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100N03LS infineon 08+
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100N03MS infineon 08+
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381LL682M100N062 381LL682M100N062 Cornell Dubilier - CDE 381LL.pdf Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 6800uF 100V 20% 8K hours
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC100N03MSG_DS_v02_01_en-1226358.pdf MOSFET N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
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BSC100N06LS3 G BSC100N06LS3 G Infineon Technologies Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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41+1.74 EUR
70+ 1.03 EUR
91+ 0.79 EUR
96+ 0.75 EUR
500+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 41
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies 490bsc100n06ls3_rev2.2.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSZ100N03LS G BSZ100N03LS G Infineon Technologies Infineon_BSZ100N03LS_G_DataSheet_v02_02_EN-3360996.pdf MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz100n03lsg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ100N03MS G BSZ100N03MS G Infineon Technologies Infineon_BSZ100N03MS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360905.pdf MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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27+1.98 EUR
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500+ 0.99 EUR
1000+ 0.85 EUR
2500+ 0.84 EUR
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BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ100N03MS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360905.pdf MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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BSZ100N06LS3 G BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies Infineon_BSZ100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361137.pdf MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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20+2.65 EUR
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BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8
auf Bestellung 2618 Stücke:
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6+1.17 EUR
10+ 1 EUR
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BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies bsz100n06ls3_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361137.pdf MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 16227 Stücke:
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BSZ100N06NS BSZ100N06NS Infineon Technologies Infineon_BSZ100N06NS_DataSheet_v02_02_EN-3361138.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
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26+2.03 EUR
32+ 1.67 EUR
100+ 1.3 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 0.9 EUR
5000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ100N06NS_DataSheet_v02_02_EN-3361138.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 34377 Stücke:
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26+2.01 EUR
32+ 1.66 EUR
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500+ 1.1 EUR
1000+ 0.84 EUR
5000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26
DI100N04PQ-AQ DI100N04PQ-AQ Diotec Semiconductor MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4915 Stücke:
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13+4.24 EUR
16+ 3.3 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.97 EUR
1000+ 1.9 EUR
2500+ 1.68 EUR
5000+ 1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
HSMH-A100-N00J1 HSMH-A100-N00J1 BROADCOM (AVAGO) HSMH-A100-L00J1.pdf Category: SMD colour LEDs
Description: LED; SMD; 3528,PLCC2; red; 28.5÷50mcd; 3.5x2.8x1.9mm; 120°; 20mA
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.9...2.6V
LED colour: red
Type of diode: LED
Wavelength: 637nm
LED lens: transparent
Luminosity: 28.5...50mcd
LED current: 20mA
Viewing angle: 120°
Dimensions: 3.5x2.8x1.9mm
Case: 3528; PLCC2
Power: 60mW
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
115+0.62 EUR
190+ 0.38 EUR
295+ 0.24 EUR
315+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 115
IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC100N04S6L014_DataSheet_v01_00_EN-1840614.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 9025 Stücke:
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15+3.61 EUR
19+ 2.78 EUR
100+ 2.26 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 15
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC100N04S6L020_DataSheet_v01_00_EN-1840563.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 20373 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+3.04 EUR
21+ 2.56 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.68 EUR
1000+ 1.29 EUR
5000+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc100n04s6l020-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC100N04S6L025_DataSheet_v01_00_EN-1840534.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 7204 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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25+ 2.16 EUR
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1000+ 1.09 EUR
5000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC100N04S6N015_DataSheet_v01_00_EN-1840499.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.64 EUR
18+ 2.96 EUR
100+ 2.3 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.5 EUR
5000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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auf Bestellung 3248 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.12 EUR
21+ 2.56 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.68 EUR
1000+ 1.29 EUR
5000+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc100n04s6n022-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC100N04S6N028_DataSheet_v01_00_EN-1840535.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.63 EUR
25+ 2.16 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
IAUC100N08S5N031ATMA1 IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC100N08S5N031_DS_v01_00_EN-1578815.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 3635 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.01 EUR
11+ 4.99 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.9 EUR
500+ 3.35 EUR
1000+ 2.7 EUR
5000+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC100N08S5N043_DS_v01_00_EN-1578739.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.89 EUR
13+ 4.06 EUR
100+ 3.25 EUR
250+ 3.22 EUR
500+ 2.73 EUR
1000+ 2.2 EUR
5000+ 2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies Infineon_IPB100N04S2_04_DataSheet_v01_00_EN-2320670.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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10+ 8.27 EUR
25+ 8.19 EUR
100+ 6.68 EUR
250+ 6.66 EUR
500+ 5.95 EUR
1000+ 5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IPB100N04S4-H2 IPB100N04S4-H2 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I100N04S4_H2_DS_v01_00_en-1730684.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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10+ 5.49 EUR
100+ 4.34 EUR
250+ 4 EUR
500+ 3.67 EUR
1000+ 3.09 EUR
2000+ 2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I100N04S4_H2_DS_v01_00_en-1730684.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.32 EUR
14+ 3.72 EUR
100+ 3.22 EUR
250+ 3.2 EUR
500+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i100n04s4-h2_ds_1_01.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies ipp_b100n06s2-05_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+15.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5_1R2_DS_v01_03_EN-1731711.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 19938 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.93 EUR
12+ 4.58 EUR
100+ 3.93 EUR
250+ 3.61 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.68 EUR
5000+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5_1R7_DS_v01_03_EN-1731696.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.65 EUR
14+ 3.87 EUR
100+ 3.07 EUR
250+ 2.83 EUR
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2500+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IPC100N04S51R9ATMA1 IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5_1R9_DS_v01_02_EN-1548221.pdf MOSFET N-CHANNEL 30/40V
auf Bestellung 12898 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.7 EUR
22+ 2.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies 5119229184915395infineon-ipc100n04s5-2r8-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc101.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5_2R8_DS_v01_00_EN-1731771.pdf MOSFET MOSFET_(20V,40V)
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IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5L_1R1_DS_v01_02_EN-1731729.pdf MOSFET N-CHANNEL 30/40V
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IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5L_1R9_DS_v01_03_EN-1731751.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IPC100N04S5L2R6ATMA1 IPC100N04S5L2R6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPC100N04S5L_2R6_DS_v01_00_EN-1731640.pdf MOSFET MOSFET_(20V,40V)
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IPD100N04S4-02 IPD100N04S4-02 Infineon Technologies Infineon_IPD100N04S4_02_DS_v01_00_en-3360273.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
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IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies ipd100n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD100N04S4L02ATMA1 IPD100N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD100N04S4L_02_DS_v01_00_EN-1901241.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IPD100N06S403ATMA2 Infineon INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
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IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD100N06S4_03_DS_v01_00_en-1227019.pdf MOSFET MOSFET
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2500+ 2.37 EUR
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IPP100N04S303AKSA1 IPP100N04S303AKSA1 Infineon Technologies ipp_b_i100n04s3-03_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IPP100N06S2L05AKSA2 IPP100N06S2L05AKSA2 Infineon Technologies Infineon_IPP_B100N06S2L_05_DS_v01_00_en-1731949.pdf MOSFET MOSFET_)40V 60V)
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IPP100N08N3GXKSA1 IPP100N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP100N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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7+10.21 EUR
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IPP100N08N3GXKSA1 IPP100N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP100N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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7+10.21 EUR
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IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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30+2.46 EUR
33+ 2.22 EUR
41+ 1.76 EUR
44+ 1.66 EUR
250+ 1.63 EUR
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IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS media-3319125.pdf MOSFET 100 Amps 40V
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9+6.42 EUR
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250+ 4.06 EUR
500+ 3.59 EUR
1000+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9
LQM21FN100N00L Murata Elektronik GmbH JELF243B-0006.pdf description Power inductor; SMD0805; inductance: 10uH; 30%; current: 0.060A; resistance: 0.65R; 1MHz; operating temperature: -40°C ~ 85°C LQM21FN100N00L Murata Power inductor D0805S0010.00/0.060A/0.50Rk
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
LQM21FN100N00L LQM21FN100N00L MURATA LQM21FN100N00L.PDF description Category: SMD 0805 inductors
Description: Inductor: ferrite; SMD; 0805; 10uH; 60mA; 0.65Ω; 15MHz; ±30%; LQM
Type of inductor: ferrite
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Inductance: 10µH
Operating current: 60mA
Resistance: 0.65Ω
Tolerance: ±30%
Resonant frequency: 15MHz
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: LQM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 35720 Stücke:
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470+0.15 EUR
770+ 0.094 EUR
1020+ 0.071 EUR
1080+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 470
100N03LS
Hersteller: infineon
08+
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100N03MS
Hersteller: infineon
08+
auf Bestellung 150000 Stücke:
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381LL682M100N062 381LL.pdf
381LL682M100N062
Hersteller: Cornell Dubilier - CDE
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 6800uF 100V 20% 8K hours
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Anzahl Preis ohne MwSt
2+47.87 EUR
10+ 46.9 EUR
20+ 39.08 EUR
50+ 34.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC100N03MSGATMA1 Infineon_BSC100N03MSG_DS_v02_01_en-1226358.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
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Anzahl Preis ohne MwSt
40+1.33 EUR
45+ 1.16 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 40
BSC100N06LS3 G Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf
BSC100N06LS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 213 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
19+2.78 EUR
23+ 2.3 EUR
100+ 1.79 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.24 EUR
2500+ 1.16 EUR
5000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 4215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.74 EUR
70+ 1.03 EUR
91+ 0.79 EUR
96+ 0.75 EUR
500+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 41
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4215 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.74 EUR
70+ 1.03 EUR
91+ 0.79 EUR
96+ 0.75 EUR
500+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 41
BSC100N06LS3GATMA1 Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 39800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+2.81 EUR
23+ 2.3 EUR
100+ 1.79 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.2 EUR
2500+ 1.18 EUR
5000+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BSC100N06LS3GATMA1 490bsc100n06ls3_rev2.2.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSZ100N03LS G Infineon_BSZ100N03LS_G_DataSheet_v02_02_EN-3360996.pdf
BSZ100N03LS G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4407 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
28+1.86 EUR
32+ 1.65 EUR
100+ 1.12 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.8 EUR
2500+ 0.73 EUR
5000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSZ100N03LSGATMA1 infineon-bsz100n03lsg-datasheet-v02_01-en.pdf
BSZ100N03LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSZ100N03MS G Infineon_BSZ100N03MS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360905.pdf
BSZ100N03MS G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+1.98 EUR
30+ 1.74 EUR
100+ 1.19 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.85 EUR
2500+ 0.84 EUR
5000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BSZ100N03MSGATMA1 infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSZ100N03MSGATMA1 Infineon_BSZ100N03MS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360905.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 14346 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.77 EUR
34+ 1.53 EUR
100+ 1.09 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.73 EUR
2500+ 0.72 EUR
