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ohne MwSt
2SA1215 2SA1215
Produktcode: 112784 		2sa1215_ds_en.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: MT-200
fT: 50 MHz
U, V: 160 V
U, V: 160 V
I, А: 15 A
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1232
Produktcode: 112783 		product125-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3FPA
fT: 60 MHz
U, V: 130 V
U, V: 130 V
I, А: 10 А
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1244Y
Produktcode: 184941 		Toshiba 2sa1244.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: 2-7J1A
fT: 60 MHz
U, V: 50 V
U, V: 60 V
I, А: 5 A
h21,max: 240
auf Bestellung 69 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1249 2SA1249
Produktcode: 35325 		Sanyo 2SA1249.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 120 MHz
U, V: 160
U, V: 180
I, А: 1.5
h21,max: 400
verfügbar: 15 Stück
1+0.45 EUR
10+ 0.34 EUR
2SA1262
Produktcode: 152627 		2sa1262-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 15 MHz
U, V: 60 V
U, V: 60 V
I, А: 4 А
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1263
Produktcode: 152628 		2sa1263-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3PI
fT: 30 MHz
U, V: 80 V
U, V: 80 V
I, А: 6 А
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1267
Produktcode: 152630 		Paco 2sa1267-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 80 MHz
U, V: 50 V
U, V: 50 V
I, А: 0,15 A
auf Bestellung 27 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1270
Produktcode: 152632 		ST 2sa1270-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
U, V: 30 V
U, V: 35 V
I, А: 0,5 A
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1271
Produktcode: 152634 		ST 2sa1271-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 120 MHz
U, V: 30 V
U, V: 35 V
I, А: 0,8 A
auf Bestellung 33 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1276
Produktcode: 152636 		2sa1276-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 100 MHz
U, V: 30 V
U, V: 30 V
I, А: 3 А
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1286
Produktcode: 152638 		datasheet-2sa1286.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 90 MHz
U, V: 20 V
U, V: 30 V
I, А: 1,5 A
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1201 2SA1201 LUGUANG ELECTRONIC 2SA1201.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Current gain: 80...240
Collector-emitter voltage: 120V
Frequency: 120MHz
Power dissipation: 0.5W
auf Bestellung 4941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+0.61 EUR
220+ 0.33 EUR
441+ 0.16 EUR
837+ 0.086 EUR
930+ 0.077 EUR
1163+ 0.061 EUR
1229+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 117
2SA1201 2SA1201 LUGUANG ELECTRONIC 2SA1201.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Current gain: 80...240
Collector-emitter voltage: 120V
Frequency: 120MHz
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
220+ 0.33 EUR
441+ 0.16 EUR
837+ 0.086 EUR
930+ 0.077 EUR
1163+ 0.061 EUR
1229+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 117
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
442+0.36 EUR
445+ 0.34 EUR
545+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 442
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba 2SA1201_datasheet_en_20131101-1649773.pdf Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL
auf Bestellung 29021 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
43+1.23 EUR
50+ 1.05 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.44 EUR
2000+ 0.41 EUR
10000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 43
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1201_datasheet_en_20131101.pdf?did=20286&prodName=2SA1201 Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
25+ 1.04 EUR
100+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 22
2SA1207S-AA 2SA1207S-AA ONSEMI ONSMS23072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1207S-AA - 2SA1207S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 88500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1207S-AA 2SA1207S-AA Sanyo ONSMS23072-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 88500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5323+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
2SA1207T-AA 2SA1207T-AA ONSEMI ONSMS23072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1207T-AA - 2SA1207T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1207T-AA 2SA1207T-AA Sanyo ONSMS23072-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2219+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2SA1208S-AE ONSEMI SNYOS15103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1208S-AE - 2SA1208S-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1208S-AE 2SA1208S-AE onsemi SNYOS15103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 91000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2049+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2049
2SA1208S-AE 2SA1208S-AE Sanyo SNYOS15103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2049+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2049
2SA1208T 2SA1208T ONSEMI SNYOS07410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1208T - 2SA1208T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1208T 2SA1208T onsemi SNYOS07410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 13699 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
2SA1208T 2SA1208T Sanyo SNYOS07410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
2SA1209S 2SA1209S ONSEMI SNYOS09871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1209S - 2SA1209S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1209S 2SA1209S onsemi SNYOS09871-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 10681 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
833+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 833
2SA1213-Y(TE12L,ZC 2SA1213-Y(TE12L,ZC Toshiba 12dst_2sa1213-tde_en_7554.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1213-Y-TP 2SA1213-Y-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SA1213(SOT-89).PDF Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate
auf Bestellung 2213 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
