Suchergebnisse für "FDV301N" : 42
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FDV301N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 7052 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7052 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV301N | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV301N | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV301N | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV301N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV301N | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 19140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 638625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch Digital |
auf Bestellung 984539 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDV301N | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 220 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В; Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА; SOT-23-3 |
auf Bestellung 1340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm |
auf Bestellung 111433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 23943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 159000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm |
auf Bestellung 111433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 160800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 23943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | EVVO |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDV301N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
auf Bestellung 547400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDV301N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
auf Bestellung 548891 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDV301N |
auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
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FDV301N SOT23-01 | FAIRCHILD |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDV301N SOT23-01 | FAIRCHILD |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDV301N-NL | FAIRCHILD | SOT23 |
auf Bestellung 3460 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDV301N-NL | FAIRCHILD | 09+ |
auf Bestellung 2938 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDV301N-NL | FAIRCHILD | SOT-23 0812+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDV301NSOT23-301 | FAIRCHLD |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDV301N_NL |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDV301N Produktcode: 115435 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FDV301NCT Produktcode: 121839 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FDV301N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDV301N | EVVO |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDV301N-F169 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDV301N-NB9V008 | ON Semiconductor | Digital FET , N-Channel |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDV301N-NL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDV301N_D87Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDV301N_NB9V005 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDV301N_NB9V005 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDV301N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch Digital |
Produkt ist nicht verfügbar |
FDV301N |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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881+ | 0.081 EUR |
1044+ | 0.068 EUR |
1139+ | 0.063 EUR |
1163+ | 0.061 EUR |
1205+ | 0.059 EUR |
3000+ | 0.057 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7052 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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881+ | 0.081 EUR |
1044+ | 0.068 EUR |
1139+ | 0.063 EUR |
1163+ | 0.061 EUR |
1205+ | 0.059 EUR |
3000+ | 0.057 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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200+ | 0.15 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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300+ | 0.13 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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300+ | 0.13 EUR |
FDV301N |
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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500+ | 0.11 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 19140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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300+ | 0.13 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.071 EUR |
9000+ | 0.059 EUR |
24000+ | 0.042 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 638625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDV301N |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.071 EUR |
9000+ | 0.059 EUR |
24000+ | 0.042 EUR |
FDV301N |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Ch Digital
MOSFET N-Ch Digital
auf Bestellung 984539 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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68+ | 0.77 EUR |
97+ | 0.54 EUR |
153+ | 0.34 EUR |
1000+ | 0.15 EUR |
2500+ | 0.13 EUR |
10000+ | 0.1 EUR |
15000+ | 0.094 EUR |
FDV301N |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 220 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В; Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА; SOT-23-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 220 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В; Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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105+ | 0.065 EUR |
112+ | 0.056 EUR |
121+ | 0.049 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
auf Bestellung 111433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDV301N |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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323+ | 0.49 EUR |
449+ | 0.34 EUR |
641+ | 0.23 EUR |
1087+ | 0.13 EUR |
1194+ | 0.11 EUR |
1249+ | 0.1 EUR |
1707+ | 0.073 EUR |
3000+ | 0.068 EUR |
6000+ | 0.064 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDV301N |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.079 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
auf Bestellung 111433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDV301N |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 160800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.079 EUR |
9000+ | 0.064 EUR |
24000+ | 0.057 EUR |
45000+ | 0.052 EUR |
99000+ | 0.049 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1090+ | 0.14 EUR |
1590+ | 0.096 EUR |
3000+ | 0.073 EUR |
9000+ | 0.059 EUR |
FDV301N |
Hersteller: EVVO
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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36+ | 0.73 EUR |
53+ | 0.49 EUR |
109+ | 0.24 EUR |
500+ | 0.2 EUR |
1000+ | 0.14 EUR |
FDV301N |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 547400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 0.13 EUR |
6000+ | 0.12 EUR |
9000+ | 0.1 EUR |
75000+ | 0.089 EUR |
150000+ | 0.078 EUR |
FDV301N |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 548891 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
34+ | 0.78 EUR |
49+ | 0.54 EUR |
100+ | 0.26 EUR |
500+ | 0.22 EUR |
1000+ | 0.15 EUR |
FDV301N |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N |
Hersteller: EVVO
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N-F169 |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N-NL |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N_D87Z |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N_NB9V005 |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDV301N_NB9V005 |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar