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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SSS6N60A Produktcode: 172151 |
Fairchild |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220F Uds,V: 600 V Idd,A: 3,2 A Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT |
auf Bestellung 46 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SSS6N60A Produktcode: 43341 |
Samsung |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220F Uds,V: 600 Idd,A: 03.02.2015 Rds(on), Ohm: 01.08.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT |
verfügbar: 8 Stück
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STF6N60M2 Produktcode: 155644 |
ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 650 V Idd,A: 4,5 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 232/8 |
auf Bestellung 42 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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6n60 | to-220/f | AAT |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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6N60C | FAIRCHILD |
auf Bestellung 88800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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APT106N60LC6 | Microchip Technology | MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FCPF16N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-CH SuperFET |
auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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HI1206N601R-10 | Laird Performance Materials | Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores |
auf Bestellung 14528 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IGD06N60TATMA1 | Infineon |
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP06N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IGP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKA06N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKB06N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKD06N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 19ns Turn-off time: 279ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 1223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKD06N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 19ns Turn-off time: 279ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1223 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 4860 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKD06N60RF | Infineon |
12A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IKD06N60RF TIKD06n60rf Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKD06N60RF | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop |
auf Bestellung 1356 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 2116 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKN06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKP06N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIB6N60A | Vishay |
N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFIB6N60APBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 4919 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFP26N60LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 1399 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFA16N60P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH36N60P | IXYS | MOSFET 600V 36A |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFH36N60X3 | IXYS | MOSFET DISCRETE MOSFET 36A 600V X3 TO |
auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFK36N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP16N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO220AB On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH36N60B3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 36A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 350ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH36N60B3 | IXYS | IGBT Transistors GenX3 600V IGBTs |
auf Bestellung 1049 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXGH36N60B3C1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 36A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 350ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH26N60P | IXYS | MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PBES16N60R | TE Connectivity / Alcoswitch | Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHA186N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CHANNEL |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHB186N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CH MOSFET |
auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHD186N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 1695 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHG186N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CHANNEL |
auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHH186N60EF-T1GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 2845 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHH26N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SiHH26N60EF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP186N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SPD06N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB36N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 548 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STB36N60M6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB6N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB6N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD16N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
auf Bestellung 9605 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD16N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD6N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 2396 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD6N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
SSS6N60A Produktcode: 172151 |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 46 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)SSS6N60A Produktcode: 43341 |
Hersteller: Samsung
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 8 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.66 EUR |
STF6N60M2 Produktcode: 155644 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
auf Bestellung 42 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)APT106N60LC6 |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 50.65 EUR |
100+ | 43.71 EUR |
FCPF16N60 |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CH SuperFET
MOSFET 600V N-CH SuperFET
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 10.53 EUR |
10+ | 8.81 EUR |
50+ | 8.32 EUR |
100+ | 7.12 EUR |
250+ | 6.73 EUR |
500+ | 6.34 EUR |
1000+ | 5.36 EUR |
HI1206N601R-10 |
Hersteller: Laird Performance Materials
Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
auf Bestellung 14528 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
90+ | 0.58 EUR |
140+ | 0.37 EUR |
177+ | 0.29 EUR |
250+ | 0.25 EUR |
500+ | 0.22 EUR |
1000+ | 0.21 EUR |
3000+ | 0.18 EUR |
IGD06N60TATMA1 |
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 2.1 EUR |
IGD06N60TATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 2.13 EUR |
31+ | 1.68 EUR |
100+ | 1.5 EUR |
500+ | 1.27 EUR |
1000+ | 1.03 EUR |
2500+ | 0.92 EUR |
IGD06N60TATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IGP06N60T |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
15+ | 3.48 EUR |
19+ | 2.89 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
500+ | 1.9 EUR |
1000+ | 1.54 EUR |
2500+ | 1.46 EUR |
5000+ | 1.39 EUR |
IGP06N60TXKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
72+ | 0.99 EUR |
IGP06N60TXKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
72+ | 0.99 EUR |
IGP06N60TXKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IGP06N60TXKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
15+ | 3.54 EUR |
19+ | 2.83 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
500+ | 1.9 EUR |
1000+ | 1.46 EUR |
5000+ | 1.39 EUR |
10000+ | 1.37 EUR |
IKA06N60T |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 3.82 EUR |
19+ | 2.89 EUR |
100+ | 2.4 EUR |
250+ | 2.35 EUR |
500+ | 1.99 EUR |
1000+ | 1.71 EUR |
2500+ | 1.7 EUR |
IKB06N60T |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 4.06 EUR |
16+ | 3.38 EUR |
100+ | 2.7 EUR |
250+ | 2.49 EUR |
500+ | 2.25 EUR |
1000+ | 1.93 EUR |
2000+ | 1.83 EUR |
IKB06N60TATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IKB06N60TATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 4.06 EUR |
16+ | 3.28 EUR |
100+ | 2.7 EUR |
250+ | 2.49 EUR |
500+ | 2.25 EUR |
1000+ | 1.93 EUR |
2000+ | 1.83 EUR |
IKD06N60RATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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68+ | 1.06 EUR |
76+ | 0.95 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
IKD06N60RATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
68+ | 1.06 EUR |
76+ | 0.95 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
IKD06N60RC2ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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26+ | 2.06 EUR |
30+ | 1.77 EUR |
100+ | 1.49 EUR |
500+ | 1.3 EUR |
1000+ | 1.06 EUR |
2500+ | 0.99 EUR |
5000+ | 0.95 EUR |
IKD06N60RF |
Hersteller: Infineon
12A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
12A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 2.28 EUR |
IKD06N60RF |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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18+ | 2.94 EUR |
22+ | 2.42 EUR |
100+ | 1.9 EUR |
500+ | 1.61 EUR |
1000+ | 1.31 EUR |
2500+ | 1.28 EUR |
5000+ | 1.27 EUR |
IKD06N60RFATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2116 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
26+ | 2.01 EUR |
30+ | 1.74 EUR |
100+ | 1.5 EUR |
500+ | 1.37 EUR |
1000+ | 1.23 EUR |
2500+ | 1.22 EUR |
5000+ | 1.17 EUR |
IKN06N60RC2ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
24+ | 2.2 EUR |
28+ | 1.91 EUR |
100+ | 1.32 EUR |
500+ | 1.1 EUR |
1000+ | 0.94 EUR |
3000+ | 0.84 EUR |
6000+ | 0.79 EUR |
IKP06N60T |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 3.98 EUR |
16+ | 3.28 EUR |
100+ | 2.56 EUR |
500+ | 2.16 EUR |
1000+ | 1.76 EUR |
2500+ | 1.66 EUR |
5000+ | 1.58 EUR |
IKP06N60TXKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 4 EUR |
16+ | 3.25 EUR |
100+ | 2.56 EUR |
500+ | 2.16 EUR |
1000+ | 1.66 EUR |
5000+ | 1.58 EUR |
10000+ | 1.57 EUR |
IKP06N60TXKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFIB6N60A |
Hersteller: Vishay
N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 2.95 EUR |
