Suchergebnisse für "2SK727" : 6
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2SK727 | FUJI |
auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SK727 | FUJI | 2004 TO-3P |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SK72701 |
auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SK727; 5A; 900V; 125W; 2R; +диод; N-канальный; Корпус: TO-3PN (SC-65); FUJI |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK727 Produktcode: 81868 |
NEC |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 (SC-65) Uds,V: 900 Idd,A: 5 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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NTE2377 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 36A; 150W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 8A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
| 2SK727; 5A; 900V; 125W; 2R; +диод; N-канальный; Корпус: TO-3PN (SC-65); FUJI |
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NTE2377 |
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Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 36A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 36A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
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