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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IXFK220N15P Produktcode: 163720 |
IXYS |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 150 V Idd,A: 220 A Rds(on), Ohm: 9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 15,4/162 JHGF: THT |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MKS4-220N15/630 Produktcode: 110672 |
WIMA |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 220 nF Nennspannung, V: 400 VAC Präzision: ±10% K Abstand ausg. und Abmessungen: 15 mm Abschwächungskonstante: 8x15x18 mm |
auf Bestellung 22 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MKS4S032206D00KYSD (MKS4-220N/1500) 220нФ 1.5кВ DC, 400В AC Produktcode: 82374 |
WIMA |
Kondensatoren > Folienkondensatoren Kapazität: 220 nF Nennspannung, V: 1,5k V Präzision: ±20% M Abstand ausg. und Abmessungen: 27,5 mm Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліестер Abschwächungskonstante: 13x24x31,5 mm |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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20N120CND | HAR | TO-3 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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1EDI20N12AF | Infineon Technologies | Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu |
auf Bestellung 3874 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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1EDI20N12AFXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output |
auf Bestellung 6885 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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ADUM120N1BRZ | AD - Analog Devices |
Digital Isolator CMOS 2-CH 150Mbps 8-Pin SOIC N ADUM120N1BRZ-RL7 ADUM120N1BRZ UIADUM120n1brz Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ADUM120N1BRZ-RL7 | Analog Devices | Digital Isolators 3.0 kV rms, Dual-Channel Digital Isolators |
auf Bestellung 3944 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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AFBR-S20N1N256 | Broadcom / Avago | Optical Sensor Development Tools spectr. Qneo 256 900-1700 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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AP2120N-1.8TRG1 | DIODES INCORPORATED |
Category: LDO unregulated voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; SOT23; SMD Manufacturer series: AP2120 Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Case: SOT23 Tolerance: ±2% Output voltage: 1.8V Output current: 0.15A Voltage drop: 0.5V Type of integrated circuit: voltage regulator Number of channels: 1 Input voltage: 2...6V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 4680 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ATSAMC20N17A-ANT | Microchip Technology | ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R |
auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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ATSAMC20N18A-ANT | Microchip Technology | ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R |
auf Bestellung 964 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSC120N12LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 4048 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSZ520N15NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 45312 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 59659 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BW-20N100W+ | Mini-Circuits | Attenuators - Interconnects FXD ATTEN /N/20DB 100W RoHS |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DAMI220N150 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 780A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A On-state resistance: 6.7mΩ Power dissipation: 273W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: -20...20V Pulsed drain current: 780A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DAMI320N100 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 280A; SOT227B; screw; Idm: 900A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 280A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 424W Case: SOT227B Gate-source voltage: -20...20V On-state resistance: 2.1mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DS1001-02-20N13 | CONNFLY (Zhenqin) |
2x10pin; SMT; pitch 2.54mm, bushing, gold plated contacts; row spacing: 7.62mm DS1001-02-20N13 CONNFLY DIP Socket 20pin P20S Anzahl je Verpackung: 24 Stücke |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ET220N12-Z | Nidec Copal Electronics |
Category: Toggle Switches Description: Switch: toggle; Pos: 2; DPDT; ON-ON; 20A/125VAC; Toggle: round; ET Manufacturer series: ET Number of positions: 2 Max. contact resistance:: 20mΩ Min. insulation resistance: 0.1GΩ Body dimensions: 28.6x16x14.5mm Leads: for soldering Type of switch: toggle Contacts configuration: DPDT AC contacts rating @R: 20A / 125V AC Switching method: ON-ON Stable positions number: 2 Kind of toggle: round Knob height: 17mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDB120N10 | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench |
auf Bestellung 4193 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IGQ120N120S7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IHW20N120R5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop |
auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IHW20N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW20N135R3 | Infineon |
40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode IHW20N135R3 TIHW20n135r3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW20N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 20A Power dissipation: 144W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW20N140R5LXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKQ120N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKQ120N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
auf Bestellung 1377 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKY120N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules INDUSTRY 14 |
auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPB120N10S403ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPB120N10S405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ |
auf Bestellung 15924 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPG20N10S436AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ |
auf Bestellung 4960 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPG20N10S4L-22A | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
auf Bestellung 5065 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPG20N10S4L-35 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET |
auf Bestellung 7965 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
auf Bestellung 4278 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET |
auf Bestellung 5580 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPG20N10S4L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPG20N10S4L35ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET |
auf Bestellung 31260 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPT020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 24445 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPT020N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 1964 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IQD020N10NM5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IQD020N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 4899 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 2484 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXDH20N120 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 175ns Turn-off time: 570ns |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXDH20N120 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 175ns Turn-off time: 570ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH120N15P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 120A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH20N100P | IXYS | MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFH320N10T2 | IXYS | MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A |
auf Bestellung 1203 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFK220N15P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 220A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 220A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 162nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFK420N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 420A Power dissipation: 1670W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 670nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 140ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN20N120P | IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 595W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 570mΩ Gate charge: 193nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 300ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN20N120P | IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 595W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 570mΩ Gate charge: 193nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 300ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFN420N10T | IXYS | Discrete Semiconductor Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFR20N120P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A Power dissipation: 290W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFR20N120P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A Power dissipation: 290W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT120N15P | IXYS | MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFT320N10T2 | IXYS | MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET |
auf Bestellung 1525 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFK220N15P Produktcode: 163720 |
Hersteller: IXYS
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 150 V
Idd,A: 220 A
Rds(on), Ohm: 9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 15,4/162
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 150 V
Idd,A: 220 A
Rds(on), Ohm: 9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 15,4/162
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)MKS4-220N15/630 Produktcode: 110672 |
Hersteller: WIMA
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 220 nF
Nennspannung, V: 400 VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: 15 mm
Abschwächungskonstante: 8x15x18 mm
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 220 nF
Nennspannung, V: 400 VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: 15 mm
Abschwächungskonstante: 8x15x18 mm
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)MKS4S032206D00KYSD (MKS4-220N/1500) 220нФ 1.5кВ DC, 400В AC Produktcode: 82374 |
Hersteller: WIMA
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 220 nF
Nennspannung, V: 1,5k V
Präzision: ±20% M
Abstand ausg. und Abmessungen: 27,5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліестер
Abschwächungskonstante: 13x24x31,5 mm
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 220 nF
Nennspannung, V: 1,5k V
Präzision: ±20% M
Abstand ausg. und Abmessungen: 27,5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліестер
Abschwächungskonstante: 13x24x31,5 mm
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)1EDI20N12AF |
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
auf Bestellung 3874 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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13+ | 4 EUR |
15+ | 3.61 EUR |
100+ | 2.89 EUR |
250+ | 2.7 EUR |
500+ | 2.38 EUR |
1000+ | 1.97 EUR |
2500+ | 1.84 EUR |
1EDI20N12AFXUMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
Gate Drivers 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
auf Bestellung 6885 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 3.98 EUR |
16+ | 3.33 EUR |
100+ | 2.86 EUR |
250+ | 2.68 EUR |
500+ | 2.1 EUR |
1000+ | 1.89 EUR |
2500+ | 1.8 EUR |
ADUM120N1BRZ |
Hersteller: AD - Analog Devices
Digital Isolator CMOS 2-CH 150Mbps 8-Pin SOIC N ADUM120N1BRZ-RL7 ADUM120N1BRZ UIADUM120n1brz
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Digital Isolator CMOS 2-CH 150Mbps 8-Pin SOIC N ADUM120N1BRZ-RL7 ADUM120N1BRZ UIADUM120n1brz
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 5.69 EUR |
ADUM120N1BRZ-RL7 |
Hersteller: Analog Devices
Digital Isolators 3.0 kV rms, Dual-Channel Digital Isolators
Digital Isolators 3.0 kV rms, Dual-Channel Digital Isolators
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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11+ | 5.02 EUR |
12+ | 4.39 EUR |
100+ | 3.9 EUR |
250+ | 3.69 EUR |
500+ | 3.28 EUR |
1000+ | 2.94 EUR |
2000+ | 2.86 EUR |
AFBR-S20N1N256 |
Hersteller: Broadcom / Avago
Optical Sensor Development Tools spectr. Qneo 256 900-1700
Optical Sensor Development Tools spectr. Qneo 256 900-1700
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 11033.33 EUR |
AP2120N-1.8TRG1 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: LDO unregulated voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; SOT23; SMD
Manufacturer series: AP2120
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Case: SOT23
Tolerance: ±2%
Output voltage: 1.8V
Output current: 0.15A
Voltage drop: 0.5V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Input voltage: 2...6V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: LDO unregulated voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; SOT23; SMD
Manufacturer series: AP2120
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Case: SOT23
Tolerance: ±2%
Output voltage: 1.8V
Output current: 0.15A
Voltage drop: 0.5V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Input voltage: 2...6V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4680 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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315+ | 0.23 EUR |
780+ | 0.092 EUR |
880+ | 0.082 EUR |
1020+ | 0.07 EUR |
1080+ | 0.066 EUR |
ATSAMC20N17A-ANT |
Hersteller: Microchip Technology
ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R
ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 10.58 EUR |
10+ | 10.56 EUR |
25+ | 9.96 EUR |
100+ | 9.33 EUR |
1000+ | 9.31 EUR |
ATSAMC20N18A-ANT |
Hersteller: Microchip Technology
ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R
ARM Microcontrollers - MCU 100 TQFP,105C TEMP, GREEN, 5V, 48MHZ,T&R
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 10.63 EUR |
10+ | 10.61 EUR |
25+ | 10.17 EUR |
100+ | 9.75 EUR |
1000+ | 9.72 EUR |
BSC120N12LSGATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 4048 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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12+ | 4.68 EUR |
15+ | 3.69 EUR |
100+ | 3.12 EUR |
250+ | 3.04 EUR |
500+ | 2.63 EUR |
1000+ | 2.12 EUR |
BSZ520N15NS3 G |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 45312 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 3.93 EUR |
17+ | 3.22 EUR |
100+ | 2.51 EUR |
500+ | 2.12 EUR |
1000+ | 1.72 EUR |
5000+ | 1.53 EUR |
BSZ520N15NS3GATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 59659 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 3.87 EUR |
17+ | 3.17 EUR |
100+ | 2.47 EUR |
500+ | 1.99 EUR |
1000+ | 1.56 EUR |
2500+ | 1.54 EUR |
5000+ | 1.53 EUR |
BW-20N100W+ |
Hersteller: Mini-Circuits
Attenuators - Interconnects FXD ATTEN /N/20DB 100W RoHS
Attenuators - Interconnects FXD ATTEN /N/20DB 100W RoHS
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1326.75 EUR |
DAMI220N150 |
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 780A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 6.7mΩ
Power dissipation: 273W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate-source voltage: -20...20V
Pulsed drain current: 780A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 780A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 6.7mΩ
Power dissipation: 273W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate-source voltage: -20...20V
Pulsed drain current: 780A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 36.82 EUR |
3+ | 34.81 EUR |
DAMI320N100 |
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 280A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 280A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 424W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 280A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 280A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 424W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 47.56 EUR |
DS1001-02-20N13 |
Hersteller: CONNFLY (Zhenqin)
2x10pin; SMT; pitch 2.54mm, bushing, gold plated contacts; row spacing: 7.62mm DS1001-02-20N13 CONNFLY DIP Socket 20pin P20S
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
2x10pin; SMT; pitch 2.54mm, bushing, gold plated contacts; row spacing: 7.62mm DS1001-02-20N13 CONNFLY DIP Socket 20pin P20S
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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24+ | 1.29 EUR |
ET220N12-Z |
Hersteller: Nidec Copal Electronics
Category: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; DPDT; ON-ON; 20A/125VAC; Toggle: round; ET
Manufacturer series: ET
Number of positions: 2
Max. contact resistance:: 20mΩ
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Body dimensions: 28.6x16x14.5mm
Leads: for soldering
Type of switch: toggle
Contacts configuration: DPDT
AC contacts rating @R: 20A / 125V AC
Switching method: ON-ON
Stable positions number: 2
Kind of toggle: round
Knob height: 17mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; DPDT; ON-ON; 20A/125VAC; Toggle: round; ET
Manufacturer series: ET
Number of positions: 2
Max. contact resistance:: 20mΩ
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Body dimensions: 28.6x16x14.5mm
Leads: for soldering
Type of switch: toggle
Contacts configuration: DPDT
AC contacts rating @R: 20A / 125V AC
Switching method: ON-ON
Stable positions number: 2
Kind of toggle: round
Knob height: 17mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 17.88 EUR |
6+ | 11.91 EUR |
25+ | 8.38 EUR |
100+ | 8.29 EUR |
FDB120N10 |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
auf Bestellung 4193 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 7.33 EUR |
10+ | 6.16 EUR |
25+ | 6.14 EUR |
100+ | 4.99 EUR |
500+ | 4.97 EUR |
800+ | 3.56 EUR |
IGQ120N120S7XKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 35.13 EUR |
10+ | 30.94 EUR |
25+ | 30.13 EUR |
50+ | 28.44 EUR |
100+ | 26.78 EUR |
240+ | 25.92 EUR |
480+ | 24.23 EUR |
IHW20N120R5 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 7.9 EUR |
10+ | 7.36 EUR |
25+ | 6.32 EUR |
100+ | 5.43 EUR |
240+ | 5.3 EUR |
480+ | 4.16 EUR |
1200+ | 3.93 EUR |
IHW20N120R5XKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 5.16 EUR |
16+ | 4.65 EUR |
21+ | 3.56 EUR |
22+ | 3.36 EUR |
IHW20N120R5XKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 5.16 EUR |
16+ | 4.65 EUR |
21+ | 3.56 EUR |
22+ | 3.36 EUR |
IHW20N135R3 |
Hersteller: Infineon
40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode IHW20N135R3 TIHW20n135r3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode IHW20N135R3 TIHW20n135r3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 8.67 EUR |
IHW20N135R5XKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
16+ | 4.72 EUR |
17+ | 4.23 EUR |
21+ | 3.4 EUR |
IHW20N135R5XKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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16+ | 4.72 EUR |
17+ | 4.23 EUR |
21+ | 3.4 EUR |
IHW20N140R5LXKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 6.73 EUR |
10+ | 5.67 EUR |
25+ | 5.36 EUR |
100+ | 4.58 EUR |
240+ | 4.32 EUR |
480+ | 4.03 EUR |
1200+ | 3.46 EUR |
IKQ120N120CH7XKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 34.53 EUR |
10+ | 30.42 EUR |
25+ | 29.59 EUR |
50+ | 27.95 EUR |
100+ | 26.31 EUR |
240+ | 25.45 EUR |
480+ | 23.82 EUR |
IKQ120N120CS7XKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 1377 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 41.7 EUR |
10+ | 36.76 EUR |
25+ | 35.75 EUR |
50+ | 33.77 EUR |
100+ | 31.8 EUR |
240+ | 30.78 EUR |
480+ | 28.81 EUR |
IKY120N120CH7XKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules INDUSTRY 14
IGBT Modules INDUSTRY 14
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 35.23 EUR |
10+ | 31.04 EUR |
25+ | 30.21 EUR |
50+ | 28.52 EUR |
100+ | 26.83 EUR |
240+ | 26 EUR |
480+ | 24.31 EUR |
IPB120N10S403ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 100+
MOSFET N-CHANNEL 100+
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 12.38 EUR |
10+ | 10.4 EUR |
25+ | 9.83 EUR |
100+ | 8.42 EUR |
250+ | 7.96 EUR |
500+ | 7.46 EUR |
1000+ | 6.4 EUR |
IPB120N10S405ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 100+
MOSFET N-CHANNEL 100+
auf Bestellung 15924 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 6.47 EUR |
10+ | 5.43 EUR |
100+ | 4.47 EUR |
IPG20N10S436AATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 100+
