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STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics 2346247221960282cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics stgf19nc60hd-1850755.pdf IGBT Transistors N Ch 600V 19A
auf Bestellung 2773 Stücke:
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STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STGB19NC60KDT4 STGB19NC60KDT4 STMicroelectronics stgb19nc60kdt4-1850888.pdf IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
auf Bestellung 933 Stücke:
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STGF19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STGF19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
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12+5.96 EUR
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2000+ 1.96 EUR
6000+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STGF19NC60KD STGF19NC60KD STMicroelectronics en.CD00196439.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.16 EUR
26+ 2.85 EUR
30+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 23
STGF19NC60KD STGF19NC60KD STMicroelectronics 127986270494197cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STGF19NC60KD STGF19NC60KD STMicroelectronics stgb19nc60kdt4-1850888.pdf IGBT Transistors 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 98-112 Tag (e)
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2000+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STGP19NC60HD STGP19NC60HD STMicroelectronics stgp19nc60hd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18
STGP19NC60HD STGP19NC60HD STMicroelectronics stgp19nc60hd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
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18+3.98 EUR
19+ 3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 18
STGP19NC60HD STGP19NC60HD STMicroelectronics stgf19nc60hd-1850755.pdf IGBT Transistors 19 A - 600 V very fast IGBT
auf Bestellung 2956 Stücke:
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25+ 4.24 EUR
100+ 3.85 EUR
500+ 3.59 EUR
1000+ 3.28 EUR
2000+ 3.2 EUR
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STGP19NC60HD STGP19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Description: IGBT 600V 40A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 14817 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.53 EUR
50+ 5.17 EUR
100+ 4.43 EUR
500+ 3.94 EUR
1000+ 3.37 EUR
2000+ 3.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
STGP19NC60KD STGP19NC60KD STMicroelectronics stgb19nc60kdt4-1850888.pdf IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.29 EUR
11+ 5.04 EUR
100+ 4.16 EUR
250+ 4.13 EUR
500+ 3.61 EUR
1000+ 2.96 EUR
2000+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STGP19NC60KD STGP19NC60KD STMicroelectronics en.CD00196439.pdf Description: 20 A, 600 V short circuit rugged
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.24 EUR
50+ 5.01 EUR
100+ 4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STGP19NC60SD STGP19NC60SD STMicroelectronics stgp19nc60sd-1850761.pdf IGBT Transistors N-chnl 600V-20A Med Freq
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.93 EUR
11+ 4.94 EUR
100+ 3.93 EUR
250+ 3.64 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.81 EUR
2000+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STGP19NC60SD STGP19NC60SD STMicroelectronics en.CD00164782.pdf Description: IGBT 600V 40A 130W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17.5ns/175ns
Switching Energy: 135µJ (on), 815µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 54.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.9 EUR
50+ 4.74 EUR
100+ 3.9 EUR
500+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STGW19NC60HD STGW19NC60HD STMicroelectronics stgw19nc60hd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16
STGW19NC60HD ST en.CD00144165.pdf 42A; 600V; 140W; IGBT   STGW19NC60HD TSTGW19nc60hd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STGW19NC60HD STGW19NC60HD STMicroelectronics stgw19nc60hd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.46 EUR
17+ 4.2 EUR
120+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
STGW19NC60HD STGW19NC60HD STMicroelectronics 2346247221960282cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STGW19NC60HD STGW19NC60HD STMicroelectronics stgf19nc60hd-1850755.pdf IGBT Transistors 19 A - 600 V Very fast IGBT
auf Bestellung 4264 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.51 EUR
10+ 6.86 EUR
25+ 5.98 EUR
100+ 5.1 EUR
250+ 4.55 EUR
600+ 3.87 EUR
1200+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STGW19NC60HD STGW19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Description: IGBT 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.46 EUR
30+ 5.91 EUR
120+ 5.07 EUR
510+ 4.5 EUR
1020+ 3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics STGW39NC60VD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.08 EUR
16+ 4.59 EUR
20+ 3.69 EUR
21+ 3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15
STGW39NC60VD ST en.CD00077683.pdf 80A; 600V; 250W; IGBT   STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics STGW39NC60VD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.08 EUR
16+ 4.59 EUR
20+ 3.69 EUR
21+ 3.49 EUR
120+ 3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 15
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics cd0007768.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics stgw39nc60vd-1851188.pdf IGBT Transistors N-CHANNEL MFT
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.31 EUR
10+ 12.71 EUR
25+ 10.14 EUR
100+ 8.79 EUR
250+ 7.72 EUR
600+ 6.73 EUR
1200+ 6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics en.CD00077683.pdf Description: IGBT 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.26 EUR
30+ 10.51 EUR
120+ 9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STGWA19NC60HD STGWA19NC60HD STMicroelectronics stgwa19nc60hd-1850999.pdf IGBT Transistors 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.46 EUR
10+ 6.94 EUR
25+ 5.93 EUR
100+ 5.07 EUR
250+ 4.52 EUR
600+ 3.95 EUR
1200+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STGWA19NC60HD STGWA19NC60HD STMicroelectronics en.DM00038634.pdf Description: IGBT 600V 52A 208W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.41 EUR
