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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MTP3N60E Produktcode: 23818 |
Motorola |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 600 Idd,A: 03.05.2015 Rds(on), Ohm: 02.02.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 560/43 JHGF: THT |
auf Bestellung 2 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPP03N60C3HKSA1 Produktcode: 113411 |
Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 650 V Idd,A: 3,2 A Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 400/13 JHGF: THT |
auf Bestellung 9 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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3N60 | MOT | CAN |
auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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3N60 | to-220/f | AAT |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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3N60 AAT | TO-220/F 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AOD3N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Power dissipation: 56.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.9nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD3N60 | ALPHA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD3N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Power dissipation: 56.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.9nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2429 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CDE23N-60-B10K | SR PASSIVES |
Category: Slide potentiometers Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal Mounting: THT Resistance: 10kΩ Power: 0.5W Tolerance: ±20% Max. operating voltage: 500V Body dimensions: 88x12.5x11mm Body material: metal Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm Track material: carbon Type of potentiometer: slide Characteristics: linear Track length: 60mm Potentiometer features: mono Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CDE23N-60-B50K | SR PASSIVES |
Category: Slide potentiometers Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal Type of potentiometer: slide Resistance: 50kΩ Power: 0.5W Mounting: THT Tolerance: ±20% Characteristics: linear Track material: carbon Body dimensions: 88x12.5x11mm Max. operating voltage: 500V Track length: 60mm Potentiometer features: mono Body material: metal Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGD3N60LSDTM | onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V IGBT HID Application |
auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A |
auf Bestellung 3385 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKN03N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 6074 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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M83-LMT1M3N600000000 | Harwin | Headers & Wire Housings |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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M83-LMT2M3N60-0000-000 | Harwin | Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHB053N60E-GE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 196-210 Tag (e) |
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SIHB23N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHB33N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHB33N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Channel 600V |
auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263 |
auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SiHG23N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 354 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG33N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHG73N60AE-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHG73N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP23N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 3012 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SiHP23N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 619 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP33N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 863 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP33N60EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHW33N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY |
auf Bestellung 2456 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SPU03N60C3BKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 38W Case: TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPU03N60C3BKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 38W Case: TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 874 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB13N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STB33N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 126-140 Tag (e) |
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STB33N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD13N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD13N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 2315 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 2467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2467 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD13N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD13N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF13N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF13N60M2 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF13N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 5100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF13N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF33N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF33N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2 |
