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4DNF60L
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics STS4DNF60L.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
93+ 0.77 EUR
106+ 0.68 EUR
122+ 0.59 EUR
128+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 71
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics STS4DNF60L.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2389 Stücke:
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2500+ 0.55 EUR
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics sts4dnf60l-1851932.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp
auf Bestellung 4099 Stücke:
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10+5.36 EUR
12+ 4.45 EUR
100+ 3.48 EUR
250+ 3.43 EUR
500+ 2.96 EUR
1000+ 2.68 EUR
2500+ 2.34 EUR
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics en.CD00001553.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.4 EUR
5000+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics en.CD00001553.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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5+5.33 EUR
10+ 4.42 EUR
100+ 3.52 EUR
500+ 2.98 EUR
1000+ 2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5
S4DNF60L ST 01+ SOP
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S4DNF60L ST SOP-8
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STS4DNF60(Transistor)
Produktcode: 52817 		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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STS4DNF60 STS4DNF60 STMicroelectronics en.CD00157832.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
STS4DNF60 STS4DNF60 STMicroelectronics en.CD00157832.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
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4DNF60L
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STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
93+ 0.77 EUR
106+ 0.68 EUR
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128+ 0.56 EUR
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STS4DNF60L STS4DNF60L.pdf
STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STS4DNF60L sts4dnf60l-1851932.pdf
STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp
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Anzahl Preis ohne MwSt
10+5.36 EUR
12+ 4.45 EUR
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STS4DNF60L cd0000155.pdf
STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
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STS4DNF60L en.CD00001553.pdf
STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+2.4 EUR
5000+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
STS4DNF60L en.CD00001553.pdf
STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
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FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Anzahl Preis ohne MwSt
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S4DNF60L
Hersteller: ST
01+ SOP
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S4DNF60L
Hersteller: ST
SOP-8
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STS4DNF60(Transistor)
Produktcode: 52817
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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STS4DNF60 en.CD00157832.pdf
STS4DNF60
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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STS4DNF60 en.CD00157832.pdf
STS4DNF60
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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STS4DNF60L cd0000155.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
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