Suchergebnisse für "FB43" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Mindestbestellmenge: 6
Mindestbestellmenge: 20
Mindestbestellmenge: 20
Mindestbestellmenge: 7
Mindestbestellmenge: 22
Mindestbestellmenge: 22
Mindestbestellmenge: 7
Mindestbestellmenge: 8
Mindestbestellmenge: 10
Mindestbestellmenge: 22
Mindestbestellmenge: 22
Mindestbestellmenge: 6
Mindestbestellmenge: 2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| irfb4310 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRFB4310PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB4310PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg |
auf Bestellung 1093 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
IRFB4321PBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg |
auf Bestellung 1657 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| IRFB4332 | International Rectifier |
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRFB4332PbF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB4332PbF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB4332PbF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg |
auf Bestellung 21070 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| IRFB4310PBF | International Rectifier Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
| IRFB4321 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
||||||||||||||||
| IRFB4321 | IR | 10+ T0-220 |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
| LFB43172MSH4-028 |
auf Bestellung 9360 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB431G44AA1-652 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB431G52SN1 |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB431G90SN1-609 |
auf Bestellung 739 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB431G90SN1-657 |
auf Bestellung 946 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB431G95SN1A364 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB432G44AJ1-363 |
auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB432G45AJ1-589 |
auf Bestellung 2628 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB432G45SN1-629 |
|
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| LFB432G45SN1-6291812 | MURATA |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| LFB432G48AJ1-616 |
auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB432G48AJ1-617 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB432G50SN1A377 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB43390MAB1-483 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB433G13SN1A419 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB433G35SN1A409 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| LFB43DM3386SN1-3G35 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| MSFB43-85-001M0 | N/A |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| MSFB43-85-001M0 |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| SFB-4336 |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| SFB430 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
|
KIT MP913 Produktcode: 38691 |
MASTER KIT |
Modulare Elemente > Blöcke und Module BESCHREIBUNG: Empfänger für Pult FB 433 MHz MP910 (Tasten, zwei Relais) Dieser Empfänger Fernbedienung Geeignet für gemeinsame Operation mit unbegrenzte Zahl der Anhänger mР910. |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
|
ALS80A431DA400 | KEMET |
Aluminium Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 430uF 20% 6000Hrs |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FB43-110-RC Produktcode: 107078 |
Bourns |
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Transformatoren verschiedene andere |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||
|
|
Adapter Steckdose "Männchen"-"Weibchen", FB 433 MHz Produktcode: 46031 |
Optoelektronik > LED-Controller, Dimmer, Regler Beschreibung: Adapter Stecker-Steckdose an der Fernbedienung 433 MHz. Hier können Sie die Belastung verwalten bis 1kW. Frenbedienung vorgesehen für 4 vers. Adapter. |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||||
|
IRFB4310 Produktcode: 126728 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
|
IRFB4310PBF Produktcode: 172846 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
|
IRFB4310Z Produktcode: 128127 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
|
IRFB4310ZPBF Produktcode: 145200 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4321 Produktcode: 99479 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 150 Idd,A: 85 Rds(on), Ohm: 12 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||
|
IRFB4321PBF Produktcode: 165134 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4332PBF Produktcode: 52140 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 250 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 29 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||
| FB43-226-RC | Bourns |
Ferrite Core Bead 43-Material |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
 |
FB43-287-RC | Bourns |
Ferrite Core Bead 43-Material |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| CFFB43A50R106 | Carlo Gavazzi |
Power Line Filters EMC 50A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| CFFB43A65R106 | Carlo Gavazzi |
