Suchergebnisse für "DMN63D8LDW" : 27
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMN63D8LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 1900000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 321000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 5286000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 321000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 6350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 6350 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 801000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
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DMN63D8LDWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
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DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
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DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN63D8LDW-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
DMN63D8LDW-13 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 1900000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10000+ | 0.047 EUR |
DMN63D8LDW-13 |
Hersteller: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)DMN63D8LDW-13 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10000+ | 0.059 EUR |
20000+ | 0.056 EUR |
DMN63D8LDW-13 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10000+ | 0.059 EUR |
20000+ | 0.056 EUR |
DMN63D8LDW-7 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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370+ | 0.19 EUR |
980+ | 0.073 EUR |
1110+ | 0.065 EUR |
1225+ | 0.058 EUR |
1295+ | 0.055 EUR |
DMN63D8LDW-7 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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370+ | 0.19 EUR |
980+ | 0.073 EUR |
1110+ | 0.065 EUR |
1225+ | 0.058 EUR |
1295+ | 0.055 EUR |
3000+ | 0.054 EUR |
DMN63D8LDW-7 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.072 EUR |
9000+ | 0.063 EUR |
DMN63D8LDW-7 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 321000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.057 EUR |
6000+ | 0.049 EUR |
12000+ | 0.042 EUR |
18000+ | 0.04 EUR |
30000+ | 0.038 EUR |
DMN63D8LDW-7 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.068 EUR |
9000+ | 0.059 EUR |
24000+ | 0.053 EUR |
45000+ | 0.049 EUR |
99000+ | 0.043 EUR |
DMN63D8LDW-7 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.061 EUR |
6000+ | 0.053 EUR |
12000+ | 0.045 EUR |
18000+ | 0.043 EUR |
30000+ | 0.041 EUR |
DMN63D8LDW-7 |
Hersteller: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)DMN63D8LDW-7 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 5286000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6000+ | 0.047 EUR |
DMN63D8LDW-7 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.089 EUR |
DMN63D8LDW-7 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 321000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.057 EUR |
6000+ | 0.049 EUR |
12000+ | 0.042 EUR |
18000+ | 0.04 EUR |
30000+ | 0.038 EUR |
DMN63D8LDWQ-7 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 6350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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365+ | 0.2 EUR |
965+ | 0.074 EUR |
1090+ | 0.066 EUR |
1170+ | 0.061 EUR |
1215+ | 0.059 EUR |
1235+ | 0.058 EUR |
3000+ | 0.056 EUR |
DMN63D8LDWQ-7 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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365+ | 0.2 EUR |
965+ | 0.074 EUR |
1090+ | 0.066 EUR |
1170+ | 0.061 EUR |
1215+ | 0.059 EUR |
1235+ | 0.058 EUR |
3000+ | 0.056 EUR |
DMN63D8LDWQ-7 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 801000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.058 EUR |
DMN63D8LDW-13 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
DMN63D8LDW-7 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DMN63D8LDWQ-13 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DMN63D8LDWQ-7 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DMN63D8LDWQ-7 |
Hersteller: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DMN63D8LDWQ-7 |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DMN63D8LDW-13 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar