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MTP3N60E MTP3N60E
Produktcode: 23818
Motorola Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 03.05.2015
Rds(on), Ohm: 02.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 560/43
JHGF: THT
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.7 EUR
SPP03N60C3HKSA1 SPP03N60C3HKSA1
Produktcode: 113411
Infineon spp_a03n60c3_rev.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/13
JHGF: THT
auf Bestellung 9 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3N60 MOT CAN
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOD3N60 AOD3N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
139+ 0.52 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120
AOD3N60 ALPHA AOD3N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25
AOD3N60 AOD3N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
139+ 0.52 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
2500+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 120
CDE23N-60-B10K CDE23N-60-B10K SR PASSIVES cde-series.pdf Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±20%
Max. operating voltage: 500V
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track material: carbon
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
45+ 1.62 EUR
65+ 1.1 EUR
70+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 36
CDE23N-60-B50K CDE23N-60-B50K SR PASSIVES cde-series.pdf Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.9 EUR
45+ 1.6 EUR
68+ 1.06 EUR
72+ 1 EUR
100+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 38
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM onsemi / Fairchild FGD3N60LSD_D-2313464.pdf IGBT Transistors 600V IGBT HID Application
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.12 EUR
21+ 2.54 EUR
100+ 1.95 EUR
500+ 1.65 EUR
1000+ 1.4 EUR
2500+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN-1226864.pdf IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
auf Bestellung 3385 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.23 EUR
29+ 1.83 EUR
100+ 1.43 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.99 EUR
2500+ 0.95 EUR
5000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24
IKN03N60RC2ATMA1 IKN03N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN03N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3361944.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 6074 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
30+1.79 EUR
33+ 1.58 EUR
100+ 1.08 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.79 EUR
3000+ 0.67 EUR
6000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 30
M83-LMT1M3N600000000 M83-LMT1M3N600000000 Harwin M83-LMT1M3NXX-0000-000-1064273.pdf Headers & Wire Housings
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+101.04 EUR
12+ 85.85 EUR
24+ 85.15 EUR
60+ 72.33 EUR
1008+ 72.31 EUR
M83-LMT2M3N60-0000-000 M83-LMT2M3N60-0000-000 Harwin M83-LMT2M3NXX-0000-000-1308168.pdf Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+54.05 EUR
12+ 47.79 EUR
24+ 46.62 EUR
SIHB053N60E-GE3 SIHB053N60E-GE3 Vishay sihb053n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 196-210 Tag (e)
4+14.72 EUR
10+ 13.55 EUR
25+ 11.65 EUR
100+ 10.01 EUR
250+ 9.72 EUR
500+ 8.89 EUR
1000+ 7.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SIHB23N60E-GE3 SIHB23N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb23n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9 EUR
10+ 7.9 EUR
25+ 7.2 EUR
100+ 6.21 EUR
250+ 6.06 EUR
500+ 5.51 EUR
1000+ 4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.71 EUR
10+ 11.23 EUR
25+ 10.95 EUR
100+ 9.7 EUR
250+ 9.23 EUR
500+ 8.63 EUR
1000+ 7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SIHB33N60EF-GE3 SIHB33N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb33n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.11 EUR
10+ 12.95 EUR
25+ 12.19 EUR
100+ 10.76 EUR
250+ 10.69 EUR
500+ 9.85 EUR
1000+ 9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SIHB33N60ET1-GE3 SIHB33N60ET1-GE3 Vishay Semiconductors sihb33n60e.pdf MOSFET N-Channel 600V
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.35 EUR
10+ 12.06 EUR
25+ 11.39 EUR
100+ 9.78 EUR
250+ 9.23 EUR
500+ 8.5 EUR
800+ 6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SIHB33N60ET5-GE3 SIHB33N60ET5-GE3 Vishay / Siliconix sihb33n60e.pdf MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.25 EUR
10+ 11.96 EUR
25+ 11.28 EUR
100+ 9.67 EUR
250+ 9.15 EUR
500+ 8.22 EUR
800+ 6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SiHG23N60E-GE3 SiHG23N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg23n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.87 EUR
10+ 9.15 EUR
25+ 7.67 EUR
100+ 7.05 EUR
250+ 6.76 EUR
500+ 6.47 EUR
1000+ 5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.14 EUR
10+ 10.14 EUR
25+ 9.72 EUR
100+ 8.81 EUR
250+ 8.74 EUR
500+ 8.71 EUR
