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SGW50N60HS SGW50N60HS
Produktcode: 73803 		Infineon Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.06 EUR
12+ 6.23 EUR
14+ 5.41 EUR
15+ 5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IGW50N60H3FKSA1 Infineon IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+14.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies 305igw50n60h3_rev1_2g.pdffileiddb3a3043266237920126bc64524041affolde.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.52 EUR
15+ 4.88 EUR
17+ 4.26 EUR
18+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.52 EUR
15+ 4.88 EUR
17+ 4.26 EUR
18+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IGW50N60TPXKSA1 IGW50N60TPXKSA1 Infineon Technologies 12667infineon-igw50n60tp-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cb8.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.29 EUR
13+ 5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.29 EUR
13+ 5.51 EUR
30+ 4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60ET.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.88 EUR
17+ 4.3 EUR
20+ 3.73 EUR
21+ 3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.88 EUR
17+ 4.3 EUR
20+ 3.73 EUR
21+ 3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+10.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+10.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.78 EUR
13+ 5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.78 EUR
13+ 5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+14.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+14.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies 4877ikw50n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXFH50N60X IXFH50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.67 EUR
7+ 10.78 EUR
8+ 10.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFH50N60X IXFH50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.67 EUR
7+ 10.78 EUR
8+ 10.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.35 EUR
9+ 8.09 EUR
30+ 7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.35 EUR
9+ 8.09 EUR
30+ 7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+ 11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+ 11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.18 EUR
9+ 8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.18 EUR
9+ 8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh150n60c3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
E250N60 ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGW50N60TP Infineon technologies
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60ET.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
240+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 240
IKW50N60DTP Infineon
auf Bestellung 15600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IKW50N60DTP Infineon technologies
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGK50N60AU1 IXYS IXGK50N60AU1.pdf
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGN50N60BD3 ABB IXGN50N60BD2,3.pdf 07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGN50N60BD3 IXYS IXGN50N60BD2,3.pdf
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGN50N60BD3 IXYS IXGN50N60BD2,3.pdf MODULE
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXSK50N60AU1 IXYS IXSK50N60AU1.pdf 09+ QFN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXSN50N60U1 IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NGTB50N60L2WG ON Semiconductor ngtb50n60l2w-d.pdf
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NGTG50N60FWG ON Semiconductor ngtg50n60fw-d.pdf
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RFP50N60
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGL50N60RUF
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGL50N60RUFD
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGL50N60RUFDTU===
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGL50N60RUFDTU===Fairchild
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGL50N60RUFDTU==Fa
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGL50N60RUFDTU==Fairchild
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGL50N60RUFTU SGL50N60RUF.pdf
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGW50N60HS INFINEON MODULE
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SM50N60P
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TD250N600KOF AEG 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGBT IKW50N60H3
Produktcode: 177225 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IGW50N60H3 IGW50N60H3
Produktcode: 107816 		Infineon igw50n60h3_2_2.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 23/235
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IKW50N60H3 IKW50N60H3
Produktcode: 94376 		INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IKW50N60T
Produktcode: 145126 		INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IKW50N60TA
Produktcode: 139366 		INFN-S-A0000110252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXFT50N60P3
Produktcode: 152198 		IXFx50N60P3.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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SGW50N60HS
Produktcode: 73803
SGW50N60HS
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGB50N60TATMA1 42992625861703736igb50n60trev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf
IGB50N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+7.06 EUR
12+ 6.23 EUR
14+ 5.41 EUR
15+ 5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+14.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IGW50N60H3FKSA1 305igw50n60h3_rev1_2g.pdffileiddb3a3043266237920126bc64524041affolde.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+5.52 EUR
15+ 4.88 EUR
17+ 4.26 EUR
18+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+5.52 EUR
15+ 4.88 EUR
17+ 4.26 EUR
18+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IGW50N60TPXKSA1 12667infineon-igw50n60tp-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cb8.pdf
IGW50N60TPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+6.29 EUR
13+ 5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+6.29 EUR
13+ 5.51 EUR
30+ 4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ET.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+4.88 EUR
17+ 4.3 EUR
20+ 3.73 EUR
21+ 3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+4.88 EUR
17+ 4.3 EUR
20+ 3.73 EUR
21+ 3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+10.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+10.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.78 EUR
13+ 5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.78 EUR
13+ 5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+14.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+14.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKW50N60TFKSA1 4877ikw50n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXFH50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFH50N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+14.67 EUR
7+ 10.78 EUR
8+ 10.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFH50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFH50N60X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+14.67 EUR
7+ 10.78 EUR
8+ 10.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+10.35 EUR
9+ 8.09 EUR
30+ 7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+10.35 EUR
9+ 8.09 EUR
30+ 7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+16.43 EUR
7+ 11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+16.43 EUR
7+ 11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+12.18 EUR
9+ 8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+12.18 EUR
9+ 8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IXXH150N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh150n60c3_datasheet.pdf.pdf
IXXH150N60C3
Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
E250N60
Hersteller: ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGW50N60TP
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ET.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
240+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 240
IKW50N60DTP
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 15600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IKW50N60DTP
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGK50N60AU1 IXGK50N60AU1.pdf
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2,3.pdf
Hersteller: ABB
07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2,3.pdf
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2,3.pdf
Hersteller: IXYS
MODULE
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXSK50N60AU1 IXSK50N60AU1.pdf
Hersteller: IXYS
09+ QFN
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IXSN50N60U1
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NGTB50N60L2WG ngtb50n60l2w-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NGTG50N60FWG ngtg50n60fw-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 22 Stücke:
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RFP50N60
auf Bestellung 50 Stücke:
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SGL50N60RUF
auf Bestellung 10000 Stücke:
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SGL50N60RUFD
auf Bestellung 4099 Stücke:
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SGL50N60RUFDTU===
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SGL50N60RUFDTU===Fairchild
auf Bestellung 1000 Stücke:
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SGL50N60RUFDTU==Fa
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGL50N60RUFDTU==Fairchild
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGL50N60RUFTU SGL50N60RUF.pdf
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGW50N60HS
Hersteller: INFINEON
MODULE
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SM50N60P
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TD250N600KOF
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
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Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGBT IKW50N60H3
Produktcode: 177225
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IGW50N60H3
Produktcode: 107816		 igw50n60h3_2_2.pdf
IGW50N60H3
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 23/235
Produkt ist nicht verfügbar
IKW50N60H3
Produktcode: 94376		 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IKW50N60H3
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW50N60T
Produktcode: 145126		 INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW50N60TA
Produktcode: 139366		 INFN-S-A0000110252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IXFT50N60P3
Produktcode: 152198		 IXFx50N60P3.pdf
Verschiedene Bauteile > Other components 3
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