70+ 0.75 EUR
125+ 0.42 EUR
1000+ 0.28 EUR
2000+ 0.27 EUR
10000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 54
2SA1213-Y-TP 2SA1213-Y-TP Micro Commercial Co 2SA1213(SOT-89).PDF Description: TRANS PNP 50V 2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.96 EUR
36+ 0.74 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2SA1221-AZ 2SA1221-AZ Renesas Electronics Corporation NECCS03473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 10579 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
902+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 902
2SA1221-T-AZ 2SA1221-T-AZ Renesas Electronics Corporation NECCS03473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
902+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 902
2SA1222-T-AZ 2SA1222-T-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS175201.pdf Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
628+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 628
2SA1226-T1B-A 2SA1226-T1B-A Renesas 1811439455993770tc-1480a.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.03A 200mW Automotive 3-Pin Mini-Mold
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1232 NEC PNP 10A 130V 100W 60MHz 2SA1232 T2SA1232
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2SA1241-Y(T6L1,NV) 2SA1241-Y(T6L1,NV) Toshiba 2sa1241_datasheet_en_20211217.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+0.42 EUR
374+ 0.41 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 373
2SA1244-Y(T6L1,NQ) 2SA1244-Y(T6L1,NQ) Toshiba 2SA1244_datasheet_en_20131101-1916378.pdf Bipolar Transistors - BJT PB-F POWER TRANSISTOR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.27 EUR
28+ 1.86 EUR
100+ 1.45 EUR
500+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
2SA1244-Y(T6L1,NQ) 2SA1244-Y(T6L1,NQ) Toshiba 4352sa1244_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.12 EUR
212+ 0.72 EUR
228+ 0.62 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 142
2SA1244-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244_datasheet_en_20131101.pdf?did=20304&prodName=2SA1244 Description: PB-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD;
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
15+ 1.85 EUR
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2SA1246T-AA ONSEMI SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1246T-AA - 2SA1246T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1246T-AA onsemi SNYOD00447.pdf Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1902+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1902
2SA1248S 2SA1248S ONSEMI ONSMS23075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1248S - 2SA1248 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1248S 2SA1248S onsemi ONSMS23075-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 15580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
2SA1249S ONSEMI ONSMS23076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1249S - 2SA1249 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1249S onsemi ONSMS23076-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2SA1249 - TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 45528 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1776+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1776
2SA1253T-SPA ONSEMI SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1253T-SPA - 2SA1253T-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1253T-SPA-ON onsemi Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
auf Bestellung 28396 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2664+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2664
2SA1253T-SPA-SY Sanyo Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2664+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2664
2SA1257-5-TB-E ONSEMI SNYOS07400-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1257-5-TB-E - 2SA1257 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1257-5-TB-E 2SA1257-5-TB-E onsemi SNYOS07400-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2219+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2SA1294 SPTECH 2sa1294_ds_en.pdf Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk 2SA1294 Allegro Microsystems T2SA1294
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10
2SA1294 2SA1294 Sanken Electric Company, Ltd. 972sa1294_ds_en.pdf Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.36 EUR
34+ 4.53 EUR
50+ 3.54 EUR
100+ 3.17 EUR
200+ 3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 22
2SA1298-Y,LF 2SA1298-Y,LF Toshiba 2SA1298_datasheet_en_20230821-1150864.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 6373 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
75+ 0.7 EUR
182+ 0.29 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 53
2SA1298-Y,LF 2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1298_datasheet_en_20230821.pdf?did=19261&prodName=2SA1298 Description: TRANS PNP 25V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
38+ 0.69 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 27
2SA1298-Y,LF(B Toshiba 2SA1298-Y,LF(B
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
632+0.25 EUR
656+ 0.23 EUR
1000+ 0.22 EUR
2500+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 632
2SA12 HARRIS CAN
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA120 NEC CAN
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1201 KEXIN 09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1201 TOSHIBA
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1215
Produktcode: 112784		 2sa1215_ds_en.pdf
2SA1215
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: MT-200
fT: 50 MHz
U, V: 160 V
U, V: 160 V
I, А: 15 A
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1232
Produktcode: 112783		 product125-datasheet.pdf
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3FPA
fT: 60 MHz
U, V: 130 V
U, V: 130 V
I, А: 10 А
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1244Y
Produktcode: 184941		 2sa1244.pdf
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: 2-7J1A
fT: 60 MHz
U, V: 50 V
U, V: 60 V
I, А: 5 A
h21,max: 240