Power Line Filters EMC 65A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| HFB-430L | YAGEO | ESD Suppressors / TVS Diodes AXIAL LEADED TVS 430V 625V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| IRFB4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
|
|
IRFB4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
WW3FB432R | SEI Stackpole |
Wirewound Resistors - Through Hole RES, WW, 3W, 432 ohm, 1% |
Produkt ist nicht verfügbar |
| irfb4310 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 6+ | 6.92 EUR |
| IRFB4310PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 20+ | 3.7 EUR |
| 22+ | 3.35 EUR |
| 27+ | 2.66 EUR |
| 29+ | 2.52 EUR |
| IRFB4310PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 20+ | 3.7 EUR |
| 22+ | 3.35 EUR |
| 27+ | 2.66 EUR |
| 29+ | 2.52 EUR |
| 250+ | 2.47 EUR |
| IRFB4310PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 7+ | 7.88 EUR |
| 10+ | 7.49 EUR |
| 25+ | 6.55 EUR |
| 100+ | 5.69 EUR |
| 250+ | 5.02 EUR |
| 500+ | 4.65 EUR |
| 1000+ | 4.26 EUR |
| IRFB4310ZPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 22+ | 3.39 EUR |
| 24+ | 3.07 EUR |
| 31+ | 2.35 EUR |
| 33+ | 2.22 EUR |
| IRFB4310ZPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 22+ | 3.39 EUR |
| 24+ | 3.07 EUR |
| 31+ | 2.35 EUR |
| 33+ | 2.22 EUR |
| IRFB4310ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
auf Bestellung 1093 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 7+ | 8.06 EUR |
| 10+ | 6.94 EUR |
| 25+ | 6.73 EUR |
| 100+ | 5.72 EUR |
| 250+ | 5.56 EUR |
| 500+ | 5.1 EUR |
| 1000+ | 4.34 EUR |
| IRFB4321PBF | |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
| IRFB4321PBF | |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
auf Bestellung 1657 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 8+ | 6.97 EUR |
| 10+ | 5.98 EUR |
| 25+ | 5.93 EUR |
| 100+ | 4.78 EUR |
| 250+ | 4.76 EUR |
| 1000+ | 4.08 EUR |
| 2000+ | 3.74 EUR |
| IRFB4332 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 8.87 EUR |
| IRFB4332PbF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 22+ | 3.39 EUR |
| 24+ | 2.99 EUR |
| 28+ | 2.6 EUR |
| 30+ | 2.46 EUR |
| IRFB4332PbF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 22+ | 3.39 EUR |
| 24+ | 2.99 EUR |
| 28+ | 2.6 EUR |
| 30+ | 2.46 EUR |
| IRFB4332PbF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
auf Bestellung 21070 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 6+ | 9.23 EUR |
| 10+ | 8.89 EUR |
| 25+ | 7.33 EUR |
| 100+ | 6.34 EUR |
| 500+ | 5.62 EUR |
| 1000+ | 5.02 EUR |
| 5000+ | 4.91 EUR |
| IRFB4310PBF |
|
Hersteller: International Rectifier Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IRFB4321 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| KIT MP913 Produktcode: 38691 |
Hersteller: MASTER KIT
Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Empfänger für Pult FB 433 MHz MP910 (Tasten, zwei Relais) Dieser Empfänger Fernbedienung Geeignet für gemeinsame Operation mit unbegrenzte Zahl der Anhänger mР910.
Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Empfänger für Pult FB 433 MHz MP910 (Tasten, zwei Relais) Dieser Empfänger Fernbedienung Geeignet für gemeinsame Operation mit unbegrenzte Zahl der Anhänger mР910.
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 16.8 EUR |
| ALS80A431DA400 |
|
Hersteller: KEMET
Aluminium Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 430uF 20% 6000Hrs
Aluminium Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 430uF 20% 6000Hrs
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 33.1 EUR |
| 10+ | 30.63 EUR |
| 25+ | 30.19 EUR |
| 50+ | 26.47 EUR |
| 100+ | 23.82 EUR |
| 500+ | 22 EUR |
| 1000+ | 21.29 EUR |
| Adapter Steckdose "Männchen"-"Weibchen", FB 433 MHz Produktcode: 46031 |
Optoelektronik > LED-Controller, Dimmer, Regler
Beschreibung: Adapter Stecker-Steckdose an der Fernbedienung 433 MHz. Hier können Sie die Belastung verwalten bis 1kW. Frenbedienung vorgesehen für 4 vers. Adapter.
Beschreibung: Adapter Stecker-Steckdose an der Fernbedienung 433 MHz. Hier können Sie die Belastung verwalten bis 1kW. Frenbedienung vorgesehen für 4 vers. Adapter.
Produkt ist nicht verfügbar
| IRFB4321 Produktcode: 99479 |
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| IRFB4332PBF Produktcode: 52140 |
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| CFFB43A50R106 |
|
Hersteller: Carlo Gavazzi
Power Line Filters EMC 50A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE
Power Line Filters EMC 50A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE
Produkt ist nicht verfügbar
| CFFB43A65R106 |
|
Hersteller: Carlo Gavazzi
Power Line Filters EMC 65A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE
Power Line Filters EMC 65A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE
Produkt ist nicht verfügbar
| HFB-430L |
Hersteller: YAGEO
ESD Suppressors / TVS Diodes AXIAL LEADED TVS 430V 625V
ESD Suppressors / TVS Diodes AXIAL LEADED TVS 430V 625V
Produkt ist nicht verfügbar
| IRFB4321PBF | |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
| WW3FB432R |
|
Hersteller: SEI Stackpole
Wirewound Resistors - Through Hole RES, WW, 3W, 432 ohm, 1%
Wirewound Resistors - Through Hole RES, WW, 3W, 432 ohm, 1%
Produkt ist nicht verfügbar
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]