608660000 ZPE 2.5/4AN |
Hersteller: WEIDMЬLLER
ZPE2.5/4AN Rail mounted connectors
ZPE2.5/4AN Rail mounted connectors
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
12+ | 6.26 EUR |
15+ | 5.03 EUR |
16+ | 4.76 EUR |
1775510000 ZPE 1.5 |
Hersteller: WEIDMЬLLER
ZPE1.5 Rail mounted connectors
ZPE1.5 Rail mounted connectors
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 5.15 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
22+ | 3.35 EUR |
CDNM3030ZPM |
Hersteller: SELS
CDNM3030ZPM Capacitive Sensors
CDNM3030ZPM Capacitive Sensors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 40.53 EUR |
CDWM3020ZPM |
Hersteller: SELS
CDWM3020ZPM Capacitive Sensors
CDWM3020ZPM Capacitive Sensors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 51.12 EUR |
10+ | 51.11 EUR |
IRF3710ZPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
55+ | 1.32 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
IRF540ZPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 92W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 92W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
58+ | 1.24 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
98+ | 0.74 EUR |
103+ | 0.69 EUR |
250+ | 0.67 EUR |
IRFB4310ZPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
22+ | 3.39 EUR |
24+ | 3.07 EUR |
31+ | 2.35 EUR |
33+ | 2.22 EUR |
IRFB4410ZPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFI4410ZPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 2.87 EUR |
28+ | 2.57 EUR |
31+ | 2.32 EUR |
33+ | 2.22 EUR |
50+ | 2.14 EUR |
IRFP4310ZPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFP4310ZPBF |
Hersteller: IR
MOSFET TO-247-3 N-Channel 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
MOSFET TO-247-3 N-Channel 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 30.08 EUR |
10+ | 28.58 EUR |
IRFP4410ZPBF |
Hersteller: IR
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 8.65 EUR |
10+ | 7.41 EUR |
PCID-10ZP |
Hersteller: SELS
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷10mm; 10÷30VDC; M30; IP67; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...10mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: lead 2m
IP rating: IP67
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -25...70°C
Kind of forehead: embedded
Body material: brass
Switching frequency max: 300Hz
Overall length: 77mm
Body plating: nickel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷10mm; 10÷30VDC; M30; IP67; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...10mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: lead 2m
IP rating: IP67
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -25...70°C
Kind of forehead: embedded
Body material: brass
Switching frequency max: 300Hz
Overall length: 77mm
Body plating: nickel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 30.72 EUR |
PCID10ZP |
Hersteller: SELS
Sensor inductive; OUT: PNP / NO; 0?10mm; 10?30VDC; M30; IP67 PCID10ZP PCID-10ZP SELS CZ PCID-10ZP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Sensor inductive; OUT: PNP / NO; 0?10mm; 10?30VDC; M30; IP67 PCID10ZP PCID-10ZP SELS CZ PCID-10ZP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 84.5 EUR |
PCID10ZPKM1250M12 |
Hersteller: SELS
PCID10ZPKM1250M12 DC Cylindrical Inductive Sensors
PCID10ZPKM1250M12 DC Cylindrical Inductive Sensors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 40.31 EUR |
10+ | 40.28 EUR |
PCID10ZPKM1250M12 |
Hersteller: SELS
Sensor inductive; OUT: PNP / NO; 0?10mm; 10?30VDC; M12; IP67 PCID10ZPKM1250M12 SELS CZ PCID10ZPKM1250M12
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Sensor inductive; OUT: PNP / NO; 0?10mm; 10?30VDC; M12; IP67 PCID10ZPKM1250M12 SELS CZ PCID10ZPKM1250M12
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 103.26 EUR |
IRFB4410ZPBF |
Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)LRTBG6SF-V2BA-3E7F-0-0-ZP |
Hersteller: OSRAM
2010+ LED
2010+ LED
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]