5000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 30
BSZ100N06LS3 G Infineon_BSZ100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361137.pdf
BSZ100N06LS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 9186 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.65 EUR
24+ 2.2 EUR
100+ 1.71 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.18 EUR
2500+ 1.11 EUR
5000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BSZ100N06LS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8
auf Bestellung 2618 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
6+1.17 EUR
10+ 1 EUR
100+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSZ100N06LS3GATMA1 bsz100n06ls3_rev2.0.pdf
BSZ100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon_BSZ100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361137.pdf
BSZ100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 16227 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.68 EUR
24+ 2.2 EUR
100+ 1.71 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.12 EUR
5000+ 1.06 EUR
10000+ 1.05 EUR
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BSZ100N06NS Infineon_BSZ100N06NS_DataSheet_v02_02_EN-3361138.pdf
BSZ100N06NS
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 20857 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+2.03 EUR
32+ 1.67 EUR
100+ 1.3 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 0.9 EUR
5000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BSZ100N06NSATMA1 Infineon_BSZ100N06NS_DataSheet_v02_02_EN-3361138.pdf
BSZ100N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 34377 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+2.01 EUR
32+ 1.66 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 0.84 EUR
5000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26
DI100N04PQ-AQ
DI100N04PQ-AQ
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4915 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
13+4.24 EUR
16+ 3.3 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.97 EUR
1000+ 1.9 EUR
2500+ 1.68 EUR
5000+ 1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
HSMH-A100-N00J1 HSMH-A100-L00J1.pdf
HSMH-A100-N00J1
Hersteller: BROADCOM (AVAGO)
Category: SMD colour LEDs
Description: LED; SMD; 3528,PLCC2; red; 28.5÷50mcd; 3.5x2.8x1.9mm; 120°; 20mA
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.9...2.6V
LED colour: red
Type of diode: LED
Wavelength: 637nm
LED lens: transparent
Luminosity: 28.5...50mcd
LED current: 20mA
Viewing angle: 120°
Dimensions: 3.5x2.8x1.9mm
Case: 3528; PLCC2
Power: 60mW
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1300 Stücke:
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IAUC100N04S6L014ATMA1
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MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IAUC100N04S6L020ATMA1
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MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IAUC100N04S6N015ATMA1
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MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IAUC100N04S6N022ATMA1
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MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon_IAUC100N04S6N028_DataSheet_v01_00_EN-1840535.pdf
IAUC100N04S6N028ATMA1
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MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon_IAUC100N08S5N031_DS_v01_00_EN-1578815.pdf
IAUC100N08S5N031ATMA1
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MOSFET MOSFET_(75V 120V(
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IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon_IAUC100N08S5N043_DS_v01_00_EN-1578739.pdf
IAUC100N08S5N043ATMA1
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MOSFET MOSFET_(75V 120V(
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IPB100N04S204ATMA4 Infineon_IPB100N04S2_04_DataSheet_v01_00_EN-2320670.pdf
IPB100N04S204ATMA4
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MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IPB100N04S4-H2 Infineon_IPP_B_I100N04S4_H2_DS_v01_00_en-1730684.pdf
IPB100N04S4-H2
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MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon_IPP_B_I100N04S4_H2_DS_v01_00_en-1730684.pdf
IPB100N04S4H2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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IPB100N04S4H2ATMA1 ipp_b_i100n04s4-h2_ds_1_01.pdf
IPB100N04S4H2ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB100N06S205ATMA4 ipp_b100n06s2-05_green.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2
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IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon_IPC100N04S5_1R2_DS_v01_03_EN-1731711.pdf
IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 19938 Stücke:
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IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon_IPC100N04S5_1R7_DS_v01_03_EN-1731696.pdf
IPC100N04S51R7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 292 Stücke:
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IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon_IPC100N04S5_1R9_DS_v01_02_EN-1548221.pdf
