Suchergebnisse für "BUZ11" : 45
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Mindestbestellmenge: 45
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BUZ11-NR4941 Produktcode: 184234 |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Uds,V: 50 V Idd,A: 30 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/ JHGF: THT |
auf Bestellung 15 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUZ11-NR4941 | onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel 50V 33A |
auf Bestellung 3856 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.03 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
auf Bestellung 12061 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUZ11-NR4941 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6318 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUZ111S | Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2202 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUZ111SL-E3045A | Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Power Dissipation (Max): 300W Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V |
auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUZ111SLE3045A | Siemens |
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Power Dissipation (Max): 300W Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUZ11S2537 | Harris Corporation |
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ11 | STMicroelectronics NV | N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUZ110S | INFINEON | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ110SL | INFINEON | 09+ DIP-3 |
auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ110SL | INFINEON | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ111S | INFINEON |
09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ111SL | INFINEON | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ111SL | INFINEON | 09+ TO-263 |
auf Bestellung 2135 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ111SL | INFINEON |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ11ACHIP |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ11AL |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ11CHIP |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ11CHP |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ11FIPS2FI |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ11S2 |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTE2389 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 152A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUZ11 Produktcode: 30902 |
Fairchild |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 50 Idd,A: 30 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 1500/ JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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BUZ111SL Produktcode: 118789 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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BUZ11A Produktcode: 77764 |
ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 50 Idd,A: 26 Rds(on), Ohm: 0.055 Ciss, pF/Qg, nC: 1400/ JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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BUZ11 | STMicroelectronics | MOSFET TO-220 N-CH 50V 33A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUZ11 | onsemi / Fairchild |
MOSFET FET 50V 40.0 MOHM TO220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUZ11-R4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUZ11A | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUZ11_R4941 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
| BUZ11-NR4941 Produktcode: 184234 |
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/
JHGF: THT
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/
JHGF: THT
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| BUZ11-NR4941 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 45+ | 1.62 EUR |
| 60+ | 1.2 EUR |
| 80+ | 0.9 EUR |
| 84+ | 0.85 EUR |
| BUZ11-NR4941 |
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auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 50+ | 2.19 EUR |
| BUZ11-NR4941 |
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auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 50+ | 2.19 EUR |
| BUZ11-NR4941 |
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auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 50+ | 2.19 EUR |
| BUZ11-NR4941 |
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auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 50+ | 2.19 EUR |
| BUZ11-NR4941 |
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auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 50+ | 2.19 EUR |
| BUZ11-NR4941 |
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auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 50+ | 2.19 EUR |
| BUZ11-NR4941 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel 50V 33A
MOSFET N-Channel 50V 33A
auf Bestellung 3856 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 19+ | 2.86 EUR |
| 23+ | 2.27 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.53 EUR |
| 800+ | 1.19 EUR |
| BUZ11-NR4941 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.03 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.03 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 12061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BUZ11-NR4941 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 6318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 2.76 EUR |
| 50+ | 2.21 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 2000+ | 1.14 EUR |
| 5000+ | 1.08 EUR |
| BUZ111S |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 353+ | 2.04 EUR |
| BUZ111SL-E3045A |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 353+ | 2.04 EUR |
| BUZ111SLE3045A |
|
Hersteller: Siemens
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 355+ | 2.04 EUR |
| BUZ11S2537 |
|
Hersteller: Harris Corporation
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 606+ | 1.2 EUR |
| BUZ11 |
Hersteller: STMicroelectronics NV
N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET)
N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NTE2389 |
|
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 152A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 152A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 8+ | 9.78 EUR |
| 9+ | 7.95 EUR |
| BUZ11 Produktcode: 30902 |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| BUZ11A Produktcode: 77764 |
|
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 26
Rds(on), Ohm: 0.055
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 26
Rds(on), Ohm: 0.055
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| BUZ11-NR4941 |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 45+ | 1.62 EUR |
| 60+ | 1.2 EUR |
| 80+ | 0.9 EUR |
| 84+ | 0.85 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| BUZ11-NR4941 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
| BUZ11-NR4941 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
| BUZ11-NR4941 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
| BUZ11-NR4941 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
| BUZ11-NR4941 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
| BUZ11-R4941 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
| BUZ11A |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 50V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 50V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
| BUZ11_R4941 |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar