Suchergebnisse für "50n06" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ohne MwSt
FQP50N06 FQP50N06
Produktcode: 193976 		JSMicro fqp50n06-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT
auf Bestellung 71 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RFP50N06LE RFP50N06LE
Produktcode: 189268 		JSMICRO JSM50N06C_TO-220AB.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
JHGF: THT
auf Bestellung 183 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di050n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
139+ 0.51 EUR
154+ 0.46 EUR
201+ 0.36 EUR
213+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 71
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di050n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
139+ 0.51 EUR
154+ 0.46 EUR
201+ 0.36 EUR
213+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 71
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit050n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
132+ 0.54 EUR
151+ 0.47 EUR
174+ 0.41 EUR
184+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 76
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit050n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
132+ 0.54 EUR
151+ 0.47 EUR
174+ 0.41 EUR
184+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 76
DIT050N06 Diotec Semiconductor dit050n06.pdf DIT050N06
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQP50N06 ON-Semicoductor fqp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FQP50N06 JSMicro Semiconductor fqp50n06-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FQP50N06L ON-Semicoductor fqp50n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
HYG350N06LA1D HUAYI Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
112+ 0.64 EUR
126+ 0.57 EUR
146+ 0.49 EUR
154+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 71
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies ipd350n06lgrev1.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies ipd50n06s2-14_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies ipd50n06s4-09_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.54 EUR
69+ 1.05 EUR
86+ 0.84 EUR
91+ 0.79 EUR
500+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 47
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
69+ 1.05 EUR
86+ 0.84 EUR
91+ 0.79 EUR
500+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 47
RFP50N06 ON-Semicoductor FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw rfp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SQD50N06-09L_GE3 SQD50N06-09L_GE3 Vishay sqd50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP50N06 ST MICROELECTRONICS -n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY SUD50N06-09L-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
49+ 1.49 EUR
51+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 33
SUD50N06-09L-E3 Siliconix sud50n06.pdf N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY SUD50N06-09L-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
49+ 1.49 EUR
51+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 33
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
116+ 0.62 EUR
166+ 0.43 EUR
187+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 76
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
116+ 0.62 EUR
166+ 0.43 EUR
187+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 76
TSM850N06CX RPG TAI-SEM Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
YJB150N06BQ YJB150N06BQ YANGJIE TECHNOLOGY YJB150N06BQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 105A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 94W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V IGBT MODULE
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060 module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060 fuji
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060 FUJI 150A/600V/IGBT/2U
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060 FUJI .
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060 FUJI A4-3
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060 FUJI 03+ A3-5
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060 FUJI MODULE
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060??? FUJI IGBT 150A600V2U
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N060 FUJI description MODULE
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060 FUJI
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060 FUJI MODULE
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060 FUJI .
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060 module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060 FUJI 50A/600V/IGBT/2U
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060 FUJI A4-3
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBR50N-060 FUJI MODULE
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6MBI50N-060 FUJI MODULE
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7MBI50N-060 FUJI MODULE
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
CEP50N06
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
D50N06EL TO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DD350N06K EUPEC 05+
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT250N06KOF EUPEC 05+
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06 FAIRCHILD 07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06 FAIRCHILD SOT-263
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06 FAIRCHILD TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06 FAIRCHILD
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06 fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06L fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06L FAIRCHILD 07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQP50N06
Produktcode: 193976		 fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Hersteller: JSMicro
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
JHGF: THT
auf Bestellung 71 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RFP50N06LE
Produktcode: 189268		 JSM50N06C_TO-220AB.pdf
RFP50N06LE
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
JHGF: THT
auf Bestellung 183 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
139+ 0.51 EUR
154+ 0.46 EUR
201+ 0.36 EUR
213+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 71
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
139+ 0.51 EUR
154+ 0.46 EUR
201+ 0.36 EUR
213+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 71
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
76+0.94 EUR
132+ 0.54 EUR
151+ 0.47 EUR
174+ 0.41 EUR
184+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 76
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
76+0.94 EUR
132+ 0.54 EUR
151+ 0.47 EUR
174+ 0.41 EUR
184+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 76
DIT050N06 dit050n06.pdf
Hersteller: Diotec Semiconductor
DIT050N06
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FQP50N06L fqp50n06l-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
HYG350N06LA1D
Hersteller: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
112+ 0.64 EUR
126+ 0.57 EUR
146+ 0.49 EUR
154+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 71
IPD350N06LGBTMA1 ipd350n06lgrev1.1.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD50N06S214ATMA2 ipd50n06s2-14_green.pdf
IPD50N06S214ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD50N06S409ATMA2 ipd50n06s4-09_ds_11.pdf
IPD50N06S409ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD50N06S4L08ATMA2 ipd50n06s4l-08_ds_10.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+1.54 EUR
69+ 1.05 EUR
86+ 0.84 EUR
91+ 0.79 EUR
500+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 47
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+1.54 EUR
69+ 1.05 EUR
86+ 0.84 EUR
91+ 0.79 EUR
500+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 47
RFP50N06 FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw rfp50n06-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+6.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RFP50N06 RFP50N06.pdf
RFP50N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SQD50N06-09L_GE3 sqd50n06.pdf
SQD50N06-09L_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP50N06
Hersteller: ST MICROELECTRONICS
-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3.pdf
SUD50N06-09L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
49+ 1.49 EUR
51+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 33
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3.pdf
SUD50N06-09L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+2.17 EUR
37+ 1.96 EUR
49+ 1.49 EUR
51+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 33
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
SUD50N06-09L-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TSM850N06CX RFG
TSM850N06CX RFG
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
76+0.94 EUR
116+ 0.62 EUR
166+ 0.43 EUR
187+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 76
TSM850N06CX RFG
TSM850N06CX RFG
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
76+0.94 EUR
116+ 0.62 EUR
166+ 0.43 EUR
187+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 76
TSM850N06CX RPG
Hersteller: TAI-SEM
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
YJB150N06BQ YJB150N06BQ.pdf
YJB150N06BQ
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 105A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 94W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
150A/600V IGBT MODULE
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060
Hersteller: module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060
Hersteller: fuji
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
150A/600V/IGBT/2U
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
.
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
A4-3
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
03+ A3-5
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N-060???
Hersteller: FUJI IGBT
150A600V2U
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI150N060 description
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060
Hersteller: FUJI
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060
Hersteller: FUJI
.
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060
Hersteller: module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060
Hersteller: FUJI
50A/600V/IGBT/2U
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBI50N-060
Hersteller: FUJI
A4-3
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2MBR50N-060
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6MBI50N-060
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7MBI50N-060
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
CEP50N06
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
D50N06EL
TO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DD350N06K
Hersteller: EUPEC
05+
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT250N06KOF
Hersteller: EUPEC
05+
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06L
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB50N06L
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]