auf Bestellung 936 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF43N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STFH13N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep |
auf Bestellung 1462 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STL13N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 2486 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MTP3N60E Produktcode: 23818 |
Hersteller: Motorola
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 03.05.2015
Rds(on), Ohm: 02.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 560/43
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 03.05.2015
Rds(on), Ohm: 02.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 560/43
JHGF: THT
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.7 EUR |
SPP03N60C3HKSA1 Produktcode: 113411 |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/13
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/13
JHGF: THT
auf Bestellung 9 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)AOD3N60 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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120+ | 0.6 EUR |
139+ | 0.52 EUR |
159+ | 0.45 EUR |
168+ | 0.43 EUR |
AOD3N60 |
Hersteller: ALPHA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 1.2 EUR |
AOD3N60 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
120+ | 0.6 EUR |
139+ | 0.52 EUR |
159+ | 0.45 EUR |
168+ | 0.43 EUR |
2500+ | 0.42 EUR |
CDE23N-60-B10K |
Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±20%
Max. operating voltage: 500V
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track material: carbon
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±20%
Max. operating voltage: 500V
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track material: carbon
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
36+ | 1.99 EUR |
45+ | 1.62 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
CDE23N-60-B50K |
Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
38+ | 1.9 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
72+ | 1 EUR |
100+ | 0.99 EUR |
FGD3N60LSDTM |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V IGBT HID Application
IGBT Transistors 600V IGBT HID Application
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
17+ | 3.12 EUR |
21+ | 2.54 EUR |
100+ | 1.95 EUR |
500+ | 1.65 EUR |
1000+ | 1.4 EUR |
2500+ | 1.22 EUR |
IKD03N60RFATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
auf Bestellung 3385 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
24+ | 2.23 EUR |
29+ | 1.83 EUR |
100+ | 1.43 EUR |
500+ | 1.21 EUR |
1000+ | 0.99 EUR |
2500+ | 0.95 EUR |
5000+ | 0.88 EUR |
IKN03N60RC2ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 6074 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
30+ | 1.79 EUR |
33+ | 1.58 EUR |
100+ | 1.08 EUR |
500+ | 0.9 EUR |
1000+ | 0.79 EUR |
3000+ | 0.67 EUR |
6000+ | 0.64 EUR |
M83-LMT1M3N600000000 |
Hersteller: Harwin
Headers & Wire Housings
Headers & Wire Housings
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 101.04 EUR |
12+ | 85.85 EUR |
24+ | 85.15 EUR |
60+ | 72.33 EUR |
1008+ | 72.31 EUR |
M83-LMT2M3N60-0000-000 |
Hersteller: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 54.05 EUR |
12+ | 47.79 EUR |
24+ | 46.62 EUR |
SIHB053N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 196-210 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 14.72 EUR |
10+ | 13.55 EUR |
25+ | 11.65 EUR |
100+ | 10.01 EUR |
250+ | 9.72 EUR |
500+ | 8.89 EUR |
1000+ | 7.62 EUR |
SIHB23N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 9 EUR |
10+ | 7.9 EUR |
25+ | 7.2 EUR |
100+ | 6.21 EUR |
250+ | 6.06 EUR |
500+ | 5.51 EUR |
1000+ | 4.81 EUR |
SIHB33N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 12.71 EUR |
10+ | 11.23 EUR |
25+ | 10.95 EUR |
100+ | 9.7 EUR |
250+ | 9.23 EUR |
500+ | 8.63 EUR |
1000+ | 7.07 EUR |
SIHB33N60EF-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 15.11 EUR |
10+ | 12.95 EUR |
25+ | 12.19 EUR |
100+ | 10.76 EUR |
250+ | 10.69 EUR |
500+ | 9.85 EUR |
1000+ | 9 EUR |
SIHB33N60ET1-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 600V
MOSFET N-Channel 600V
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 14.35 EUR |
10+ | 12.06 EUR |
25+ | 11.39 EUR |
100+ | 9.78 EUR |
250+ | 9.23 EUR |
500+ | 8.5 EUR |
800+ | 6.99 EUR |
SIHB33N60ET5-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 14.25 EUR |
10+ | 11.96 EUR |
25+ | 11.28 EUR |
100+ | 9.67 EUR |
250+ | 9.15 EUR |
500+ | 8.22 EUR |
800+ | 6.94 EUR |
SiHG23N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 10.87 EUR |
10+ | 9.15 EUR |
25+ | 7.67 EUR |
100+ | 7.05 EUR |
250+ | 6.76 EUR |
500+ | 6.47 EUR |
1000+ | 5.28 EUR |
SIHG33N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 12.14 EUR |
10+ | 10.14 EUR |
25+ | 9.72 EUR |
100+ | 8.81 EUR |
250+ | 8.74 EUR |
500+ | 8.71 EUR |
1000+ | 7.54 EUR |
SIHG33N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)SIHG33N60EF-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 15.7 EUR |
10+ | 13.47 EUR |
25+ | 12.19 EUR |
100+ | 11.13 EUR |
250+ | 10.53 EUR |
500+ | 9.8 EUR |
1000+ | 8.48 EUR |
SIHG73N60AE-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 26.73 EUR |
10+ | 23.95 EUR |
25+ | 21.01 EUR |
100+ | 19.47 EUR |
