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HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D
Produktcode: 122684 		Fairchild hgtp12n60c3d-1010383.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 28/270
auf Bestellung 13 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N60C CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD2N60CTM Fairchild fqu2n60c-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FQI12N60CTU FQI12N60CTU Fairchild Semiconductor FAIRS25683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
275+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 275
FQP12N60C FQP12N60C Fairchild Semiconductor FAIRS46957-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
auf Bestellung 4340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
166+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 166
FQP2N60C ON-Semicoductor FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FQPF2N60C ON-Semicoductor FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FQPF2N60C FQPF2N60C Fairchild Semiconductor FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
auf Bestellung 21339 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
501+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 501
FQU2N60CTU Fairchild fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU2N60CTU TFQU2n60ctu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
HGT1S12N60C3 HGT1S12N60C3 Harris Corporation HRISS480-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
195+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 195
HGT1S12N60C3D HGT1S12N60C3D Harris Corporation HRISS481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
226+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 226
HGT1S12N60C3DS HGT1S12N60C3DS Fairchild Semiconductor FAIRS45387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
143+5.04 EUR
Mindestbestellmenge: 143
HGT1S12N60C3R HGT1S12N60C3R Harris Corporation HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
229+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 229
HGT1S12N60C3S9AR4501 HGT1S12N60C3S9AR4501 Harris Corporation Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
190+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 190
HGTG12N60C3D HGTG12N60C3D Harris Corporation HRISS472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: UFS SERIES N-CH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
64+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 64
HGTP12N60C3R HGTP12N60C3R Harris Corporation HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 2724 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
239+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 239
IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 IXYS media-3322241.pdf IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+85.25 EUR
10+ 75.76 EUR
100+ 64.95 EUR
SPB02N60C3ATMA1 SPB02N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB02N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e153f494d Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
473+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 473
SPP02N60C3XKSA1 SPP02N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP02N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d5b09485f Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 73156 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
630+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 630
SPS02N60C3 SPS02N60C3 Infineon Technologies SPS02N60C3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
693+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 693
SPS02N60C3BKMA1 SPS02N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPS02N60C3_rev2.3_2013-07-31.pdf Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 41925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
693+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 693
02N60C3 INFINEON 09+ TO251-3
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FB22N60C IR 2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N60C FAIRCHILD SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N60C FAIRCHILD TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N60C fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N60CTM Fairchild FQB12N60C.pdf
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD2N60C FAIRCHILD TO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD2N60C fairchild to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD2N60C FAIRCHILD 07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD2N60C FAIRCHILD SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQPF12N60C51W Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQU2N60C FAIRCHILD
auf Bestellung 158000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFP22N60C3 IR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFP22N60C3 IR TO-247
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGH32N60CD1 IXYS 97544.pdf MODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGR32N60CD1 IXYS DS98631(IXGR32N60CD1).pdf
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MDF2N60TH=FQPF2N60C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MDP2N60TH=FQP2N60C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
PJ2N60CP
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
S12N60C3
auf Bestellung 4222 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPA12N60C3
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPB02N60C3 INFINEON spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPB02N60C3 INFINEON spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPB02N60C3 INF spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw 08+
auf Bestellung 2193 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPB02N60C3 INFINEON spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPD02N60C3 INFINEON spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPD02N60C3 INFINEON spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPD02N60C3 infineon spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPD02N60C5
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPN02N60C3 INFINEON SPN02N60C3.pdf SOT223 10+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPN02N60C3 INF SPN02N60C3.pdf 09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPS02N60C3 SPS02N60C3.pdf
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPU02N60C3 Infineon technologies Infineon-SPD_U02N60C3-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d79214883
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPU02N60C3 infineon Infineon-SPD_U02N60C3-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d79214883
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSS2N60C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TSM2N60CH
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TSM2N60CP
auf Bestellung 6185 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TSM2N60CPRO
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
HGTP12N60C3D
Produktcode: 122684		 hgtp12n60c3d-1010383.pdf
HGTP12N60C3D
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 28/270
auf Bestellung 13 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N60C
CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD2N60CTM fqu2n60c-d.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FQI12N60CTU FAIRS25683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI12N60CTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
275+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 275
FQP12N60C FAIRS46957-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP12N60C
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
auf Bestellung 4340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
166+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 166
FQP2N60C FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON-Semicoductor
N-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FQPF2N60C FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FQPF2N60C FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF2N60C
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
auf Bestellung 21339 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
501+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 501
FQU2N60CTU fqu2n60c-d.pdf
Hersteller: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU2N60CTU TFQU2n60ctu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
HGT1S12N60C3 HRISS480-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3
Hersteller: Harris Corporation
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
195+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 195
HGT1S12N60C3D HRISS481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3D
Hersteller: Harris Corporation
Description: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
226+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 226
HGT1S12N60C3DS FAIRS45387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3DS
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
143+5.04 EUR
Mindestbestellmenge: 143
HGT1S12N60C3R HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3R
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
229+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 229
HGT1S12N60C3S9AR4501
HGT1S12N60C3S9AR4501
Hersteller: Harris Corporation
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
190+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 190
HGTG12N60C3D HRISS472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG12N60C3D
Hersteller: Harris Corporation
Description: UFS SERIES N-CH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
64+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 64
HGTP12N60C3R HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP12N60C3R
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
auf Bestellung 2724 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
239+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 239
IXGN72N60C3H1 media-3322241.pdf
IXGN72N60C3H1
Hersteller: IXYS
IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+85.25 EUR
10+ 75.76 EUR
100+ 64.95 EUR
SPB02N60C3ATMA1 SPB02N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e153f494d
SPB02N60C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
473+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 473
SPP02N60C3XKSA1 Infineon-SPP02N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d5b09485f
SPP02N60C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 73156 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
630+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 630
SPS02N60C3 SPS02N60C3.pdf
SPS02N60C3
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
693+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 693
SPS02N60C3BKMA1 SPS02N60C3_rev2.3_2013-07-31.pdf
SPS02N60C3BKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 41925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
693+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 693
02N60C3
Hersteller: INFINEON
09+ TO251-3
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FB22N60C
Hersteller: IR
2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N60C
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N60C
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N60C
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N60CTM FQB12N60C.pdf
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD2N60C
Hersteller: FAIRCHILD
TO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD2N60C
Hersteller: fairchild
to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD2N60C
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD2N60C
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQPF12N60C51W
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQU2N60C
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 158000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFP22N60C3
Hersteller: IR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFP22N60C3
Hersteller: IR
TO-247
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGH32N60CD1 97544.pdf
Hersteller: IXYS
MODULE
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGR32N60CD1 DS98631(IXGR32N60CD1).pdf
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MDF2N60TH=FQPF2N60C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MDP2N60TH=FQP2N60C
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
PJ2N60CP
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
S12N60C3
auf Bestellung 4222 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPA12N60C3
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPB02N60C3 spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPB02N60C3 spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON
TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPB02N60C3 spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INF
08+
auf Bestellung 2193 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPB02N60C3 spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPD02N60C3 spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPD02N60C3 spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON
TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPD02N60C3 spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: infineon
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPD02N60C5
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPN02N60C3 SPN02N60C3.pdf
Hersteller: INFINEON
SOT223 10+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPN02N60C3 SPN02N60C3.pdf
Hersteller: INF
09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPS02N60C3 SPS02N60C3.pdf
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPU02N60C3 Infineon-SPD_U02N60C3-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d79214883
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SPU02N60C3 Infineon-SPD_U02N60C3-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d79214883
Hersteller: infineon
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SSS2N60C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TSM2N60CH
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TSM2N60CP
auf Bestellung 6185 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TSM2N60CPRO
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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