1000+ 7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 Vishay sihg33n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIHG33N60EF-GE3 SIHG33N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg33n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.7 EUR
10+ 13.47 EUR
25+ 12.19 EUR
100+ 11.13 EUR
250+ 10.53 EUR
500+ 9.8 EUR
1000+ 8.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SIHG73N60AE-GE3 SIHG73N60AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg73n60ae.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+26.73 EUR
10+ 23.95 EUR
25+ 21.01 EUR
100+ 19.47 EUR
500+ 16.82 EUR
1000+ 15.13 EUR
2500+ 15.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg73n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+29.43 EUR
10+ 25.92 EUR
25+ 25.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SIHP23N60E-BE3 SIHP23N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihp23n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.51 EUR
10+ 6.4 EUR
50+ 5.41 EUR
100+ 5.02 EUR
250+ 4.91 EUR
1000+ 4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SiHP23N60E-GE3 SiHP23N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp23n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.51 EUR
10+ 6.34 EUR
25+ 5.98 EUR
100+ 5.12 EUR
250+ 4.84 EUR
500+ 4.55 EUR
1000+ 3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
SIHP33N60E-GE3 SIHP33N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.23 EUR
10+ 10.43 EUR
50+ 9.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp33n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.92 EUR
10+ 12.09 EUR
50+ 10.58 EUR
100+ 9.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 Vishay sihp33n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIHW33N60E-GE3 SIHW33N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihw33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.52 EUR
10+ 13.03 EUR
25+ 12.3 EUR
100+ 10.53 EUR
250+ 9.96 EUR
480+ 9.36 EUR
960+ 8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD03N60C3_DataSheet_v02_07_EN-3363995.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2456 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.67 EUR
18+ 3.02 EUR
100+ 2.36 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.63 EUR
2500+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SP_03N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
76+ 0.95 EUR
87+ 0.83 EUR
91+ 0.79 EUR
500+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 67
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SP_03N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
76+ 0.95 EUR
87+ 0.83 EUR
91+ 0.79 EUR
500+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 67
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.25 EUR
36+ 1.99 EUR
41+ 1.76 EUR
44+ 1.66 EUR
200+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
36+ 1.99 EUR
41+ 1.76 EUR
44+ 1.66 EUR
200+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics stb13n60m2-1850166.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.43 EUR
12+ 4.52 EUR
100+ 3.61 EUR
250+ 3.46 EUR
500+ 3.02 EUR
1000+ 2.56 EUR
2000+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STB33N60DM2 STB33N60DM2 STMicroelectronics stb33n60dm2-1850172.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
5+10.69 EUR
10+ 8.97 EUR
25+ 8.48 EUR
100+ 7.25 EUR
250+ 6.86 EUR
500+ 6.45 EUR
1000+ 5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB33N60M2 STB33N60M2 STMicroelectronics stb33n60m2-1850311.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.59 EUR
10+ 8.06 EUR
100+ 6.4 EUR
500+ 5.69 EUR
1000+ 4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics en.dm00286120.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics std13n60dm2-1850491.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.29 EUR
15+ 3.59 EUR
100+ 2.86 EUR
250+ 2.7 EUR
500+ 2.37 EUR
1000+ 2.03 EUR
2500+ 1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.92 EUR
42+ 1.73 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
500+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 38
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.92 EUR
42+ 1.73 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
500+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 38
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.84 EUR
13+ 4 EUR
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250+ 3.15 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.29 EUR
2500+ 2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics dm00070267.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
41+ 1.76 EUR
45+ 1.6 EUR
48+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
41+ 1.76 EUR
45+ 1.6 EUR
48+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2-1850620.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.65 EUR
14+ 3.74 EUR
100+ 3.09 EUR
250+ 3.07 EUR
500+ 2.65 EUR
1000+ 2.21 EUR
2000+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.1 EUR
38+ 1.92 EUR
43+ 1.69 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 35
STF13N60M2 ST en.DM00070271.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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20+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
38+ 1.92 EUR
43+ 1.69 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 35
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics 690272105093487dm00070271.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2-1850540.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.72 EUR
18+ 3.02 EUR
100+ 2.65 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 2.28 EUR
1000+ 1.92 EUR
2000+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STF33N60DM2 STF33N60DM2 STMicroelectronics stf33n60dm2-1850705.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.65 EUR
10+ 10.82 EUR
25+ 9.23 EUR
100+ 7.93 EUR
250+ 7.85 EUR
500+ 7.05 EUR
1000+ 6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STF33N60M2 STF33N60M2 STMicroelectronics stf33n60m2-1850852.pdf MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.2 EUR
10+ 8.74 EUR
25+ 6.21 EUR
100+ 5.69 EUR
250+ 5.67 EUR
500+ 5.36 EUR
1000+ 4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STF43N60DM2 STF43N60DM2 STMicroelectronics stf43n60dm2-1850571.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.71 EUR
10+ 10.53 EUR
25+ 9.2 EUR
100+ 8.53 EUR
250+ 8.5 EUR
500+ 7.88 EUR
1000+ 7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STFH13N60M2 STFH13N60M2 STMicroelectronics stfh13n60m2-1850882.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.85 EUR
16+ 3.35 EUR
100+ 2.91 EUR
500+ 2.89 EUR
920+ 2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STL13N60DM2 STL13N60DM2 STMicroelectronics stl13n60dm2-1851008.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.94 EUR
13+ 4.11 EUR
100+ 3.28 EUR
250+ 3.02 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.35 EUR
3000+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 11
MTP3N60E
Produktcode: 23818
MTP3N60E
Hersteller: Motorola
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 03.05.2015
Rds(on), Ohm: 02.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 560/43
JHGF: THT
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.7 EUR
SPP03N60C3HKSA1
Produktcode: 113411
spp_a03n60c3_rev.pdf
SPP03N60C3HKSA1
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/13
JHGF: THT
auf Bestellung 9 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3N60
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AOD3N60 AOD3N60.pdf
AOD3N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
120+0.6 EUR
139+ 0.52 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120
AOD3N60 AOD3N60.pdf
Hersteller: ALPHA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25
AOD3N60 AOD3N60.pdf
AOD3N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
120+0.6 EUR
139+ 0.52 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
2500+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 120
CDE23N-60-B10K cde-series.pdf
CDE23N-60-B10K
Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±20%
Max. operating voltage: 500V
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track material: carbon
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
36+1.99 EUR
45+ 1.62 EUR
65+ 1.1 EUR
70+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 36
CDE23N-60-B50K cde-series.pdf
CDE23N-60-B50K
Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
38+1.9 EUR
45+ 1.6 EUR
68+ 1.06 EUR
72+ 1 EUR
100+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 38
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSD_D-2313464.pdf
FGD3N60LSDTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V IGBT HID Application
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+3.12 EUR
21+ 2.54 EUR
100+ 1.95 EUR
500+ 1.65 EUR
1000+ 1.4 EUR
2500+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IKD03N60RFATMA1 Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN-1226864.pdf
IKD03N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
auf Bestellung 3385 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+2.23 EUR
29+ 1.83 EUR
100+ 1.43 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.99 EUR
2500+ 0.95 EUR
5000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24
IKN03N60RC2ATMA1 Infineon_IKN03N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3361944.pdf
IKN03N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 6074 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.79 EUR
33+ 1.58 EUR
100+ 1.08 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.79 EUR
3000+ 0.67 EUR
6000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 30
M83-LMT1M3N600000000 M83-LMT1M3NXX-0000-000-1064273.pdf
M83-LMT1M3N600000000
Hersteller: Harwin
Headers & Wire Housings
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+101.04 EUR
12+ 85.85 EUR
24+ 85.15 EUR
60+ 72.33 EUR
1008+ 72.31 EUR
M83-LMT2M3N60-0000-000 M83-LMT2M3NXX-0000-000-1308168.pdf
M83-LMT2M3N60-0000-000
Hersteller: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+54.05 EUR
12+ 47.79 EUR