auf Bestellung 69 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1249
Produktcode: 35325		 2SA1249.pdf
2SA1249
Hersteller: Sanyo
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 120 MHz
U, V: 160
U, V: 180
I, А: 1.5
h21,max: 400
verfügbar: 15 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.45 EUR
10+ 0.34 EUR
2SA1262
Produktcode: 152627		 2sa1262-datasheet.pdf
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 15 MHz
U, V: 60 V
U, V: 60 V
I, А: 4 А
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1263
Produktcode: 152628		 2sa1263-datasheet.pdf
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3PI
fT: 30 MHz
U, V: 80 V
U, V: 80 V
I, А: 6 А
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1267
Produktcode: 152630		 2sa1267-datasheet.pdf
Hersteller: Paco
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 80 MHz
U, V: 50 V
U, V: 50 V
I, А: 0,15 A
auf Bestellung 27 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1270
Produktcode: 152632		 2sa1270-datasheet.pdf
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
U, V: 30 V
U, V: 35 V
I, А: 0,5 A
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1271
Produktcode: 152634		 2sa1271-datasheet.pdf
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 120 MHz
U, V: 30 V
U, V: 35 V
I, А: 0,8 A
auf Bestellung 33 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1276
Produktcode: 152636		 2sa1276-datasheet.pdf
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 100 MHz
U, V: 30 V
U, V: 30 V
I, А: 3 А
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1286
Produktcode: 152638		 datasheet-2sa1286.pdf
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 90 MHz
U, V: 20 V
U, V: 30 V
I, А: 1,5 A
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA1201 2SA1201.pdf
2SA1201
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Current gain: 80...240
Collector-emitter voltage: 120V
Frequency: 120MHz
Power dissipation: 0.5W
auf Bestellung 4941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
117+0.61 EUR
220+ 0.33 EUR
441+ 0.16 EUR
837+ 0.086 EUR
930+ 0.077 EUR
1163+ 0.061 EUR
1229+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 117
2SA1201 2SA1201.pdf
2SA1201
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Current gain: 80...240
Collector-emitter voltage: 120V
Frequency: 120MHz
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
117+0.61 EUR
220+ 0.33 EUR
441+ 0.16 EUR
837+ 0.086 EUR
930+ 0.077 EUR
1163+ 0.061 EUR
1229+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 117
2SA1201-Y(TE12L,ZC 52sa1201_en_datasheet_061109.pdf
2SA1201-Y(TE12L,ZC
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
442+0.36 EUR
445+ 0.34 EUR
545+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 442
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201_datasheet_en_20131101-1649773.pdf
2SA1201-Y(TE12L,ZC
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT SC62-3 120V .8A PNP EPITAXIAL
auf Bestellung 29021 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.23 EUR
50+ 1.05 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.44 EUR
2000+ 0.41 EUR
10000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 43
2SA1201-Y(TE12L,ZC 2SA1201_datasheet_en_20131101.pdf?did=20286&prodName=2SA1201
2SA1201-Y(TE12L,ZC
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+1.22 EUR
25+ 1.04 EUR
100+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 22
2SA1207S-AA ONSMS23072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1207S-AA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1207S-AA - 2SA1207S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 88500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1207S-AA ONSMS23072-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1207S-AA
Hersteller: Sanyo
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 88500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5323+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5323
2SA1207T-AA ONSMS23072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1207T-AA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1207T-AA - 2SA1207T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1207T-AA ONSMS23072-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1207T-AA
Hersteller: Sanyo
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2219+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2SA1208S-AE SNYOS15103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1208S-AE - 2SA1208S-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1208S-AE SNYOS15103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1208S-AE
Hersteller: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 91000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2049+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2049
2SA1208S-AE SNYOS15103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1208S-AE
Hersteller: Sanyo
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2049+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2049
2SA1208T SNYOS07410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1208T
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1208T - 2SA1208T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1208T SNYOS07410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1208T
Hersteller: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 13699 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1268+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
2SA1208T SNYOS07410-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1208T
Hersteller: Sanyo
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1268+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
2SA1209S SNYOS09871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1209S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1209S - 2SA1209S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1209S SNYOS09871-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1209S
Hersteller: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 140 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 10681 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
833+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 833
2SA1213-Y(TE12L,ZC 12dst_2sa1213-tde_en_7554.pdf
2SA1213-Y(TE12L,ZC
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1213-Y-TP 2SA1213(SOT-89).PDF
2SA1213-Y-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate
auf Bestellung 2213 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
54+0.97 EUR
70+ 0.75 EUR
125+ 0.42 EUR
1000+ 0.28 EUR
2000+ 0.27 EUR
10000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 54
2SA1213-Y-TP 2SA1213(SOT-89).PDF
2SA1213-Y-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: TRANS PNP 50V 2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.96 EUR
36+ 0.74 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2SA1221-AZ NECCS03473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1221-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 10579 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
902+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 902
2SA1221-T-AZ NECCS03473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1221-T-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
902+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 902
2SA1222-T-AZ RNCCS175201.pdf
2SA1222-T-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 45MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
628+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 628
2SA1226-T1B-A 1811439455993770tc-1480a.pdf
2SA1226-T1B-A
Hersteller: Renesas
Trans GP BJT PNP 40V 0.03A 200mW Automotive 3-Pin Mini-Mold
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1232
Hersteller: NEC
PNP 10A 130V 100W 60MHz 2SA1232 T2SA1232
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2SA1241-Y(T6L1,NV) 2sa1241_datasheet_en_20211217.pdf
2SA1241-Y(T6L1,NV)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
373+0.42 EUR
374+ 0.41 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 373
2SA1244-Y(T6L1,NQ) 2SA1244_datasheet_en_20131101-1916378.pdf
2SA1244-Y(T6L1,NQ)
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PB-F POWER TRANSISTOR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+2.27 EUR
28+ 1.86 EUR
100+ 1.45 EUR
500+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
2SA1244-Y(T6L1,NQ) 4352sa1244_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SA1244-Y(T6L1,NQ)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
142+1.12 EUR
212+ 0.72 EUR
228+ 0.62 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 142
2SA1244-Y(T6L1,NQ) 2SA1244_datasheet_en_20131101.pdf?did=20304&prodName=2SA1244
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD;
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+2.26 EUR
15+ 1.85 EUR
100+ 1.44 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
2SA1246T-AA SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1246T-AA - 2SA1246T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1246T-AA SNYOD00447.pdf
Hersteller: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1902+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1902
2SA1248S ONSMS23075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1248S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1248S - 2SA1248 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1248S ONSMS23075-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1248S
Hersteller: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 15580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
2SA1249S ONSMS23076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1249S - 2SA1249 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1249S ONSMS23076-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: 2SA1249 - TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 45528 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1776+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1776
2SA1253T-SPA SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1253T-SPA - 2SA1253T-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1253T-SPA-ON
Hersteller: onsemi
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
auf Bestellung 28396 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2664+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2664
2SA1253T-SPA-SY
Hersteller: Sanyo
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2664+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2664
2SA1257-5-TB-E SNYOS07400-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1257-5-TB-E - 2SA1257 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SA1257-5-TB-E SNYOS07400-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1257-5-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2219+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2SA1294 2sa1294_ds_en.pdf
Hersteller: SPTECH
Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk 2SA1294 Allegro Microsystems T2SA1294
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10
2SA1294 972sa1294_ds_en.pdf
2SA1294
Hersteller: Sanken Electric Company, Ltd.
Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+7.36 EUR
34+ 4.53 EUR
50+ 3.54 EUR
100+ 3.17 EUR
200+ 3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 22
2SA1298-Y,LF 2SA1298_datasheet_en_20230821-1150864.pdf
2SA1298-Y,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 6373 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+0.99 EUR
75+ 0.7 EUR
182+ 0.29 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 53
2SA1298-Y,LF 2SA1298_datasheet_en_20230821.pdf?did=19261&prodName=2SA1298
2SA1298-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 25V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.99 EUR
38+ 0.69 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 27
2SA1298-Y,LF(B
Hersteller: Toshiba
2SA1298-Y,LF(B
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
632+0.25 EUR
656+ 0.23 EUR
1000+ 0.22 EUR
2500+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 632
2SA12
Hersteller: HARRIS
CAN
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SA120
Hersteller: NEC
CAN
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2SA1201
Hersteller: KEXIN
09+
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2SA1201
Hersteller: TOSHIBA
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