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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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STF16N65M5 Produktcode: 201571 |
IC > IC andere |
erwartet:
5 Stück
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IGD06N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 2856 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKD06N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 5551 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFH26N65X2 | IXYS | MOSFET MOSFET DISCRETE |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFH46N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 180ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH46N65X2 | IXYS | MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2 |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFH46N65X3 | IXYS | MOSFET DISCRETE MOSFET 46A 650V X3 TO |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXFP26N65X2 | IXYS | IXFP26N65X2 THT N channel transistors |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP26N65X2 | IXYS | MOSFET MOSFET DISCRETE |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHD6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
auf Bestellung 3797 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHF6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHJ6N65E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L |
auf Bestellung 5953 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHU6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251) |
auf Bestellung 2711 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STB6N65K3 | STMicroelectronics | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD16N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.279Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD16N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp |
auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD6N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF16N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF16N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF16N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.279Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF16N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.279Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF16N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH |
auf Bestellung 12101 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF26N65DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF6N65K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3 |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF6N65K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF6N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 1597 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STL16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 126-140 Tag (e) |
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STP16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP16N65M5 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP16N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP16N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STU16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package |
auf Bestellung 1988 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STU6N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW56N65DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 271 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW56N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ 49 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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TRS16N65FB,S1Q | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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WMJ26N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 147W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMJ26N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 147W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMK26N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 147W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMK26N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 147W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WML26N65C4 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WML26N65C4 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMN16N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMO16N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MPF06N65 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPA26N65C3 |
auf Bestellung 2002 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STF16N65M5 |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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STI16N65M5 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STU6N65K3 | STMicroelectronics |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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TMPF6N65G |
auf Bestellung 19102 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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WML26N65C2; 20A; 650V; 34W; 0,19R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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YMP6N65BCD |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STD16N65M2 Produktcode: 198608 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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STD16N65M5 Produktcode: 189591 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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STF6N65K3 Produktcode: 198720 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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STP16N65M5 (Transistor feld- N-Kanal) Produktcode: 43778 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
Produkt ist nicht verfügbar
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IGD06N65T6ARMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2856 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 3.82 EUR |
17+ | 3.2 EUR |
100+ | 2.54 EUR |
250+ | 2.35 EUR |
500+ | 2.13 EUR |
1000+ | 1.82 EUR |
3000+ | 1.73 EUR |
IKD06N65ET6ARMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5551 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 4.08 EUR |
17+ | 3.17 EUR |
100+ | 2.68 EUR |
250+ | 2.47 EUR |
500+ | 2.28 EUR |
3000+ | 2.02 EUR |
IXFH26N65X2 |
Hersteller: IXYS
MOSFET MOSFET DISCRETE
MOSFET MOSFET DISCRETE
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 27.98 EUR |
10+ | 25.14 EUR |
30+ | 24.78 EUR |
60+ | 24.28 EUR |
IXFH46N65X2 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IXFH46N65X2 |
Hersteller: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 25.09 EUR |
10+ | 21.53 EUR |
30+ | 19.53 EUR |
120+ | 17.91 EUR |
270+ | 16.72 EUR |
IXFH46N65X3 |
Hersteller: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 46A 650V X3 TO
MOSFET DISCRETE MOSFET 46A 650V X3 TO
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 22.46 EUR |
10+ | 19.24 EUR |
30+ | 17.55 EUR |
IXFP26N65X2 |
Hersteller: IXYS
IXFP26N65X2 THT N channel transistors
IXFP26N65X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 11.57 EUR |
10+ | 7.16 EUR |
IXFP26N65X2 |