IRFIB6N60APBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
auf Bestellung 4919 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 7.77 EUR |
10+ | 7.28 EUR |
25+ | 5.9 EUR |
100+ | 5.28 EUR |
250+ | 5.25 EUR |
500+ | 4.91 EUR |
1000+ | 4.26 EUR |
IRFP26N60LPBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 19.47 EUR |
10+ | 17.34 EUR |
25+ | 16.61 EUR |
100+ | 15.11 EUR |
250+ | 14.35 EUR |
500+ | 13.23 EUR |
1000+ | 11.7 EUR |
IXFA16N60P3 |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 8.89 EUR |
12+ | 6.01 EUR |
IXFH36N60P |
Hersteller: IXYS
MOSFET 600V 36A
MOSFET 600V 36A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 27.53 EUR |
10+ | 24.28 EUR |
30+ | 23.63 EUR |
60+ | 22.28 EUR |
120+ | 21.32 EUR |
IXFH36N60X3 |
Hersteller: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 36A 600V X3 TO
MOSFET DISCRETE MOSFET 36A 600V X3 TO
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 19.84 EUR |
10+ | 17 EUR |
120+ | 14.17 EUR |
270+ | 14.14 EUR |
510+ | 11.96 EUR |
1020+ | 10.71 EUR |
IXFK36N60P |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 15.16 EUR |
7+ | 10.88 EUR |
IXFP16N60P3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 5.65 EUR |
15+ | 5.08 EUR |
18+ | 4.03 EUR |
19+ | 3.82 EUR |
IXGH36N60B3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
11+ | 7.12 EUR |
12+ | 6.41 EUR |
15+ | 4.88 EUR |
16+ | 4.6 EUR |
IXGH36N60B3 |
Hersteller: IXYS
IGBT Transistors GenX3 600V IGBTs
IGBT Transistors GenX3 600V IGBTs
auf Bestellung 1049 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 16.25 EUR |
30+ | 12.87 EUR |
120+ | 11.02 EUR |
510+ | 9.8 EUR |
1020+ | 8.68 EUR |
2520+ | 7.98 EUR |
IXGH36N60B3C1 |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
IXTH26N60P |
Hersteller: IXYS
MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 21.63 EUR |
10+ | 18.54 EUR |
30+ | 16.82 EUR |
120+ | 15.44 EUR |
270+ | 13.47 EUR |
510+ | 12.97 EUR |
1020+ | 12.9 EUR |
PBES16N60R |
Hersteller: TE Connectivity / Alcoswitch
Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 124.93 EUR |
5+ | 114.3 EUR |
10+ | 107.61 EUR |
25+ | 99.5 EUR |
50+ | 90.71 EUR |
100+ | 87.05 EUR |
250+ | 86.66 EUR |
SIHA186N60EF-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CHANNEL
MOSFET 600V N-CHANNEL
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 6.5 EUR |
10+ | 5.75 EUR |
25+ | 5.2 EUR |
100+ | 4.52 EUR |
250+ | 4.37 EUR |
500+ | 4 EUR |
1000+ | 3.48 EUR |
SIHB186N60EF-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH MOSFET
MOSFET 600V N-CH MOSFET
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 6.86 EUR |
10+ | 6.27 EUR |
25+ | 5.43 EUR |
100+ | 4.78 EUR |
500+ | 4.13 EUR |
1000+ | 3.59 EUR |
SIHD186N60EF-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 7.18 EUR |
10+ | 6.06 EUR |
25+ | 4.99 EUR |
100+ | 4.45 EUR |
250+ | 4.32 EUR |
500+ | 4.08 EUR |
1000+ | 3.61 EUR |
SIHG186N60EF-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CHANNEL
MOSFET 600V N-CHANNEL
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 8.11 EUR |
10+ | 7.02 EUR |
25+ | 6.32 EUR |
100+ | 5.51 EUR |
250+ | 5.36 EUR |
500+ | 5.02 EUR |
1000+ | 4.24 EUR |
SIHH186N60EF-T1GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 11.67 EUR |
10+ | 9.83 EUR |
25+ | 9.33 EUR |
100+ | 7.96 EUR |
250+ | 7.51 EUR |
500+ | 7.07 EUR |
1000+ | 6.06 EUR |
SIHH26N60E-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 13.05 EUR |
10+ | 10.95 EUR |
25+ | 10.35 EUR |
100+ | 8.87 EUR |
250+ | 8.4 EUR |
500+ | 7.88 EUR |
1000+ | 6.73 EUR |
SiHH26N60EF-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 15.6 EUR |
10+ | 13.36 EUR |
25+ | 12.12 EUR |
100+ | 11.15 EUR |
250+ | 10.5 EUR |
500+ | 9.83 EUR |
1000+ | 8.89 EUR |
SIHP186N60EF-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 8.19 EUR |
10+ | 6.89 EUR |
25+ | 5.54 EUR |
100+ | 5.02 EUR |
250+ | 4.89 EUR |
500+ | 4.65 EUR |
1000+ | 4.34 EUR |
SPD06N60C3ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STB36N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 548 Stücke:
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4+ | 14.07 EUR |
10+ | 11.83 EUR |
25+ | 7.64 EUR |
100+ | 7.33 EUR |
250+ | 7.25 EUR |
500+ | 7.18 EUR |
1000+ | 7.15 EUR |
STB36N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STB6N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STB6N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 3.9 EUR |
17+ | 3.2 EUR |
100+ | 2.49 EUR |
500+ | 2.09 EUR |
1000+ | 1.71 EUR |
2000+ | 1.61 EUR |
5000+ | 1.53 EUR |
STD16N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 9605 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 3.74 EUR |
16+ | 3.25 EUR |
100+ | 2.78 EUR |
250+ | 2.65 EUR |
500+ | 2.44 EUR |
1000+ | 2.04 EUR |
STD16N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 5.33 EUR |
12+ | 4.42 EUR |
100+ | 3.54 EUR |
250+ | 3.28 EUR |
500+ | 2.94 EUR |
1000+ | 2.7 EUR |
2500+ | 2.32 EUR |
STD6N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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16+ | 3.46 EUR |
32+ | 1.66 EUR |
100+ | 1.51 EUR |
1000+ | 1.46 EUR |
2500+ | 1.43 EUR |
5000+ | 1.36 EUR |
STD6N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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