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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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Neodym Magnet Starke Ringmagnet Ø10x1.5mm Bohrung Ø4mm Ni N38/N50 Menge wählbar Produktcode: 23502 |
HHII |
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Magnete Material: N50, NdFeB, Ni+Cu+Ni (Nickel) Form und Abmessungen: Ring, D au?en.=10mm, D innen.=4mm, h=1,5mm Тип: Неодимовий Форма: Диск (шайба) Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg № 4: 8505 11 00 00 |
verfügbar: 429 Stück
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SIHF18N50D-E3 Produktcode: 188008 |
Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 550 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38 JHGF: THT |
auf Bestellung 10 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPP08N50C3 Produktcode: 113412 |
Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 500 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 750/3 JHGF: THT |
auf Bestellung 41 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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+1 |
Treiber Schrittmotor HY-DIV268N-5A (TB6600) Produktcode: 101911 |
Modulare Elemente > Motoren Beschreibung: Драйвер крокового двигуна 1 канал; режими: повний крок, 1/2, 1/4, 1/8 і 1/16; оптично ізольований сигнал вхід / вихід; підходить для 2-х і 4-х фазних двигунів Typ: Драйвер Strom A: 12 ... 48 V Струм, А: 5 А |
auf Bestellung 9 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 15 Stück: 15 Stück - erwartet |
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8N50E | PH | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AOT8N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 23.6nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BXP18N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 42.8W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDPF18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50 Anzahl je Verpackung: 3 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPP020N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK78N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 78A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX98N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 98A Power dissipation: 1.3kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PC8N-5L4E-C | ProLight Opto | PC8N-5L4E-C Colour power LEDs - Emiter |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMJ18N50D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 271W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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08N50C3 | INFINEON | 09+ TO252-2.5 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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1808N560K302T |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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1808N5R6D302NT |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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202R18N5R0CV4E |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AOTF8N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AV218N50 | FAIRCHILD | 09+ |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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E38N50 | EUPEC | MODULE |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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EL65728N-5 | 94 |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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EL65728N-5 | DIP |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDA18N50 | FAIRCHILD | 09+ TO3P |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDA18N50 | ON Semiconductor |
auf Bestellung 56250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDPF8N50NZU | ON Semiconductor |
auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FPQF18N50V2 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQA18N50V2 | FAIRCHILD | 09+ |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQA28N50 | FSC |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQA28N50 | FAIRCHILD |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQH18N50V2 |
auf Bestellung 9900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQP18N50V2 | FAIRCHILD |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQPF18N50 |
auf Bestellung 4463 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQPF18N50V2 | FAIRCHILD |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQPF18N50V2 | FAIRCHILD | 09+ |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HG18N561J500LT | WALSIN | 04+ |
auf Bestellung 44010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HH18N560J500LT | WALSIN | 04+ |
auf Bestellung 12010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPP023N08N5 | Infineon |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPP052N08N5 | Infineon |
auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPT012N08N5 | Infineon |
auf Bestellung 40050 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPT019N08N5 | Infineon |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFIB8N50K | IR |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXFN48N50 | IXYS | 07+; |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXFN48N50 | IXYS | MODULE |
auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXFN48N50 | IXYS |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXFN48N50U2 | IXYS |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXFR48N50Q | IXYS | 05+ TO92 |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXFX48N50 | IXYS |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXFX48N50Q | IXYS |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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LM368N-5.0 |
auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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LM368N50 | NSC |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MDF18N50TH |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MDF18N50TH=FQPF18N50C |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MDP18N50GTH |
auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MDP18N50TH |
auf Bestellung 7800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MDP18N50TH=FQP18N50C |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MDQ18N50G |
auf Bestellung 38545 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Neodym Magnet Starke Ringmagnet Ø10x1.5mm Bohrung Ø4mm Ni N38/N50 Menge wählbar Produktcode: 23502 |
Hersteller: HHII
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Magnete
Material: N50, NdFeB, Ni+Cu+Ni (Nickel)
Form und Abmessungen: Ring, D au?en.=10mm, D innen.=4mm, h=1,5mm
Тип: Неодимовий
Форма: Диск (шайба)
Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg
№ 4: 8505 11 00 00
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Magnete
Material: N50, NdFeB, Ni+Cu+Ni (Nickel)
Form und Abmessungen: Ring, D au?en.=10mm, D innen.=4mm, h=1,5mm
Тип: Неодимовий
Форма: Диск (шайба)
Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg
№ 4: 8505 11 00 00
verfügbar: 429 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.19 EUR |
100+ | 0.13 EUR |
SIHF18N50D-E3 Produktcode: 188008 |
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
JHGF: THT
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)SPP08N50C3 Produktcode: 113412 |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 750/3
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 750/3
JHGF: THT
auf Bestellung 41 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Treiber Schrittmotor HY-DIV268N-5A (TB6600) Produktcode: 101911 |
Modulare Elemente > Motoren
Beschreibung: Драйвер крокового двигуна 1 канал; режими: повний крок, 1/2, 1/4, 1/8 і 1/16; оптично ізольований сигнал вхід / вихід; підходить для 2-х і 4-х фазних двигунів
Typ: Драйвер
Strom A: 12 ... 48 V
Струм, А: 5 А
Beschreibung: Драйвер крокового двигуна 1 канал; режими: повний крок, 1/2, 1/4, 1/8 і 1/16; оптично ізольований сигнал вхід / вихід; підходить для 2-х і 4-х фазних двигунів
Typ: Драйвер
Strom A: 12 ... 48 V
Струм, А: 5 А
auf Bestellung 9 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 15 Stück:
15 Stück - erwartetAOT8N50 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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44+ | 1.66 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
89+ | 0.81 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
250+ | 0.73 EUR |
BXP18N50F |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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56+ | 1.29 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
76+ | 0.95 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
1000+ | 0.87 EUR |
FDP18N50 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 6.74 EUR |
FDP18N50 |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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21+ | 3.42 EUR |
24+ | 3.09 EUR |
30+ | 2.43 EUR |
32+ | 2.3 EUR |
250+ | 2.22 EUR |
FDPF18N50 |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF18N50 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 8.67 EUR |
IPP020N08N5AKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 10.27 EUR |
11+ | 6.72 EUR |
12+ | 6.36 EUR |
IRFB18N50KPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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23+ | 3.22 EUR |
25+ | 2.9 EUR |
32+ | 2.3 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
250+ | 2.14 EUR |
IXFK78N50P3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 20.58 EUR |
IXFX98N50P3 |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 15.62 EUR |
PC8N-5L4E-C |
Hersteller: ProLight Opto
PC8N-5L4E-C Colour power LEDs - Emiter
PC8N-5L4E-C Colour power LEDs - Emiter
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 5.43 EUR |
20+ | 3.75 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
WMJ18N50D1B |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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38+ | 1.9 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
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