Hersteller: IXYS
MOSFET MOSFET DISCRETE
MOSFET MOSFET DISCRETE
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 23.09 EUR |
10+ | 19.81 EUR |
50+ | 18.07 EUR |
SIHD6N65E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 3797 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
18+ | 2.96 EUR |
21+ | 2.54 EUR |
100+ | 2.16 EUR |
250+ | 2.15 EUR |
500+ | 1.92 EUR |
1000+ | 1.73 EUR |
SIHF6N65E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.69 EUR |
11+ | 4.73 EUR |
100+ | 3.77 EUR |
250+ | 3.48 EUR |
500+ | 3.17 EUR |
1000+ | 2.68 EUR |
2000+ | 2.6 EUR |
SIHJ6N65E-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 5953 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
11+ | 4.97 EUR |
13+ | 4.13 EUR |
100+ | 3.28 EUR |
250+ | 3.02 EUR |
500+ | 2.76 EUR |
1000+ | 2.35 EUR |
3000+ | 2.28 EUR |
SIHP6N65E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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11+ | 5.04 EUR |
13+ | 4.21 EUR |
100+ | 3.33 EUR |
250+ | 3.09 EUR |
500+ | 2.81 EUR |
1000+ | 2.34 EUR |
2000+ | 2.27 EUR |
SIHU6N65E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 3.98 EUR |
16+ | 3.3 EUR |
75+ | 2.6 EUR |
300+ | 2.42 EUR |
525+ | 2.19 EUR |
1050+ | 1.88 EUR |
2550+ | 1.78 EUR |
STB6N65K3 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
16+ | 3.41 EUR |
19+ | 2.81 EUR |
100+ | 2.18 EUR |
500+ | 1.85 EUR |
1000+ | 1.5 EUR |
2000+ | 1.41 EUR |
5000+ | 1.35 EUR |
STD16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 5.28 EUR |
12+ | 4.37 EUR |
100+ | 3.48 EUR |
500+ | 2.94 EUR |
1000+ | 2.44 EUR |
2500+ | 2.32 EUR |
5000+ | 2.24 EUR |
STD16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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21+ | 3.55 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
27+ | 2.72 EUR |
28+ | 2.57 EUR |
STD16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 7.05 EUR |
10+ | 5.93 EUR |
100+ | 4.78 EUR |
250+ | 4.63 EUR |
500+ | 4.26 EUR |
1000+ | 3.69 EUR |
2500+ | 3.41 EUR |
STD16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STD6N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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16+ | 3.28 EUR |
20+ | 2.68 EUR |
100+ | 2.09 EUR |
500+ | 1.77 EUR |
1000+ | 1.44 EUR |
2500+ | 1.35 EUR |
5000+ | 1.29 EUR |
STF16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
28+ | 2.65 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
STF16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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28+ | 2.65 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
500+ | 1.53 EUR |
1000+ | 1.52 EUR |
STF16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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11+ | 4.99 EUR |
16+ | 3.35 EUR |
100+ | 2.96 EUR |
500+ | 2.65 EUR |
1000+ | 2.47 EUR |
2000+ | 2.29 EUR |
STF16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
19+ | 3.93 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
26+ | 2.8 EUR |
28+ | 2.65 EUR |
STF16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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19+ | 3.93 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
26+ | 2.8 EUR |
28+ | 2.65 EUR |
STF16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
auf Bestellung 12101 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.28 EUR |
11+ | 5.17 EUR |
25+ | 4.45 EUR |
100+ | 3.95 EUR |
250+ | 3.93 EUR |
500+ | 3.69 EUR |
STF26N65DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 8.87 EUR |
10+ | 7.44 EUR |
25+ | 6.4 EUR |
100+ | 5.69 EUR |
250+ | 5.43 EUR |
500+ | 5.15 EUR |
1000+ | 4.58 EUR |
STF6N65K3 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.67 EUR |
17+ | 3.15 EUR |
100+ | 2.7 EUR |
250+ | 2.47 EUR |
STF6N65K3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STF6N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 3.74 EUR |
17+ | 3.07 EUR |
100+ | 2.39 EUR |
500+ | 2.06 EUR |
1000+ | 1.68 EUR |
2000+ | 1.55 EUR |
5000+ | 1.47 EUR |
STL16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.49 EUR |
12+ | 4.58 EUR |
100+ | 3.64 EUR |
250+ | 3.35 EUR |
500+ | 3.04 EUR |
1000+ | 2.6 EUR |
3000+ | 2.47 EUR |
STP16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.56 EUR |
16+ | 3.28 EUR |
100+ | 2.94 EUR |
1000+ | 2.47 EUR |
5000+ | 2.42 EUR |
10000+ | 2.37 EUR |
STP16N65M5 |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 7.22 EUR |
STP16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STP16N65M5 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 7.54 EUR |
10+ | 6.34 EUR |
25+ | 5.98 EUR |
100+ | 5.12 EUR |
250+ | 4.84 EUR |
500+ | 4.58 EUR |
1000+ | 3.93 EUR |
STU16N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.46 EUR |
12+ | 4.39 EUR |
100+ | 3.64 EUR |
250+ | 3.33 EUR |
500+ | 3.04 EUR |
1000+ | 2.47 EUR |
3000+ | 2.39 EUR |
STU6N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 2.63 EUR |
31+ | 1.71 EUR |
100+ | 1.45 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
1000+ | 1.13 EUR |
3000+ | 1.03 EUR |
STW56N65DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 26.83 EUR |
10+ | 24.67 EUR |
25+ | 20.96 EUR |
100+ | 19.16 EUR |
250+ | 17.81 EUR |
600+ | 15.78 EUR |
1200+ | 15.65 EUR |
STW56N65M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ 49 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ 49 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 21.11 EUR |
10+ | 18.77 EUR |
25+ | 16.41 EUR |
100+ | 15.08 EUR |
250+ | 13.31 EUR |
600+ | 11.93 EUR |
1200+ | 11.41 EUR |
TRS16N65FB,S1Q |
Hersteller: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 14.43 EUR |
10+ | 10.43 EUR |
120+ | 9.57 EUR |
270+ | 9.52 EUR |
510+ | 8.66 EUR |
1020+ | 7.02 EUR |
2520+ | 6.99 EUR |
WMJ26N65C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
12+ | 6.02 EUR |
15+ | 4.8 EUR |
27+ | 2.7 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
WMJ26N65C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
12+ | 6.02 EUR |
15+ | 4.8 EUR |
27+ | 2.7 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
WMK26N65C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
29+ | 2.52 EUR |
33+ | 2.23 EUR |
37+ | 1.94 EUR |
40+ | 1.83 EUR |
WMK26N65C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
29+ | 2.52 EUR |
33+ | 2.23 EUR |
37+ | 1.94 EUR |
40+ | 1.83 EUR |
500+ | 1.76 EUR |
WML26N65C4 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
31+ | 2.32 EUR |
35+ | 2.09 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
WML26N65C4 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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31+ | 2.32 EUR |
35+ | 2.09 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
WMN16N65C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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48+ | 1.49 EUR |
500+ | 0.89 EUR |
WMO16N65C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
61+ | 1.19 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
2500+ | 0.82 EUR |
WML26N65C2; 20A; 650V; 34W; 0,19R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON |
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STP16N65M5 (Transistor feld- N-Kanal) Produktcode: 43778 |
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