IPC100N04S51R9ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
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20+2.7 EUR
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IPC100N04S52R8ATMA1 5119229184915395infineon-ipc100n04s5-2r8-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc101.pdf
IPC100N04S52R8ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon_IPC100N04S5_2R8_DS_v01_00_EN-1731771.pdf
IPC100N04S52R8ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
auf Bestellung 18651 Stücke:
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16+3.28 EUR
21+ 2.51 EUR
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500+ 1.79 EUR
1000+ 1.38 EUR
2500+ 1.37 EUR
5000+ 1.29 EUR
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IPC100N04S5L1R1ATMA1 Infineon_IPC100N04S5L_1R1_DS_v01_02_EN-1731729.pdf
IPC100N04S5L1R1ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
auf Bestellung 9795 Stücke:
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11+4.73 EUR
13+ 4.08 EUR
100+ 3.41 EUR
500+ 3.04 EUR
1000+ 2.68 EUR
2500+ 2.63 EUR
5000+ 2.59 EUR
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IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon_IPC100N04S5L_1R9_DS_v01_03_EN-1731751.pdf
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 39890 Stücke:
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20+2.7 EUR
24+ 2.24 EUR
100+ 1.79 EUR
500+ 1.68 EUR
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IPC100N04S5L2R6ATMA1 Infineon_IPC100N04S5L_2R6_DS_v01_00_EN-1731640.pdf
IPC100N04S5L2R6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
auf Bestellung 16140 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
16+3.28 EUR
22+ 2.37 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.79 EUR
1000+ 1.38 EUR
2500+ 1.37 EUR
5000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IPD100N04S4-02 Infineon_IPD100N04S4_02_DS_v01_00_en-3360273.pdf
IPD100N04S4-02
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 11806 Stücke:
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10+5.49 EUR
13+ 4.29 EUR
100+ 3.64 EUR
250+ 3.35 EUR
500+ 3.04 EUR
1000+ 2.6 EUR
2500+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IPD100N04S402ATMA1 ipd100n04s4-02_ds_1_0.pdf
IPD100N04S402ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD100N04S4L02ATMA1 Infineon_IPD100N04S4L_02_DS_v01_00_EN-1901241.pdf
IPD100N04S4L02ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 2490 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
9+6.21 EUR
11+ 5.17 EUR
100+ 4.11 EUR
250+ 3.8 EUR
500+ 3.43 EUR
1000+ 2.94 EUR
2500+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IPD100N06S403ATMA2 INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IPD100N06S403ATMA2 Infineon_IPD100N06S4_03_DS_v01_00_en-1227019.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET
auf Bestellung 4741 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+5.23 EUR
13+ 4.13 EUR
100+ 3.46 EUR
250+ 3.2 EUR
500+ 2.91 EUR
1000+ 2.49 EUR
2500+ 2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IPP100N04S303AKSA1 ipp_b_i100n04s3-03_ds_1_0.pdf
IPP100N04S303AKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP100N06S2L05AKSA2 Infineon_IPP_B100N06S2L_05_DS_v01_00_en-1731949.pdf
IPP100N06S2L05AKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+9.54 EUR
10+ 8.01 EUR
25+ 7.57 EUR
100+ 6.47 EUR
250+ 6.11 EUR
500+ 5.56 EUR
1000+ 4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IPP100N08N3GXKSA1 IPP100N08N3G-DTE.pdf
IPP100N08N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IPP100N08N3GXKSA1 IPP100N08N3G-DTE.pdf
IPP100N08N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+10.21 EUR
15+ 4.76 EUR
41+ 1.74 EUR
1000+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IXTP100N04T2 IXTA(P)100N04T2.pdf
IXTP100N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+2.46 EUR
33+ 2.22 EUR
41+ 1.76 EUR
44+ 1.66 EUR
250+ 1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IXTP100N04T2 media-3319125.pdf
IXTP100N04T2
Hersteller: IXYS
MOSFET 100 Amps 40V
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+6.42 EUR
11+ 5.17 EUR
100+ 4.24 EUR
250+ 4.06 EUR
500+ 3.59 EUR
1000+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9
LQM21FN100N00L description JELF243B-0006.pdf
Hersteller: Murata Elektronik GmbH
Power inductor; SMD0805; inductance: 10uH; 30%; current: 0.060A; resistance: 0.65R; 1MHz; operating temperature: -40°C ~ 85°C LQM21FN100N00L Murata Power inductor D0805S0010.00/0.060A/0.50Rk
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
LQM21FN100N00L description LQM21FN100N00L.PDF
LQM21FN100N00L
Hersteller: MURATA
Category: SMD 0805 inductors
Description: Inductor: ferrite; SMD; 0805; 10uH; 60mA; 0.65Ω; 15MHz; ±30%; LQM
Type of inductor: ferrite
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Inductance: 10µH
Operating current: 60mA
Resistance: 0.65Ω
Tolerance: ±30%
Resonant frequency: 15MHz
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: LQM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 35720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
470+0.15 EUR
770+ 0.094 EUR
1020+ 0.071 EUR
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Mindestbestellmenge: 470
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