24+ 46.62 EUR
SIHB053N60E-GE3 sihb053n60e.pdf
SIHB053N60E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 196-210 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+14.72 EUR
10+ 13.55 EUR
25+ 11.65 EUR
100+ 10.01 EUR
250+ 9.72 EUR
500+ 8.89 EUR
1000+ 7.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SIHB23N60E-GE3 sihb23n60e.pdf
SIHB23N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+9 EUR
10+ 7.9 EUR
25+ 7.2 EUR
100+ 6.21 EUR
250+ 6.06 EUR
500+ 5.51 EUR
1000+ 4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SIHB33N60E-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+12.71 EUR
10+ 11.23 EUR
25+ 10.95 EUR
100+ 9.7 EUR
250+ 9.23 EUR
500+ 8.63 EUR
1000+ 7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SIHB33N60EF-GE3 sihb33n60ef.pdf
SIHB33N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+15.11 EUR
10+ 12.95 EUR
25+ 12.19 EUR
100+ 10.76 EUR
250+ 10.69 EUR
500+ 9.85 EUR
1000+ 9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SIHB33N60ET1-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60ET1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 600V
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+14.35 EUR
10+ 12.06 EUR
25+ 11.39 EUR
100+ 9.78 EUR
250+ 9.23 EUR
500+ 8.5 EUR
800+ 6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SIHB33N60ET5-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60ET5-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+14.25 EUR
10+ 11.96 EUR
25+ 11.28 EUR
100+ 9.67 EUR
250+ 9.15 EUR
500+ 8.22 EUR
800+ 6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SiHG23N60E-GE3 sihg23n60e.pdf
SiHG23N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+10.87 EUR
10+ 9.15 EUR
25+ 7.67 EUR
100+ 7.05 EUR
250+ 6.76 EUR
500+ 6.47 EUR
1000+ 5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SIHG33N60E-GE3 sihg33n60e.pdf
SIHG33N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+12.14 EUR
10+ 10.14 EUR
25+ 9.72 EUR
100+ 8.81 EUR
250+ 8.74 EUR
500+ 8.71 EUR
1000+ 7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
SIHG33N60E-GE3 sihg33n60e.pdf
SIHG33N60E-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIHG33N60EF-GE3 sihg33n60ef.pdf
SIHG33N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+15.7 EUR
10+ 13.47 EUR
25+ 12.19 EUR
100+ 11.13 EUR
250+ 10.53 EUR
500+ 9.8 EUR
1000+ 8.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SIHG73N60AE-GE3 sihg73n60ae.pdf
SIHG73N60AE-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 274 Stücke:
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2+26.73 EUR
10+ 23.95 EUR
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SIHG73N60E-GE3 sihg73n60e.pdf
SIHG73N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 113 Stücke:
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2+29.43 EUR
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SIHP23N60E-BE3 sihp23n60e.pdf
SIHP23N60E-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
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7+7.51 EUR
10+ 6.4 EUR
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SiHP23N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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7+7.51 EUR
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250+ 4.84 EUR
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SIHP33N60E-GE3 sihp33n60e.pdf
SIHP33N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 619 Stücke:
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5+11.23 EUR
10+ 10.43 EUR
50+ 9.18 EUR
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SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
SIHP33N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 863 Stücke:
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5+12.92 EUR
10+ 12.09 EUR
50+ 10.58 EUR
100+ 9.85 EUR
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SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
SIHP33N60EF-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
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SIHW33N60E-GE3 sihw33n60e.pdf
SIHW33N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 333 Stücke:
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4+15.52 EUR
10+ 13.03 EUR
25+ 12.3 EUR
100+ 10.53 EUR
250+ 9.96 EUR
480+ 9.36 EUR
960+ 8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SPD03N60C3ATMA1 Infineon_SPD03N60C3_DataSheet_v02_07_EN-3363995.pdf
SPD03N60C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2456 Stücke:
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15+3.67 EUR
18+ 3.02 EUR
100+ 2.36 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.63 EUR
2500+ 1.45 EUR
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SPU03N60C3BKMA1 SP_03N60C3.pdf
SPU03N60C3BKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+1.07 EUR
76+ 0.95 EUR
87+ 0.83 EUR
91+ 0.79 EUR
500+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 67
SPU03N60C3BKMA1 SP_03N60C3.pdf