500+ | 16.82 EUR |
1000+ | 15.13 EUR |
2500+ | 15.03 EUR |
SIHG73N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 29.43 EUR |
10+ | 25.92 EUR |
25+ | 25.87 EUR |
SIHP23N60E-BE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 7.51 EUR |
10+ | 6.4 EUR |
50+ | 5.41 EUR |
100+ | 5.02 EUR |
250+ | 4.91 EUR |
1000+ | 4.68 EUR |
SiHP23N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 7.51 EUR |
10+ | 6.34 EUR |
25+ | 5.98 EUR |
100+ | 5.12 EUR |
250+ | 4.84 EUR |
500+ | 4.55 EUR |
1000+ | 3.87 EUR |
SIHP33N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 11.23 EUR |
10+ | 10.43 EUR |
50+ | 9.18 EUR |
SIHP33N60EF-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 12.92 EUR |
10+ | 12.09 EUR |
50+ | 10.58 EUR |
100+ | 9.85 EUR |
SIHP33N60EF-GE3 |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)SIHW33N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 15.52 EUR |
10+ | 13.03 EUR |
25+ | 12.3 EUR |
100+ | 10.53 EUR |
250+ | 9.96 EUR |
480+ | 9.36 EUR |
960+ | 8.03 EUR |
SPD03N60C3ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
MOSFET LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2456 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
15+ | 3.67 EUR |
18+ | 3.02 EUR |
100+ | 2.36 EUR |
500+ | 2 EUR |
1000+ | 1.63 EUR |
2500+ | 1.45 EUR |
SPU03N60C3BKMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
76+ | 0.95 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
500+ | 0.75 EUR |
SPU03N60C3BKMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
76+ | 0.95 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
500+ | 0.75 EUR |
STB13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
32+ | 2.25 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
200+ | 1.59 EUR |
STB13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
32+ | 2.25 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
200+ | 1.59 EUR |
STB13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.43 EUR |
12+ | 4.52 EUR |
100+ | 3.61 EUR |
250+ | 3.46 EUR |
500+ | 3.02 EUR |
1000+ | 2.56 EUR |
2000+ | 2.44 EUR |
STB33N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 10.69 EUR |
10+ | 8.97 EUR |
25+ | 8.48 EUR |
100+ | 7.25 EUR |
250+ | 6.86 EUR |
500+ | 6.45 EUR |
1000+ | 5.41 EUR |
STB33N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 9.59 EUR |
10+ | 8.06 EUR |
100+ | 6.4 EUR |
500+ | 5.69 EUR |
1000+ | 4.86 EUR |
STD13N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STD13N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 4.29 EUR |
15+ | 3.59 EUR |
100+ | 2.86 EUR |
250+ | 2.7 EUR |
500+ | 2.37 EUR |
1000+ | 2.03 EUR |
2500+ | 1.93 EUR |
STD13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
38+ | 1.92 EUR |
42+ | 1.73 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
STD13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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38+ | 1.92 EUR |
42+ | 1.73 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
STD13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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11+ | 4.84 EUR |
13+ | 4 EUR |
100+ | 3.2 EUR |
250+ | 3.15 EUR |
500+ | 2.7 EUR |
1000+ | 2.29 EUR |
2500+ | 2.17 EUR |
STD13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STF13N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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33+ | 2.17 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
STF13N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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33+ | 2.17 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
STF13N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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12+ | 4.65 EUR |
14+ | 3.74 EUR |
100+ | 3.09 EUR |
250+ | 3.07 EUR |
500+ | 2.65 EUR |
1000+ | 2.21 EUR |
2000+ | 2.1 EUR |
STF13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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35+ | 2.1 EUR |
38+ | 1.92 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
STF13N60M2 |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 2.69 EUR |
STF13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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35+ | 2.1 EUR |
38+ | 1.92 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
STF13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STF13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 3.72 EUR |
18+ | 3.02 EUR |
100+ | 2.65 EUR |
250+ | 2.47 EUR |
500+ | 2.28 EUR |
1000+ | 1.92 EUR |
2000+ | 1.85 EUR |
STF33N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 11.65 EUR |
10+ | 10.82 EUR |
25+ | 9.23 EUR |
100+ | 7.93 EUR |
250+ | 7.85 EUR |
500+ | 7.05 EUR |
1000+ | 6.03 EUR |
STF33N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 9.2 EUR |
10+ | 8.74 EUR |
25+ | 6.21 EUR |
100+ | 5.69 EUR |
250+ | 5.67 EUR |
500+ | 5.36 EUR |
1000+ | 4.97 EUR |
STF43N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 10.71 EUR |
10+ | 10.53 EUR |
25+ | 9.2 EUR |
100+ | 8.53 EUR |
250+ | 8.5 EUR |
500+ | 7.88 EUR |
1000+ | 7.31 EUR |
STFH13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 3.85 EUR |
16+ | 3.35 EUR |
100+ | 2.91 EUR |
500+ | 2.89 EUR |
920+ | 2.86 EUR |
STL13N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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11+ | 4.94 EUR |
13+ | 4.11 EUR |
100+ | 3.28 EUR |
250+ | 3.02 EUR |
500+ | 2.76 EUR |
1000+ | 2.35 EUR |
3000+ | 2.19 EUR |
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