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FGA25N120ANTD FGA25N120ANTD
Produktcode: 34959 		FAIR FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
auf Bestellung 59 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 150 Stück:
150 Stück - erwartet
1+2.7 EUR
25N120
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.25 EUR
13+ 5.69 EUR
14+ 5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IGW25N120H3FKSA1 Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e 50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+13.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.25 EUR
13+ 5.69 EUR
14+ 5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 3248 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.48 EUR
30+ 9.9 EUR
120+ 8.48 EUR
510+ 7.54 EUR
1020+ 6.46 EUR
2010+ 6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW25N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2acb89b20c1 Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.9 EUR
30+ 6.26 EUR
120+ 5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+20.23 EUR
30+ 16.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.72 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.77 EUR
30+ 11.79 EUR
120+ 10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.87 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.04 EUR
100+ 6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IKW25N120T2FKSA1 Infineon IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.87 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.04 EUR
100+ 6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.21 EUR
30+ 12.15 EUR
120+ 10.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRG8P25N120KD-EPBF IRG8P25N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRG8P25N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 9825 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
73+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 73
IRG8P25N120KDPBF IRG8P25N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 13927 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
87+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 87
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA-BP Micro Commercial Co MIW25N120FA(TO-247AB).pdf Description: IGBT 1200V 25A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 158ns/331ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+12.64 EUR
10+ 10.61 EUR
100+ 8.58 EUR
500+ 7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NGTB25N120FL2WAG NGTB25N120FL2WAG onsemi ngtb25n120fl2wa-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 8762 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
118+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 118
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG onsemi ngtb25n120fl2w-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+17.32 EUR
30+ 13.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG onsemi ngtb25n120fl3w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.79 EUR
30+ 11.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NGTG25N120FL2WG NGTG25N120FL2WG onsemi ONSMS38797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 48084 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
113+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 113
SKW25N120 SKW25N120 INFINEON TECHNOLOGIES SKW25N120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.78 EUR
5+ 14.31 EUR
6+ 13.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SKW25N120 SKW25N120 INFINEON TECHNOLOGIES SKW25N120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.78 EUR
5+ 14.31 EUR
6+ 13.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
6MBI25N-120 FUJI MODULE
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120AN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga25n120antdtu-d.pdf
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120D FAIRCHILD 2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGH25N120FTDS ON Semiconductor fgh25n120ftds-d.pdf
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQA25N120D XI.M.Z 2002 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
G25N120 TOSHIBA 2002 TO-3PL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
G25N120CND FAIR ZIP-3;
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGW25N120H3FKSA1 Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IHW25N120 MODULE
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IHW25N120R2 Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MGY25N120CX
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NGTB25N120SWG ON Semiconductor ngtb25n120sw-d.pdf
auf Bestellung 19 Stücke:
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SDH25N120P SW 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
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SDL25N120P SW 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
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SGA25N120ANTD
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SGH25N120RUF
auf Bestellung 6491 Stücke:
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SGH25N120RUFD
auf Bestellung 3250 Stücke:
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SGL25N120RUF
auf Bestellung 10000 Stücke:
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SGL25N120RUFD
auf Bestellung 10000 Stücke:
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SKW25N120FKSA1 Infineon SKW25N120_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427fc7f3d32
auf Bestellung 120 Stücke:
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TD25N1200
auf Bestellung 30 Stücke:
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TD25N1200KOC AEG 05+
auf Bestellung 400 Stücke:
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TD25N1200KOF AEG
auf Bestellung 100 Stücke:
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TT25N1200KOC AEG
auf Bestellung 100 Stücke:
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Транзистор IGBT FGA25N120ANTD 25A 1200V TO-3P
auf Bestellung 19 Stücke:
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Транзистор IGBT IKW25N120H3 25A 1200V TO-247
auf Bestellung 7 Stücke:
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FQA25N120D (Transistor)
Produktcode: 76065 		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IGW25N120H3
Produktcode: 160434 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW25N120H3 IKW25N120H3
Produktcode: 113551 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW25N120T2 IKW25N120T2
Produktcode: 39789 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
KGT25N120NDA
Produktcode: 178327 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
SGW25N120 SGW25N120
Produktcode: 37466 		Infineon SGW25N120_Rev2_5G.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200
Vce: 3,1
Ic 25: 46
Ic 100: 25
Pd 25: 313
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 45/730
Produkt ist nicht verfügbar
SKW25N120
Produktcode: 26558 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
FGA25N120ANDTU FGA25N120ANDTU onsemi FGA25N120AND.pdf Description: IGBT 1200V 40A 310W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/170ns
Switching Energy: 4.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 310 W
Produkt ist nicht verfügbar
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU onsemi fga25n120antdtu-d.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
Produkt ist nicht verfügbar
FGA25N120ANTD
Produktcode: 34959		 FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf
FGA25N120ANTD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
auf Bestellung 59 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 150 Stück:
150 Stück - erwartet
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.7 EUR
25N120
auf Bestellung 2006 Stücke:
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IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3-DTE.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.25 EUR
13+ 5.69 EUR
14+ 5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
Hersteller: Infineon
50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+13.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3-DTE.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.25 EUR
13+ 5.69 EUR
14+ 5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 3248 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+12.48 EUR
30+ 9.9 EUR
120+ 8.48 EUR
510+ 7.54 EUR
1020+ 6.46 EUR
2010+ 6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IHW25N120E1XKSA1 Infineon-IHW25N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2acb89b20c1
IHW25N120E1XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+7.9 EUR
30+ 6.26 EUR
120+ 5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW25N120CS7XKSA1 Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3
IKW25N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+20.23 EUR
30+ 16.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+9.72 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IKW25N120H3FKSA1 Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+14.77 EUR
30+ 11.79 EUR
120+ 10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+10.87 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.04 EUR
100+ 6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
Hersteller: Infineon
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+14.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+10.87 EUR
10+ 7.45 EUR
11+ 7.04 EUR
100+ 6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+15.21 EUR
30+ 12.15 EUR
120+ 10.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRG8P25N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P25N120KD-EPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRG8P25N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 9825 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
73+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 73
IRG8P25N120KDPBF IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P25N120KDPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 13927 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
87+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 87
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA(TO-247AB).pdf
MIW25N120FA-BP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: IGBT 1200V 25A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 158ns/331ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+12.64 EUR
10+ 10.61 EUR
100+ 8.58 EUR
500+ 7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NGTB25N120FL2WAG ngtb25n120fl2wa-d.pdf
NGTB25N120FL2WAG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 8762 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
118+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 118
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
NGTB25N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 47 Stücke:
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NGTB25N120FL3WG ngtb25n120fl3w-d.pdf
NGTB25N120FL3WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 61 Stücke:
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NGTG25N120FL2WG ONSMS38797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NGTG25N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 48084 Stücke:
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113+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 113
SKW25N120 SKW25N120.pdf
SKW25N120
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 8 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
4+20.78 EUR
5+ 14.31 EUR
6+ 13.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SKW25N120 SKW25N120.pdf
SKW25N120
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
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5+ 14.31 EUR
6+ 13.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
6MBI25N-120
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 160 Stücke:
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FGA25N120AN
auf Bestellung 18000 Stücke:
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FGA25N120ANTDTU-F109 fga25n120antdtu-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 4200 Stücke:
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FGA25N120D
Hersteller: FAIRCHILD
2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
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FGH25N120FTDS fgh25n120ftds-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQA25N120D
Hersteller: XI.M.Z
2002 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
G25N120
Hersteller: TOSHIBA
2002 TO-3PL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
G25N120CND
Hersteller: FAIR
ZIP-3;
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 180 Stücke:
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IHW25N120
MODULE
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IHW25N120R2
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MGY25N120CX
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NGTB25N120SWG ngtb25n120sw-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SDH25N120P
Hersteller: SW
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SDL25N120P
Hersteller: SW
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGA25N120ANTD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGH25N120RUF
auf Bestellung 6491 Stücke:
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SGH25N120RUFD
auf Bestellung 3250 Stücke:
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SGL25N120RUF
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGL25N120RUFD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SKW25N120FKSA1 SKW25N120_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427fc7f3d32
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 120 Stücke:
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TD25N1200
auf Bestellung 30 Stücke:
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TD25N1200KOC
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TD25N1200KOF
Hersteller: AEG
auf Bestellung 100 Stücke:
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TT25N1200KOC
Hersteller: AEG
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Транзистор IGBT FGA25N120ANTD 25A 1200V TO-3P
auf Bestellung 19 Stücke:
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Транзистор IGBT IKW25N120H3 25A 1200V TO-247
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQA25N120D (Transistor)
Produktcode: 76065
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IGW25N120H3
Produktcode: 160434
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW25N120H3
Produktcode: 113551
IKW25N120H3
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW25N120T2
Produktcode: 39789
IKW25N120T2
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
KGT25N120NDA
Produktcode: 178327
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
SGW25N120
Produktcode: 37466		 SGW25N120_Rev2_5G.pdf
SGW25N120
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200
Vce: 3,1
Ic 25: 46
Ic 100: 25
Pd 25: 313
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 45/730
Produkt ist nicht verfügbar
SKW25N120
Produktcode: 26558
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
FGA25N120ANDTU FGA25N120AND.pdf
FGA25N120ANDTU
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 1200V 40A 310W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/170ns
Switching Energy: 4.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 310 W
Produkt ist nicht verfügbar
FGA25N120ANTDTU fga25n120antdtu-d.pdf
FGA25N120ANTDTU
Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
Produkt ist nicht verfügbar
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