SPU03N60C3BKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 980 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
67+1.07 EUR
76+ 0.95 EUR
87+ 0.83 EUR
91+ 0.79 EUR
500+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 67
STB13N60M2 STB13N60M2.pdf
STB13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+2.25 EUR
36+ 1.99 EUR
41+ 1.76 EUR
44+ 1.66 EUR
200+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
STB13N60M2 STB13N60M2.pdf
STB13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+2.25 EUR
36+ 1.99 EUR
41+ 1.76 EUR
44+ 1.66 EUR
200+ 1.59 EUR
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STB13N60M2 stb13n60m2-1850166.pdf
STB13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+5.43 EUR
12+ 4.52 EUR
100+ 3.61 EUR
250+ 3.46 EUR
500+ 3.02 EUR
1000+ 2.56 EUR
2000+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STB33N60DM2 stb33n60dm2-1850172.pdf
STB33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+10.69 EUR
10+ 8.97 EUR
25+ 8.48 EUR
100+ 7.25 EUR
250+ 6.86 EUR
500+ 6.45 EUR
1000+ 5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STB33N60M2 stb33n60m2-1850311.pdf
STB33N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+9.59 EUR
10+ 8.06 EUR
100+ 6.4 EUR
500+ 5.69 EUR
1000+ 4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STD13N60DM2 en.dm00286120.pdf
STD13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STD13N60DM2 std13n60dm2-1850491.pdf
STD13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+4.29 EUR
15+ 3.59 EUR
100+ 2.86 EUR
250+ 2.7 EUR
500+ 2.37 EUR
1000+ 2.03 EUR
2500+ 1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STD13N60M2 STB13N60M2.pdf
STD13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
38+1.92 EUR
42+ 1.73 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
500+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 38
STD13N60M2 STB13N60M2.pdf
STD13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
38+1.92 EUR
42+ 1.73 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
500+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 38
STD13N60M2 en.DM00082928.pdf
STD13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+4.84 EUR
13+ 4 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 3.15 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.29 EUR
2500+ 2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 11
STD13N60M2 dm00070267.pdf
STD13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STF13N60DM2 stf13n60dm2.pdf
STF13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
41+ 1.76 EUR
45+ 1.6 EUR
48+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STF13N60DM2 stf13n60dm2.pdf
STF13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
41+ 1.76 EUR
45+ 1.6 EUR
48+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 33
STF13N60DM2 stf13n60dm2-1850620.pdf
STF13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+4.65 EUR
14+ 3.74 EUR
100+ 3.09 EUR
250+ 3.07 EUR
500+ 2.65 EUR
1000+ 2.21 EUR
2000+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STF13N60M2 stf13n60m2.pdf
STF13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
35+2.1 EUR
38+ 1.92 EUR
43+ 1.69 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 35
STF13N60M2 en.DM00070271.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STF13N60M2 stf13n60m2.pdf
STF13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
35+2.1 EUR
38+ 1.92 EUR
43+ 1.69 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 35
STF13N60M2 690272105093487dm00070271.pdf
STF13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STF13N60M2 stf13n60m2-1850540.pdf
STF13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.72 EUR
18+ 3.02 EUR
100+ 2.65 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 2.28 EUR
1000+ 1.92 EUR
2000+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STF33N60DM2 stf33n60dm2-1850705.pdf
STF33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+11.65 EUR
10+ 10.82 EUR
25+ 9.23 EUR
100+ 7.93 EUR
250+ 7.85 EUR
500+ 7.05 EUR
1000+ 6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STF33N60M2 stf33n60m2-1850852.pdf
STF33N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+9.2 EUR
10+ 8.74 EUR
25+ 6.21 EUR
100+ 5.69 EUR
250+ 5.67 EUR
500+ 5.36 EUR
1000+ 4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STF43N60DM2 stf43n60dm2-1850571.pdf
STF43N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+10.71 EUR
10+ 10.53 EUR
25+ 9.2 EUR
100+ 8.53 EUR
250+ 8.5 EUR
500+ 7.88 EUR
1000+ 7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STFH13N60M2 stfh13n60m2-1850882.pdf
STFH13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.85 EUR
16+ 3.35 EUR
100+ 2.91 EUR
500+ 2.89 EUR
920+ 2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STL13N60DM2 stl13n60dm2-1851008.pdf
STL13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+4.94 EUR
13+ 4.11 EUR
100+ 3.28 EUR
250+ 3.02 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.35 EUR
3000+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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