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10nH 10% 0603 (SWI0603CT10NK-Hitano) Induktivität 10nH 10% 0603 (SWI0603CT10NK-Hitano) Induktivität
Produktcode: 13555 		Hitano SWI0603CT_080418.pdf Drosseln > Induktivität 0603
Nennwert: 10nH
Genauigkeit: ±10%
Größe: 0603
Eigenschaften: Draht auf Keramik; IDC max=700mA
№ 6: 480 mA
Опір: 0,195 Ohm
auf Bestellung 2695 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.17 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.084 EUR
1000+ 0.075 EUR
STP10NK60Z STP10NK60Z
Produktcode: 14727 		ST STP10NK60Z.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
JHGF: THT
auf Bestellung 116 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.4 EUR
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775 		ST STP10NK60Z.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 800 Stück
1+0.76 EUR
10+ 0.72 EUR
STW10NK80Z STW10NK80Z
Produktcode: 2065 		ST STW10NK80Z.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 15 Stück
1+7 EUR
10+ 6.11 EUR
10NK HH2520
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AIAC-0805C-10NK-T AIAC-0805C-10NK-T ABRACON AIAC_0805C-3318067.pdf RF Inductors - SMD FIXED IND 10NH 900MA 5.4 MOHM
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
69+ 0.75 EUR
100+ 0.63 EUR
1000+ 0.56 EUR
4000+ 0.54 EUR
8000+ 0.51 EUR
24000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 56
AIAC-0805C-10NK-T AIAC-0805C-10NK-T Abracon LLC AIAC-0805C.pdf Description: FIXED IND 10NH 900MA 5.4MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.112" L x 0.071" W (2.85mm x 1.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 5.4mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 300MHz
Frequency - Self Resonant: 3GHz
Material - Core: Air
Inductance Frequency - Test: 300 MHz
Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 nH
Current Rating (Amps): 900 mA
auf Bestellung 1823 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
21+1.27 EUR
24+ 1.09 EUR
26+ 1 EUR
50+ 0.91 EUR
100+ 0.81 EUR
250+ 0.76 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 21
DKIH-3237-1010-NK SCHURTER typ_DKIH-1.pdf DKIH-3237-1010-NK Toroidal inductors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.32 EUR
4+ 20.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
DKIH-3237-1010-NK DKIH-3237-1010-NK Schurter typ_DKIH_1-1276015.pdf Common Mode Chokes / Filters 10A 2X6.9mH SINGLE PHASE CHOKE
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+46.96 EUR
40+ 41.78 EUR
120+ 37.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DKIH-3237-1010-NK DKIH-3237-1010-NK SCHURTER Inc. typ_DKIH-1.pdf Description: CMC 10A 2LN TH
Packaging: Bulk
Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin
Size / Dimension: 1.457" Dia (37.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Approval Agency: ENEC, UR
Height (Max): 1.024" (26.00mm)
Current Rating (Max): 10A
DC Resistance (DCR) (Max): 10mOhm
Part Status: Active
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+48.07 EUR
L-05B10NKV6T L-05B10NKV6T Johanson Technology jti-cat-rf-ind-844822.pdf RF Inductors - SMD 10nH 10%
auf Bestellung 11248 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
216+0.24 EUR
541+ 0.096 EUR
741+ 0.07 EUR
1053+ 0.049 EUR
2500+ 0.047 EUR
15000+ 0.036 EUR
90000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 216
L-14W10NKV4E L-14W10NKV4E Johanson Technology johanson_jtins00019_1-1746979.pdf RF Inductors - SMD 10nH 10%
auf Bestellung 2816 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
108+0.48 EUR
129+ 0.41 EUR
179+ 0.29 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 108
S51-PR-2-C10-NK IDEC IDEC_S51Series-1902367.pdf Photoelectric Sensors 952701231 Sensor M18 tubular
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+148.33 EUR
10+ 124.9 EUR
25+ 117.1 EUR
50+ 114.53 EUR
100+ 112.09 EUR
250+ 108.24 EUR
500+ 102.8 EUR
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 STMicroelectronics stb10nk60z-1850246.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.61 EUR
10+ 7.2 EUR
25+ 7.15 EUR
100+ 5.82 EUR
250+ 5.8 EUR
500+ 5.2 EUR
1000+ 4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 2689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.55 EUR
10+ 7.17 EUR
100+ 5.8 EUR
500+ 5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STFU10NK60Z STFU10NK60Z STMicroelectronics stfu10nk60z-1850917.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.68 Ohm typ 10 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
auf Bestellung 2062 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.87 EUR
17+ 3.12 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.12 EUR
1000+ 1.73 EUR
2000+ 1.52 EUR
5000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STFU10NK60Z STFU10NK60Z STMicroelectronics en.DM00256590.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.85 EUR
50+ 3.09 EUR
100+ 2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.69 EUR
51+ 1.42 EUR
54+ 1.33 EUR
68+ 1.06 EUR
72+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 43
STP10NK60Z ST en.CD00002815.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C; STP10NK60Z TSTP10NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
51+ 1.42 EUR
54+ 1.33 EUR
68+ 1.06 EUR
72+ 1 EUR
250+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 43
STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics stb10nk60z-1850246.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 4171 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.98 EUR
10+ 6.73 EUR
25+ 5.23 EUR
100+ 4.68 EUR
250+ 4.65 EUR
500+ 4.37 EUR
1000+ 3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.93 EUR
50+ 6.28 EUR
100+ 5.38 EUR
500+ 4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP STMicroelectronics STP10NK60ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.43 EUR
37+ 1.94 EUR
41+ 1.74 EUR
72+ 1 EUR
76+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP STMicroelectronics STP10NK60ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
37+ 1.94 EUR
41+ 1.74 EUR
72+ 1 EUR
76+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30
STP10NK60ZFP ST en.CD00002815.pdf description N-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω STP10NK60ZFP TSTP10NK60ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP10NK60ZFP ST en.CD00002815.pdf description N-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω STP10NK60ZFP TSTP10NK60ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP STMicroelectronics stb10nk60z-1850246.pdf description MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.44 EUR
10+ 6.37 EUR
25+ 5.72 EUR
100+ 5.36 EUR
250+ 5.1 EUR
500+ 4.89 EUR
1000+ 4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP STMicroelectronics en.CD00002815.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.27 EUR
50+ 6.55 EUR
100+ 5.61 EUR
500+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STP10NK70Z STP10NK70Z STMicroelectronics en.CD00003116.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.41 EUR
50+ 4.34 EUR
100+ 4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STP10NK70ZFP STP10NK70ZFP STMicroelectronics stp10nk70zfp.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+1.86 EUR
44+ 1.66 EUR
49+ 1.49 EUR
55+ 1.3 EUR
59+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 39
STP10NK70ZFP STP10NK70ZFP STMicroelectronics stp10nk70zfp.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
44+ 1.66 EUR
49+ 1.49 EUR
55+ 1.3 EUR
59+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 39
STP10NK70ZFP STP10NK70ZFP STMicroelectronics stp10nk70zfp-1851478.pdf MOSFET N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+10.04 EUR
10+ 9.15 EUR
25+ 7.96 EUR
100+ 6.81 EUR
250+ 6.63 EUR
500+ 6.06 EUR
1000+ 5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STP10NK70ZFP STP10NK70ZFP STMicroelectronics en.CD00003116.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 19 Stücke:
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3+9.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP10NK80Z ST en.CD00003020.pdf N-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z-1851531.pdf MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
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3+10.17 EUR
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500+ 6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
43+ 1.7 EUR
47+ 1.54 EUR
50+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
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33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
43+ 1.7 EUR
47+ 1.54 EUR
50+ 1.46 EUR
250+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STP10NK80ZFP ST en.CD00003020.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 40W; -55°C ~ 150°C; STP10NK80ZFP TSTP10NK80ZFP
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10+4.52 EUR
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STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics stp10nk80z-1851531.pdf description MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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1000+ 5.04 EUR
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STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
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3+10.3 EUR
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100+ 7 EUR
500+ 6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 28
STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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28+2.56 EUR
120+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 28
STW10NK60Z ST en.CD00002815.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C; STW10NK60Z TSTW10NK60Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
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10+4.62 EUR
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STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics stb10nk60z-1850246.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
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10+ 8.24 EUR
25+ 7.51 EUR
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250+ 6.29 EUR
600+ 5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 421 Stücke:
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3+9.78 EUR
30+ 7.74 EUR
120+ 6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STW10NK80Z ST en.CD00003020.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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5+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z-1851531.pdf description MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 516 Stücke:
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5+12.12 EUR
10+ 10.19 EUR
25+ 7.2 EUR
100+ 6.89 EUR
250+ 6.58 EUR
600+ 5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.04 EUR
30+ 9.54 EUR
120+ 8.17 EUR
510+ 7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
040210NK TOKO
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2520-10NK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
543LL2012F10NK TOKO
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
80110NK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
CI201209-10NK
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
CIH21T10NKNE
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
CIL10T10NKNC
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
CIL10T10NKNC 0603L
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10nH 10% 0603 (SWI0603CT10NK-Hitano) Induktivität
Produktcode: 13555		 SWI0603CT_080418.pdf
10nH 10% 0603 (SWI0603CT10NK-Hitano) Induktivität
Hersteller: Hitano
Drosseln > Induktivität 0603
Nennwert: 10nH
Genauigkeit: ±10%
Größe: 0603
Eigenschaften: Draht auf Keramik; IDC max=700mA
№ 6: 480 mA
Опір: 0,195 Ohm
auf Bestellung 2695 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.17 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.084 EUR
1000+ 0.075 EUR
STP10NK60Z
Produktcode: 14727		 STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
JHGF: THT
auf Bestellung 116 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.4 EUR
STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775		 description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 800 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.76 EUR
10+ 0.72 EUR
STW10NK80Z
Produktcode: 2065		 description STW10NK80Z.pdf
STW10NK80Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 15 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7 EUR
10+ 6.11 EUR
10NK
HH2520
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AIAC-0805C-10NK-T AIAC_0805C-3318067.pdf
AIAC-0805C-10NK-T
Hersteller: ABRACON
RF Inductors - SMD FIXED IND 10NH 900MA 5.4 MOHM
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
56+0.94 EUR
69+ 0.75 EUR
100+ 0.63 EUR
1000+ 0.56 EUR
4000+ 0.54 EUR
8000+ 0.51 EUR
24000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 56
AIAC-0805C-10NK-T AIAC-0805C.pdf
AIAC-0805C-10NK-T
Hersteller: Abracon LLC
Description: FIXED IND 10NH 900MA 5.4MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.112" L x 0.071" W (2.85mm x 1.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 5.4mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 300MHz
Frequency - Self Resonant: 3GHz
Material - Core: Air
Inductance Frequency - Test: 300 MHz
Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 nH
Current Rating (Amps): 900 mA
auf Bestellung 1823 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+1.27 EUR
24+ 1.09 EUR
26+ 1 EUR
50+ 0.91 EUR
100+ 0.81 EUR
250+ 0.76 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 21
DKIH-3237-1010-NK typ_DKIH-1.pdf
Hersteller: SCHURTER
DKIH-3237-1010-NK Toroidal inductors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+29.32 EUR
4+ 20.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
DKIH-3237-1010-NK typ_DKIH_1-1276015.pdf
DKIH-3237-1010-NK
Hersteller: Schurter
Common Mode Chokes / Filters 10A 2X6.9mH SINGLE PHASE CHOKE
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+46.96 EUR
40+ 41.78 EUR
120+ 37.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DKIH-3237-1010-NK typ_DKIH-1.pdf
DKIH-3237-1010-NK
Hersteller: SCHURTER Inc.
