Suchergebnisse für "IRF610" : 48

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IRF610PBF IRF610PBF
Produktcode: 33443 		IR packaging.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 03.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 02.08.140
JHGF: THT
verfügbar: 15 Stück
1+0.5 EUR
10+ 0.39 EUR
IRF610PBF (TO-220, Siliconix) IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Produktcode: 156293 		Siliconix irf610pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
JHGF: THT
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF610 Siliconix packaging.pdf description N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610 TIRF610
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY IRF610PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1 EUR
172+ 0.42 EUR
212+ 0.34 EUR
225+ 0.32 EUR
250+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY IRF610PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
172+ 0.42 EUR
212+ 0.34 EUR
225+ 0.32 EUR
250+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 251
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.23 EUR
171+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 129
IRF610PBF IRF610PBF Vishay Semiconductors packaging.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 5675 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.91 EUR
38+ 1.39 EUR
100+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 171
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.72 EUR
251+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 221
IRF610PBF Vishay/IR packaging.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.73 EUR
10+ 3.21 EUR
100+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay / Siliconix MOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 6619 Stücke:
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29+1.81 EUR
32+ 1.66 EUR
100+ 1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.38 EUR
121+ 1.27 EUR
250+ 1.17 EUR
500+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 115
IRF610S Siliconix sih610s.pdf N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610S TIRF610s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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20+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.5 EUR
114+ 1.34 EUR
115+ 1.23 EUR
134+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 106
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 387 Stücke:
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106+1.5 EUR
114+ 1.34 EUR
115+ 1.23 EUR
134+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 106
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay Semiconductors sih610s.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
auf Bestellung 1892 Stücke:
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16+3.43 EUR
19+ 2.89 EUR
100+ 2.36 EUR
250+ 2.29 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.86 EUR
2000+ 1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay Semiconductors sih610s.pdf MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp
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13+4.03 EUR
16+ 3.35 EUR
100+ 2.68 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 2.05 EUR
800+ 1.8 EUR
2400+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF6100 IOR irf6100.pdf
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF6100PBF IOR irf6100pbf.pdf 2004
auf Bestellung 256 Stücke:
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IRF6100PBF IR irf6100pbf.pdf BGA-4 05+
auf Bestellung 12000 Stücke:
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IRF610L sih610s.pdf
auf Bestellung 2122 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF610PBF Vishay/IR packaging.pdf MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
auf Bestellung 4 Stücke:
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IRF610ZTSTU
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Транзистор польовий IRF610 3.3A 200V N-ch TO-220 (Б/У)
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IRF610 IRF610 onsemi / Fairchild packaging.pdf description MOSFET
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IRF610 IRF610 Vishay sih610s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF610 IRF610 Vishay / Siliconix packaging.pdf description MOSFET RECOMMENDED ALT IRF610PBF
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IRF6100PBF IRF6100PBF Infineon Technologies irf6100pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.1A 4-Pin FlipFET T/R
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IRF610LPBF IRF610LPBF Vishay / Siliconix sih610s.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRF610SPBF
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IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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IRF610S IRF610S Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF610SPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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IRF610SPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF610STRLPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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IRF610STRLPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF610STRRPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF Vishay Semiconductors sih610s.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
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IRF610STRRPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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NTE67 NTE67 NTE Electronics nte67.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; Idm: 18A; 75W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRF610PBF
Produktcode: 33443		 packaging.pdf
IRF610PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 03.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 02.08.140
JHGF: THT
verfügbar: 15 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.5 EUR
10+ 0.39 EUR
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Produktcode: 156293		 irf610pbf-datasheet.pdf
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
JHGF: THT
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF610 description packaging.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610 TIRF610
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF610PBF IRF610PBF.pdf
IRF610PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
72+1 EUR
172+ 0.42 EUR
212+ 0.34 EUR
225+ 0.32 EUR
250+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRF610PBF IRF610PBF.pdf
IRF610PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
72+1 EUR
172+ 0.42 EUR
212+ 0.34 EUR
225+ 0.32 EUR
250+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
251+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 251
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
129+1.23 EUR
171+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 129
IRF610PBF packaging.pdf
IRF610PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 5675 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+1.91 EUR
38+ 1.39 EUR
100+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
171+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 171
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
221+0.72 EUR
251+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 221
IRF610PBF packaging.pdf
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+3.73 EUR
10+ 3.21 EUR
100+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF610PBF-BE3
IRF610PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 6619 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+1.81 EUR
32+ 1.66 EUR
100+ 1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 29
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
115+1.38 EUR
121+ 1.27 EUR
250+ 1.17 EUR
500+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 115
IRF610S sih610s.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610S TIRF610s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
106+1.5 EUR
114+ 1.34 EUR
115+ 1.23 EUR
134+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 106
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
106+1.5 EUR
114+ 1.34 EUR
115+ 1.23 EUR
134+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 106
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+3.43 EUR
19+ 2.89 EUR
100+ 2.36 EUR
250+ 2.29 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.86 EUR
2000+ 1.81 EUR
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IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp
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Hersteller: IOR
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Hersteller: IOR
2004
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Hersteller: IR
BGA-4 05+
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Hersteller: Vishay/IR
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
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IRF610ZTSTU
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Транзистор польовий IRF610 3.3A 200V N-ch TO-220 (Б/У)
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IRF610
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET
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IRF610
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF610
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF610PBF
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IRF6100PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 5.1A 4-Pin FlipFET T/R
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IRF610LPBF
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF610SPBF
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IRF610PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF610PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
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IRF610S
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF610SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF610SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF610STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF610STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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IRF610STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF610STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF610STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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NTE67 nte67.pdf
NTE67
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; Idm: 18A; 75W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
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