Suchergebnisse für "16n6" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Mindestbestellmenge: 8
Mindestbestellmenge: 54
Mindestbestellmenge: 8
Mindestbestellmenge: 685
Mindestbestellmenge: 41
Mindestbestellmenge: 6
Mindestbestellmenge: 5
Mindestbestellmenge: 9
Mindestbestellmenge: 9
Mindestbestellmenge: 13
Mindestbestellmenge: 13
Mindestbestellmenge: 23
Mindestbestellmenge: 14
Mindestbestellmenge: 10
Mindestbestellmenge: 10
Mindestbestellmenge: 21
Mindestbestellmenge: 8
Mindestbestellmenge: 15
Mindestbestellmenge: 10
Mindestbestellmenge: 28
Mindestbestellmenge: 28
Mindestbestellmenge: 11
Mindestbestellmenge: 19
Mindestbestellmenge: 19
Mindestbestellmenge: 10
Mindestbestellmenge: 9
Mindestbestellmenge: 10
Mindestbestellmenge: 10
Mindestbestellmenge: 5
Mindestbestellmenge: 7
Mindestbestellmenge: 10
Mindestbestellmenge: 6
Mindestbestellmenge: 4
Mindestbestellmenge: 49
Mindestbestellmenge: 49
Mindestbestellmenge: 56
Mindestbestellmenge: 56
Mindestbestellmenge: 44
Mindestbestellmenge: 44
Mindestbestellmenge: 48
Mindestbestellmenge: 48
Mindestbestellmenge: 61
Mindestbestellmenge: 61
Mindestbestellmenge: 9
Mindestbestellmenge: 6
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF16N65M5 Produktcode: 201571 |
IC > IC andere |
erwartet:
5 Stück
|
|||||||||||||||||
16N60007 | Conec | 16N60007 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
16N60008 | Conec | 16N60008 |
auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
16N61001 | Conec | 0 |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
16N61003 | Conec | 16N61003 |
auf Bestellung 1312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
AS0816N6GTR | KYOCERA AVX | RF Inductors - SMD 16.6nH 2% SQUARE AIR CORE |
auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FCP16N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-CH MOSFET SuperFET |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 112-126 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
FCPF16N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-CH SuperFET |
auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IXFA16N60P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IXFA16N60P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IXFP16N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO220AB On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IXFP16N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO220AB On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
PBES16N60R | TE Connectivity / Alcoswitch | Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
RG3216N-6200-B-T1 | Susumu | Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 620 ohm, 0.1%, 10ppm |
auf Bestellung 1682 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STD16N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
auf Bestellung 9605 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STD16N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STD16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STD16N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.279Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STD16N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp |
auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STD16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
STF16N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STF16N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STF16N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STF16N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STF16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STF16N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.279Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STF16N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.279Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STF16N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH |
auf Bestellung 12101 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STL16N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STL16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 126-140 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STP16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STP16N65M5 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STP16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
STP16N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 112-126 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
STU16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package |
auf Bestellung 1988 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
TK16N60W,S1VF | Toshiba | MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
TRS16N65FB,S1Q | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
WML16N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
WML16N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