30+ 5.88 EUR
120+ 5.04 EUR
510+ 4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
B9NC60 ST TO-263
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P9NC60
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P9NC60FP ST 00+ TO-220
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB9NC60 ST 07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB9NC60 ST TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB9NC60-1 ST TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB9NC60-1 ST 07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB9NC60T4 ST TO-263
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STGF19NC60KD en.CD00196439.pdf
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STGP19NC60KD en.CD00196439.pdf
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP9NC60 ST TO-220
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP9NC60Z
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP9NC60ZFP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Транзистор IGBT STGP19NC60KD 20A 600V TO-220F
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Транзистор IGBT STGW39NC60VD 40A 600V TO-247
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP9NK60Z ST en.CD00002961.pdf N-MOSFET 9A 600V 125W 0.6Ω Replacement: STP9NC60 STP9NK60Z TSTP9NK60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STGF19NC60KD STGF19NC60KD
Produktcode: 81562 		en.CD00196439.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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STGP19NC60HD
Produktcode: 183916 		en.CD00144165.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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STGP19NC60KD
Produktcode: 171429 		en.CD00196439.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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STGW39NC60VD STGW39NC60VD
Produktcode: 116027 		ST stgw39nc60vd.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 33/178
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STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics 2346247221960282cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
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STGB19NC60KD4 STGB19NC60KD4 STMicroelectronics 127986270494197cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB19NC60KDT4 STMicroelectronics 127986270494197cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB19NC60KDT4 STGB19NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00196439.pdf Description: IGBT 600V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
STGB19NC60KDT4 STGB19NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00196439.pdf Description: IGBT 600V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
STGB19NC60HDT4 2346247221960282cd001.pdf
STGB19NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STGB19NC60HDT4 stgf19nc60hd-1850755.pdf
STGB19NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors N Ch 600V 19A
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+6.53 EUR
10+ 5.49 EUR
25+ 5.17 EUR
100+ 4.42 EUR
250+ 4.19 EUR
500+ 3.95 EUR
1000+ 3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
STGB19NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+6.5 EUR
10+ 5.46 EUR
100+ 4.42 EUR
500+ 3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STGB19NC60KDT4 stgb19nc60kdt4-1850888.pdf
STGB19NC60KDT4
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+14.69 EUR
10+ 12.32 EUR
100+ 9.98 EUR
500+ 8.87 EUR
1000+ 7.44 EUR
2000+ 6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STGF19NC60HD en.CD00144165.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STGF19NC60HD en.CD00144165.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+5.96 EUR
22+ 3.25 EUR
2000+ 1.96 EUR
6000+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 12
STGF19NC60KD en.CD00196439.pdf
STGF19NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+3.16 EUR
26+ 2.85 EUR
30+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 23
STGF19NC60KD 127986270494197cd001.pdf
STGF19NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STGF19NC60KD stgb19nc60kdt4-1850888.pdf
STGF19NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 98-112 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+6.24 EUR
11+ 5.17 EUR
100+ 4.13 EUR
250+ 3.8 EUR
500+ 3.46 EUR
1000+ 2.94 EUR
2000+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STGP19NC60HD stgp19nc60hd.pdf
STGP19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18
STGP19NC60HD stgp19nc60hd.pdf
STGP19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+3.98 EUR
19+ 3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 18
STGP19NC60HD stgf19nc60hd-1850755.pdf
STGP19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors 19 A - 600 V very fast IGBT
auf Bestellung 2956 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+6.58 EUR
10+ 5.54 EUR
25+ 4.24 EUR
100+ 3.85 EUR
500+ 3.59 EUR
1000+ 3.28 EUR
2000+ 3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STGP19NC60HD en.CD00144165.pdf
STGP19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 40A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 14817 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+6.53 EUR
50+ 5.17 EUR
100+ 4.43 EUR
500+ 3.94 EUR
1000+ 3.37 EUR
2000+ 3.17 EUR
5000+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STGP19NC60KD stgb19nc60kdt4-1850888.pdf
STGP19NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+6.29 EUR
11+ 5.04 EUR
100+ 4.16 EUR
250+ 4.13 EUR
500+ 3.61 EUR
1000+ 2.96 EUR
2000+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STGP19NC60KD en.CD00196439.pdf
STGP19NC60KD
Hersteller: STMicroelectronics
Description: 20 A, 600 V short circuit rugged
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+6.24 EUR
50+ 5.01 EUR
100+ 4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STGP19NC60SD stgp19nc60sd-1850761.pdf
STGP19NC60SD
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors N-chnl 600V-20A Med Freq
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+5.93 EUR
11+ 4.94 EUR
100+ 3.93 EUR
250+ 3.64 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.81 EUR
2000+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STGP19NC60SD en.CD00164782.pdf
STGP19NC60SD
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 40A 130W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17.5ns/175ns