Description: CMC 10A 2LN TH
Packaging: Bulk
Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin
Size / Dimension: 1.457" Dia (37.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Approval Agency: ENEC, UR
Height (Max): 1.024" (26.00mm)
Current Rating (Max): 10A
DC Resistance (DCR) (Max): 10mOhm
Part Status: Active
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+48.07 EUR
L-05B10NKV6T jti-cat-rf-ind-844822.pdf
L-05B10NKV6T
Hersteller: Johanson Technology
RF Inductors - SMD 10nH 10%
auf Bestellung 11248 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
216+0.24 EUR
541+ 0.096 EUR
741+ 0.07 EUR
1053+ 0.049 EUR
2500+ 0.047 EUR
15000+ 0.036 EUR
90000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 216
L-14W10NKV4E johanson_jtins00019_1-1746979.pdf
L-14W10NKV4E
Hersteller: Johanson Technology
RF Inductors - SMD 10nH 10%
auf Bestellung 2816 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
108+0.48 EUR
129+ 0.41 EUR
179+ 0.29 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 108
S51-PR-2-C10-NK IDEC_S51Series-1902367.pdf
Hersteller: IDEC
Photoelectric Sensors 952701231 Sensor M18 tubular
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+148.33 EUR
10+ 124.9 EUR
25+ 117.1 EUR
50+ 114.53 EUR
100+ 112.09 EUR
250+ 108.24 EUR
500+ 102.8 EUR
STB10NK60ZT4 stb10nk60z-1850246.pdf
STB10NK60ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+8.61 EUR
10+ 7.2 EUR
25+ 7.15 EUR
100+ 5.82 EUR
250+ 5.8 EUR
500+ 5.2 EUR
1000+ 4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STB10NK60ZT4 en.CD00002815.pdf
STB10NK60ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 2689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+8.55 EUR
10+ 7.17 EUR
100+ 5.8 EUR
500+ 5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STB10NK60ZT4 en.CD00002815.pdf
STB10NK60ZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
STFU10NK60Z stfu10nk60z-1850917.pdf
STFU10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.68 Ohm typ 10 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
auf Bestellung 2062 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.87 EUR
17+ 3.12 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.12 EUR
1000+ 1.73 EUR
2000+ 1.52 EUR
5000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STFU10NK60Z en.DM00256590.pdf
STFU10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+3.85 EUR
50+ 3.09 EUR
100+ 2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP10NK60Z STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.69 EUR
51+ 1.42 EUR
54+ 1.33 EUR
68+ 1.06 EUR
72+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 43
STP10NK60Z en.CD00002815.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C; STP10NK60Z TSTP10NK60Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.69 EUR
51+ 1.42 EUR
54+ 1.33 EUR
68+ 1.06 EUR
72+ 1 EUR
250+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 4171 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+7.98 EUR
10+ 6.73 EUR
25+ 5.23 EUR
100+ 4.68 EUR
250+ 4.65 EUR
500+ 4.37 EUR
1000+ 3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP10NK60Z en.CD00002815.pdf
STP10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+7.93 EUR
50+ 6.28 EUR
100+ 5.38 EUR
500+ 4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STP10NK60ZFP description STP10NK60ZFP.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+2.43 EUR
37+ 1.94 EUR
41+ 1.74 EUR
72+ 1 EUR
76+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30
STP10NK60ZFP description STP10NK60ZFP.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+2.43 EUR
37+ 1.94 EUR
41+ 1.74 EUR
72+ 1 EUR
76+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30
STP10NK60ZFP description en.CD00002815.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω STP10NK60ZFP TSTP10NK60ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP10NK60ZFP description en.CD00002815.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω STP10NK60ZFP TSTP10NK60ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP10NK60ZFP description stb10nk60z-1850246.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+7.44 EUR
10+ 6.37 EUR
25+ 5.72 EUR
100+ 5.36 EUR
250+ 5.1 EUR
500+ 4.89 EUR
1000+ 4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP10NK60ZFP description en.CD00002815.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+8.27 EUR
50+ 6.55 EUR
100+ 5.61 EUR
500+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STP10NK70Z en.CD00003116.pdf
STP10NK70Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+5.41 EUR
50+ 4.34 EUR
100+ 4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STP10NK70ZFP stp10nk70zfp.pdf
STP10NK70ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
39+1.86 EUR
44+ 1.66 EUR
49+ 1.49 EUR
55+ 1.3 EUR
59+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 39
STP10NK70ZFP stp10nk70zfp.pdf
STP10NK70ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
39+1.86 EUR
44+ 1.66 EUR
49+ 1.49 EUR
55+ 1.3 EUR
59+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 39
STP10NK70ZFP stp10nk70zfp-1851478.pdf
STP10NK70ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+10.04 EUR
10+ 9.15 EUR
25+ 7.96 EUR
100+ 6.81 EUR
250+ 6.63 EUR
500+ 6.06 EUR
1000+ 5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STP10NK70ZFP en.CD00003116.pdf
STP10NK70ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+9.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP10NK80Z en.CD00003020.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STP10NK80Z STP10NK80ZFP.pdf
STP10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STP10NK80Z stp10nk80z-1851531.pdf
STP10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+5.85 EUR
10+ 5.36 EUR
25+ 5.17 EUR
100+ 4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STP10NK80Z en.CD00003020.pdf
STP10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+10.17 EUR
50+ 8.05 EUR
100+ 6.9 EUR
500+ 6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP10NK80ZFP description STP10NK80ZFP.pdf
STP10NK80ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
43+ 1.7 EUR
47+ 1.54 EUR
50+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STP10NK80ZFP description STP10NK80ZFP.pdf
STP10NK80ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
43+ 1.7 EUR
47+ 1.54 EUR
50+ 1.46 EUR
250+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STP10NK80ZFP description en.CD00003020.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 40W; -55°C ~ 150°C; STP10NK80ZFP TSTP10NK80ZFP
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP10NK80ZFP description stp10nk80z-1851531.pdf
STP10NK80ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+9.93 EUR
10+ 8.45 EUR
25+ 7.9 EUR
100+ 6.71 EUR
500+ 6.27 EUR
1000+ 5.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STP10NK80ZFP description en.CD00003020.pdf
STP10NK80ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+10.3 EUR
50+ 8.17 EUR
100+ 7 EUR
500+ 6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW10NK60Z STP10NK60Z.pdf
STW10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 28
STW10NK60Z STP10NK60Z.pdf
STW10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+2.56 EUR
120+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 28
STW10NK60Z en.CD00002815.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C; STW10NK60Z TSTW10NK60Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STW10NK60Z stb10nk60z-1850246.pdf
STW10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+9.83 EUR
10+ 8.24 EUR
25+ 7.51 EUR
100+ 6.68 EUR
250+ 6.29 EUR
600+ 5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STW10NK60Z en.CD00002815.pdf
STW10NK60Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+9.78 EUR
30+ 7.74 EUR
120+ 6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW10NK80Z description STP10NK80ZFP.pdf
STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW10NK80Z description en.CD00003020.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW10NK80Z description stp10nk80z-1851531.pdf
STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+12.12 EUR
10+ 10.19 EUR
25+ 7.2 EUR
100+ 6.89 EUR
250+ 6.58 EUR
600+ 5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STW10NK80Z description en.CD00003020.pdf
STW10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+12.04 EUR
30+ 9.54 EUR
120+ 8.17 EUR
510+ 7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
040210NK
Hersteller: TOKO
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2520-10NK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
543LL2012F10NK
Hersteller: TOKO
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
80110NK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
CI201209-10NK
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
CIH21T10NKNE
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
CIL10T10NKNC
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
CIL10T10NKNC
0603L
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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