WMM16N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
WMM16N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
WMM16N60FD | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
WMM16N60FD | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
WMN16N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
WMN16N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
WMO16N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
WMO16N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
250R16N681JV3E |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
FCP16N60 |
auf Bestellung 16663 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
PC816N6 |
auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
PRN10016N68R0G |
auf Bestellung 222500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
PRN10016N68ROG |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
SDH16N60P | SW | 05+ |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
SDL16N60P | SW | 05+ |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
SGL16N60UFD |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
STF16N65M5 |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
STI16N65M5 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
2381881-3 | TE Connectivity / Alcoswitch | Switch Actuators PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
BSC016N06NS | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS |
auf Bestellung 12870 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IPB016N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 1958 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
16N60007 |
Hersteller: Conec
16N60007
16N60007
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 19.74 EUR |
16N60008 |
Hersteller: Conec
16N60008
16N60008
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
54+ | 2.94 EUR |
200+ | 2.73 EUR |
16N61001 |
Hersteller: Conec
0
0
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 19.74 EUR |
16N61003 |
Hersteller: Conec
16N61003
16N61003
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
685+ | 0.23 EUR |
AS0816N6GTR |
Hersteller: KYOCERA AVX
RF Inductors - SMD 16.6nH 2% SQUARE AIR CORE
RF Inductors - SMD 16.6nH 2% SQUARE AIR CORE
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
41+ | 1.28 EUR |
48+ | 1.1 EUR |
100+ | 0.81 EUR |
1000+ | 0.59 EUR |
2000+ | 0.5 EUR |
50000+ | 0.49 EUR |
100000+ | 0.47 EUR |
FCP16N60 |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CH MOSFET SuperFET
MOSFET 600V N-CH MOSFET SuperFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 112-126 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 9.65 EUR |
10+ | 8.66 EUR |
FCPF16N60 |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CH SuperFET
MOSFET 600V N-CH SuperFET
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 10.53 EUR |
10+ | 8.81 EUR |
50+ | 8.32 EUR |
100+ | 7.12 EUR |
250+ | 6.73 EUR |
500+ | 6.34 EUR |
1000+ | 5.36 EUR |
IXFA16N60P3 |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 8.89 EUR |
12+ | 6.03 EUR |
IXFA16N60P3 |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 8.89 EUR |
12+ | 6.03 EUR |
IXFP16N60P3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 5.65 EUR |
15+ | 5.08 EUR |
18+ | 4.05 EUR |
19+ | 3.83 EUR |
IXFP16N60P3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 5.65 EUR |
15+ | 5.08 EUR |
18+ | 4.05 EUR |
19+ | 3.83 EUR |
PBES16N60R |
Hersteller: TE Connectivity / Alcoswitch
Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 124.93 EUR |
5+ | 114.3 EUR |
10+ | 107.61 EUR |
25+ | 99.5 EUR |
50+ | 90.71 EUR |
100+ | 87.05 EUR |
250+ | 86.66 EUR |
RG3216N-6200-B-T1 |
Hersteller: Susumu
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 620 ohm, 0.1%, 10ppm
Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 1206 size, 1/4W, 620 ohm, 0.1%, 10ppm
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 2.27 EUR |
33+ | 1.6 EUR |
35+ | 1.51 EUR |
50+ | 1.22 EUR |
100+ | 1.07 EUR |
250+ | 1.01 EUR |
500+ | 0.82 EUR |
STD16N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 9605 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 3.74 EUR |
16+ | 3.25 EUR |
100+ | 2.78 EUR |
250+ | 2.65 EUR |
500+ | 2.44 EUR |
1000+ | 2.04 EUR |
STD16N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.33 EUR |
12+ | 4.42 EUR |
100+ | 3.54 EUR |
250+ | 3.28 EUR |
500+ | 2.94 EUR |
1000+ | 2.7 EUR |
2500+ | 2.32 EUR |
STD16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.28 EUR |
12+ | 4.37 EUR |
100+ | 3.48 EUR |
500+ | 2.94 EUR |
1000+ | 2.44 EUR |
2500+ | 2.32 EUR |
5000+ | 2.24 EUR |
STD16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
21+ | 3.55 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
27+ | 2.72 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
STD16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 7.05 EUR |
10+ | 5.93 EUR |
100+ | 4.78 EUR |
250+ | 4.63 EUR |
500+ | 4.26 EUR |
1000+ | 3.69 EUR |
2500+ | 3.41 EUR |
STD16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STF16N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
15+ | 3.51 EUR |
18+ | 3.04 EUR |
100+ | 2.68 EUR |
250+ | 2.3 EUR |
500+ | 2.23 EUR |
1000+ | 2.17 EUR |
2000+ | 2.13 EUR |
STF16N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.56 EUR |
12+ | 4.6 EUR |
100+ | 4.34 EUR |
250+ | 4.32 EUR |
500+ | 3.67 EUR |
1000+ | 3.12 EUR |
2000+ | 2.86 EUR |
STF16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
28+ | 2.65 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
STF16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
28+ | 2.65 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
500+ | 1.53 EUR |
1000+ | 1.52 EUR |
STF16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
11+ | 4.99 EUR |
16+ | 3.35 EUR |
100+ | 2.96 EUR |
500+ | 2.65 EUR |
1000+ | 2.47 EUR |
2000+ | 2.29 EUR |
STF16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
19+ | 3.93 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
26+ | 2.79 EUR |
28+ | 2.63 EUR |
STF16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
19+ | 3.93 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
26+ | 2.79 EUR |
28+ | 2.63 EUR |
STF16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
auf Bestellung 12101 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.28 EUR |
11+ | 5.17 EUR |
25+ | 4.45 EUR |
100+ | 3.95 EUR |
250+ | 3.93 EUR |
500+ | 3.69 EUR |
STL16N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 5.9 EUR |
11+ | 4.91 EUR |
100+ | 3.93 EUR |
250+ | 3.87 EUR |
500+ | 3.3 EUR |
1000+ | 2.81 EUR |
3000+ | 2.63 EUR |
STL16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.49 EUR |
12+ | 4.58 EUR |
100+ | 3.64 EUR |
250+ | 3.35 EUR |
500+ | 3.04 EUR |
1000+ | 2.6 EUR |
3000+ | 2.47 EUR |
STP16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.56 EUR |
16+ | 3.28 EUR |
100+ | 2.94 EUR |
1000+ | 2.47 EUR |
5000+ | 2.42 EUR |
10000+ | 2.37 EUR |
STP16N65M5 |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 7.22 EUR |
STP16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STP16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 112-126 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 7.54 EUR |
10+ | 6.34 EUR |
25+ | 5.98 EUR |
100+ | 5.12 EUR |
250+ | 4.84 EUR |
500+ | 4.58 EUR |
1000+ | 3.93 EUR |
STU16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.46 EUR |
12+ | 4.39 EUR |
100+ | 3.64 EUR |
250+ | 3.33 EUR |
500+ | 3.04 EUR |
1000+ | 2.47 EUR |
3000+ | 2.39 EUR |
TK16N60W,S1VF |
Hersteller: Toshiba
MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 9.75 EUR |
10+ | 9.31 EUR |
30+ | 7.72 EUR |
120+ | 6.6 EUR |
270+ | 6.53 EUR |
510+ | 5.88 EUR |
1020+ | 4.73 EUR |
TRS16N65FB,S1Q |
Hersteller: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 14.43 EUR |
10+ | 10.43 EUR |
120+ | 9.57 EUR |
270+ | 9.52 EUR |
510+ | 8.66 EUR |
1020+ | 7.02 EUR |
2520+ | 6.99 EUR |
WML16N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
WML16N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
500+ | 0.97 EUR |
WMM16N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
56+ | 1.29 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
WMM16N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
56+ | 1.29 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
800+ | 0.89 EUR |
WMM16N60FD |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
44+ | 1.66 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
WMM16N60FD |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
44+ | 1.66 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
800+ | 1.16 EUR |
WMN16N65C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
48+ | 1.49 EUR |
WMN16N65C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
48+ | 1.49 EUR |
500+ | 0.89 EUR |
WMO16N65C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
61+ | 1.19 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
WMO16N65C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
61+ | 1.19 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
2500+ | 0.82 EUR |
2381881-3 |
Hersteller: TE Connectivity / Alcoswitch
Switch Actuators PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
Switch Actuators PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 134.78 EUR |
50+ | 133.07 EUR |
100+ | 94.9 EUR |
250+ | 94.64 EUR |
350+ | 92.85 EUR |
1050+ | 92.3 EUR |
2800+ | 92.22 EUR |
BSC016N06NS |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 12870 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 6.11 EUR |
11+ | 5.1 EUR |
100+ | 4.06 EUR |
250+ | 3.74 EUR |
500+ | 3.41 EUR |
1000+ | 2.94 EUR |
5000+ | 2.68 EUR |
IPB016N06L3 G |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 9.33 EUR |
10+ | 7.85 EUR |
25+ | 7.41 EUR |
100+ | 6.37 EUR |
250+ | 6.01 EUR |
500+ | 5.67 EUR |
1000+ | 4.78 EUR |
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]