Switching Energy: 135µJ (on), 815µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 54.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+5.9 EUR
50+ 4.74 EUR
100+ 3.9 EUR
500+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STGW19NC60HD stgw19nc60hd.pdf
STGW19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16
STGW19NC60HD en.CD00144165.pdf
Hersteller: ST
42A; 600V; 140W; IGBT   STGW19NC60HD TSTGW19nc60hd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STGW19NC60HD stgw19nc60hd.pdf
STGW19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+4.46 EUR
17+ 4.2 EUR
120+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
STGW19NC60HD 2346247221960282cd001.pdf
STGW19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STGW19NC60HD stgf19nc60hd-1850755.pdf
STGW19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors 19 A - 600 V Very fast IGBT
auf Bestellung 4264 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+7.51 EUR
10+ 6.86 EUR
25+ 5.98 EUR
100+ 5.1 EUR
250+ 4.55 EUR
600+ 3.87 EUR
1200+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STGW19NC60HD en.CD00144165.pdf
STGW19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 140 W
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+7.46 EUR
30+ 5.91 EUR
120+ 5.07 EUR
510+ 4.5 EUR
1020+ 3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STGW39NC60VD STGW39NC60VD.pdf
STGW39NC60VD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+5.08 EUR
16+ 4.59 EUR
20+ 3.69 EUR
21+ 3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 15
STGW39NC60VD en.CD00077683.pdf
Hersteller: ST
80A; 600V; 250W; IGBT   STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+9.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STGW39NC60VD STGW39NC60VD.pdf
STGW39NC60VD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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15+5.08 EUR
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21+ 3.49 EUR
120+ 3.35 EUR
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STGW39NC60VD cd0007768.pdf
STGW39NC60VD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW39NC60VD stgw39nc60vd-1851188.pdf
STGW39NC60VD
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors N-CHANNEL MFT
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4+13.31 EUR
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25+ 10.14 EUR
100+ 8.79 EUR
250+ 7.72 EUR
600+ 6.73 EUR
1200+ 6.5 EUR
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STGW39NC60VD en.CD00077683.pdf
STGW39NC60VD
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
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2+13.26 EUR
30+ 10.51 EUR
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STGWA19NC60HD stgwa19nc60hd-1850999.pdf
STGWA19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
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7+7.46 EUR
10+ 6.94 EUR
25+ 5.93 EUR
100+ 5.07 EUR
250+ 4.52 EUR
600+ 3.95 EUR
1200+ 3.64 EUR
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STGWA19NC60HD en.DM00038634.pdf
STGWA19NC60HD
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 52A 208W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 52 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+7.41 EUR
30+ 5.88 EUR
120+ 5.04 EUR
510+ 4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
B9NC60
Hersteller: ST
TO-263
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P9NC60
auf Bestellung 5750 Stücke:
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P9NC60FP
Hersteller: ST
00+ TO-220
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STB9NC60
Hersteller: ST
07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB9NC60
Hersteller: ST
TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB9NC60-1
Hersteller: ST
TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB9NC60-1
Hersteller: ST
07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STB9NC60T4
Hersteller: ST
TO-263
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
auf Bestellung 8000 Stücke:
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STGF19NC60KD en.CD00196439.pdf
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STGP19NC60KD en.CD00196439.pdf
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STP9NC60
Hersteller: ST
TO-220
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STP9NC60Z
auf Bestellung 5000 Stücke:
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STP9NC60ZFP
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Транзистор IGBT STGP19NC60KD 20A 600V TO-220F
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Транзистор IGBT STGW39NC60VD 40A 600V TO-247
auf Bestellung 2 Stücke:
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STP9NK60Z en.CD00002961.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 9A 600V 125W 0.6Ω Replacement: STP9NC60 STP9NK60Z TSTP9NK60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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STGF19NC60KD
Produktcode: 81562		 en.CD00196439.pdf
STGF19NC60KD
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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STGP19NC60HD
Produktcode: 183916		 en.CD00144165.pdf
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
STGP19NC60KD
Produktcode: 171429		 en.CD00196439.pdf
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
STGW39NC60VD
Produktcode: 116027		 stgw39nc60vd.pdf
STGW39NC60VD
Hersteller: ST
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 33/178
Produkt ist nicht verfügbar
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGB19NC60HDT4 2346247221960282cd001.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
STGB19NC60HDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
Produkt ist nicht verfügbar
STGB19NC60KD4 127986270494197cd001.pdf
STGB19NC60KD4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STGB19NC60KDT4 127986270494197cd001.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
STGB19NC60KDT4 en.CD00196439.pdf
STGB19NC60KDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 125 W
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STGB19NC60KDT4 en.CD00196439.pdf
STGB19NC60KDT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 125 W
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