MOSFET N-CHANNEL 100+
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 3.95 EUR |
17+ | 3.12 EUR |
100+ | 2.49 EUR |
500+ | 2.14 EUR |
1000+ | 1.64 EUR |
5000+ | 1.55 EUR |
IPG20N10S4L-22A |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 5065 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
12+ | 4.42 EUR |
15+ | 3.67 EUR |
100+ | 2.94 EUR |
250+ | 2.7 EUR |
500+ | 2.44 EUR |
1000+ | 2.11 EUR |
2500+ | 2 EUR |
IPG20N10S4L-35 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
auf Bestellung 7965 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 3.8 EUR |
17+ | 3.12 EUR |
100+ | 2.42 EUR |
500+ | 2.06 EUR |
1000+ | 1.68 EUR |
2500+ | 1.58 EUR |
5000+ | 1.51 EUR |
IPG20N10S4L22AATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 4278 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
15+ | 3.64 EUR |
18+ | 2.99 EUR |
100+ | 2.63 EUR |
250+ | 2.59 EUR |
500+ | 2.3 EUR |
1000+ | 2 EUR |
IPG20N10S4L22ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
auf Bestellung 5580 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 4.19 EUR |
16+ | 3.33 EUR |
100+ | 2.81 EUR |
500+ | 2.44 EUR |
1000+ | 1.97 EUR |
2500+ | 1.96 EUR |
5000+ | 1.9 EUR |
IPG20N10S4L35AATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 3.9 EUR |
17+ | 3.2 EUR |
100+ | 2.49 EUR |
500+ | 2.12 EUR |
1000+ | 1.62 EUR |
5000+ | 1.54 EUR |
IPG20N10S4L35ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
auf Bestellung 31260 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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15+ | 3.67 EUR |
19+ | 2.78 EUR |
100+ | 2.3 EUR |
500+ | 2.03 EUR |
1000+ | 1.58 EUR |
5000+ | 1.51 EUR |
IPT020N10N5ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 24445 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 15.68 EUR |
10+ | 13.44 EUR |
25+ | 12.71 EUR |
100+ | 11.21 EUR |
250+ | 11.02 EUR |
500+ | 9.88 EUR |
1000+ | 8.89 EUR |
IPT020N13NM6ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 17.13 EUR |
10+ | 14.69 EUR |
25+ | 13.31 EUR |
100+ | 12.25 EUR |
250+ | 11.54 EUR |
500+ | 10.82 EUR |
1000+ | 9.72 EUR |
IQD020N10NM5ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 11.23 EUR |
10+ | 9.46 EUR |
25+ | 8.92 EUR |
100+ | 7.64 EUR |
250+ | 7.23 EUR |
500+ | 6.79 EUR |
1000+ | 5.82 EUR |
IQD020N10NM5CGATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 4899 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 11.23 EUR |
10+ | 9.46 EUR |
25+ | 8.92 EUR |
100+ | 7.64 EUR |
250+ | 7.23 EUR |
500+ | 6.79 EUR |
1000+ | 5.82 EUR |
ISC320N12LM6ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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15+ | 3.69 EUR |
18+ | 3.04 EUR |
100+ | 2.37 EUR |
500+ | 2.01 EUR |
1000+ | 1.64 EUR |
2500+ | 1.54 EUR |
5000+ | 1.47 EUR |
IXDH20N120 |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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9+ | 8.51 EUR |
12+ | 6.09 EUR |
13+ | 5.76 EUR |
IXDH20N120 |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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9+ | 8.51 EUR |
12+ | 6.09 EUR |
13+ | 5.76 EUR |
IXFH120N15P |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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9+ | 8.78 EUR |
10+ | 7.36 EUR |
IXFH20N100P |
Hersteller: IXYS
MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 30.91 EUR |
10+ | 27.22 EUR |
30+ | 26.49 EUR |
60+ | 25.04 EUR |
120+ | 23.56 EUR |
270+ | 22.8 EUR |
510+ | 21.35 EUR |
IXFH320N10T2 |
Hersteller: IXYS
MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 37.41 EUR |
10+ | 34.29 EUR |
30+ | 30.29 EUR |
60+ | 30.26 EUR |
120+ | 28.5 EUR |
270+ | 28.18 EUR |
510+ | 25.82 EUR |
IXFK220N15P |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 220A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 220A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IXFK420N10T |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IXFN20N120P |
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 570mΩ
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 570mΩ
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 51.42 EUR |
10+ | 50.54 EUR |
IXFN20N120P |
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 570mΩ
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 570mΩ
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 51.42 EUR |
10+ | 50.54 EUR |
IXFN420N10T |
Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Discrete Semiconductor Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 78.03 EUR |
10+ | 67.81 EUR |
20+ | 65.03 EUR |
50+ | 64.01 EUR |
100+ | 60.35 EUR |
200+ | 57.46 EUR |
500+ | 57.02 EUR |
IXFR20N120P |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 29.23 EUR |
IXFR20N120P |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 29.23 EUR |
IXFT120N15P |
Hersteller: IXYS
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 26.13 EUR |
10+ | 22.41 EUR |
30+ | 18.67 EUR |
120+ | 17.6 EUR |
270+ | 17.55 EUR |
2520+ | 16.38 EUR |
IXFT320N10T2 |
Hersteller: IXYS
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 50.88 EUR |
10+ | 44.82 EUR |
60+ | 41.55 EUR |
120+ | 38.77 EUR |
270+ | 37.18 EUR |
510+ | 35.13 EUR |
2520+ | 32.81 EUR |
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