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IRF630NPBF IRF630NPBF
Produktcode: 15961 		IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 164 Stück
1+0.36 EUR
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IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.9 EUR
41+ 1.76 EUR
44+ 1.63 EUR
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112+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 38
IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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38+1.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 38
IRF630 IR en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.51 EUR
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IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 946 Stücke:
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103+1.54 EUR
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140+ 1.05 EUR
500+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 103
IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 946 Stücke:
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118+1.34 EUR
139+ 1.1 EUR
500+ 0.8 EUR
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IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 946 Stücke:
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IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 41 Stücke:
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3+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630-1849162.pdf description MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
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IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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25+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.62 EUR
48+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 45
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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60+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 45
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.25 EUR
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IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9716 Stücke:
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127+ 1.2 EUR
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IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf description MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
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22+2.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 22
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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245+0.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 245
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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346+0.46 EUR
356+ 0.43 EUR
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2000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 346
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.71 EUR
235+ 0.65 EUR
248+ 0.59 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 224
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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93+1.72 EUR
110+ 1.39 EUR
136+ 1.08 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.69 EUR
2000+ 0.63 EUR
5000+ 0.58 EUR
10000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 93
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.67 EUR
248+ 0.62 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 235
IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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20+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.19 EUR
84+ 0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
109+ 0.66 EUR
115+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
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61+1.19 EUR
84+ 0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
109+ 0.66 EUR
115+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.23 EUR
157+ 0.93 EUR
200+ 0.88 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 129
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
87+ 0.82 EUR
110+ 0.65 EUR
116+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 55
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
87+ 0.82 EUR
110+ 0.65 EUR
116+ 0.62 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 55
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.4 EUR
133+ 1.15 EUR
158+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 114
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.43 EUR
116+ 1.32 EUR
250+ 1.22 EUR
500+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 111
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.02 EUR
99+ 1.54 EUR
126+ 1.16 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 79
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.2 EUR
157+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 132
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.82 EUR
96+ 1.6 EUR
117+ 1.25 EUR
200+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 87
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 9630 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.68 EUR
24+ 2.21 EUR
100+ 1.85 EUR
500+ 1.62 EUR
1000+ 1.51 EUR
2000+ 1.47 EUR
5000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.6 EUR
126+ 1.21 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 99
IRF630PBF IRF630PBF Vishay sihf630p.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.99 EUR
27+ 1.99 EUR
100+ 1.77 EUR
500+ 1.62 EUR
1000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY IRF630S.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
78+ 0.92 EUR
95+ 0.76 EUR
100+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 70
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY IRF630S.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
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IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 358 Stücke:
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IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf description MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
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250+ 2.4 EUR
500+ 2.18 EUR
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2000+ 1.74 EUR
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IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
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115+ 1.34 EUR
250+ 1.22 EUR
500+ 1.07 EUR
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IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
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14+3.95 EUR
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250+ 2.54 EUR
500+ 2.18 EUR
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IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
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14+3.95 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.6 EUR
250+ 2.4 EUR
500+ 2.18 EUR
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IRF634 International Rectifier IRF634, IRF634FP.pdf irf634.pdf N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
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20+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF634 Vishay IRF634, IRF634FP.pdf irf634.pdf N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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30+1.44 EUR
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IRF634PBF IRF634PBF VISHAY IRF634PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
96+ 0.75 EUR
117+ 0.61 EUR
122+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 71
IRF634PBF IRF634PBF VISHAY IRF634PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
96+ 0.75 EUR
117+ 0.61 EUR
122+ 0.59 EUR
1000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 71
IRF630NPBF
Produktcode: 15961		 description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar: 164 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.36 EUR
10+ 0.35 EUR
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
38+1.9 EUR
41+ 1.76 EUR
44+ 1.63 EUR
107+ 0.67 EUR
112+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 38
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
38+1.9 EUR
41+ 1.76 EUR
44+ 1.63 EUR
107+ 0.67 EUR
112+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 38
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.51 EUR
10+ 4.14 EUR
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
103+1.54 EUR
119+ 1.29 EUR
140+ 1.05 EUR
500+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 103
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
118+1.34 EUR
139+ 1.1 EUR
500+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 118
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRF630 description irf630-1849162.pdf
IRF630
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+3.41 EUR
19+ 2.78 EUR
100+ 2.25 EUR
500+ 1.92 EUR
1000+ 1.6 EUR
2000+ 1.5 EUR
5000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IRF630N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
45+1.62 EUR
48+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 45
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
45+1.62 EUR
48+ 1.49 EUR
60+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 45
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
127+1.25 EUR
154+ 0.99 EUR
500+ 0.81 EUR
1000+ 0.61 EUR
2000+ 0.58 EUR
5000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 127
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
101+1.57 EUR
127+ 1.2 EUR
154+ 0.95 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.59 EUR
2000+ 0.56 EUR
5000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 101
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 69949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
auf Bestellung 1826 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+2.42 EUR
26+ 2.02 EUR
100+ 1.68 EUR
500+ 1.35 EUR
1000+ 1.16 EUR
2000+ 1.1 EUR
5000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
337+0.47 EUR
346+ 0.44 EUR
356+ 0.41 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.35 EUR
2000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 337
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
245+0.65 EUR
266+ 0.57 EUR
274+ 0.54 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.46 EUR
2000+ 0.42 EUR
4000+ 0.39 EUR
8000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 245
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
346+0.46 EUR
356+ 0.43 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.37 EUR
2000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 346
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
224+0.71 EUR
235+ 0.65 EUR
248+ 0.59 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 224
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 69949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
93+1.72 EUR
110+ 1.39 EUR
136+ 1.08 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.69 EUR
2000+ 0.63 EUR
5000+ 0.58 EUR
10000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 93
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
235+0.67 EUR
248+ 0.62 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 235
IRF630NS description irf630n.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.19 EUR
84+ 0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
109+ 0.66 EUR
115+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.19 EUR
84+ 0.86 EUR
95+ 0.76 EUR
109+ 0.66 EUR
115+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
129+1.23 EUR
157+ 0.93 EUR
200+ 0.88 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 129
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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IRF630NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
55+1.3 EUR
87+ 0.82 EUR
110+ 0.65 EUR
116+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
55+1.3 EUR
87+ 0.82 EUR
110+ 0.65 EUR
116+ 0.62 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
114+1.4 EUR
133+ 1.15 EUR
158+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 114
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
111+1.43 EUR
116+ 1.32 EUR
250+ 1.22 EUR
500+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 111
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
79+2.02 EUR
99+ 1.54 EUR
126+ 1.16 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
132+1.2 EUR
157+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
87+1.82 EUR
96+ 1.6 EUR
117+ 1.25 EUR
200+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 87
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 9630 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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20+2.68 EUR
24+ 2.21 EUR
100+ 1.85 EUR
500+ 1.62 EUR
1000+ 1.51 EUR
2000+ 1.47 EUR
5000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1071 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
99+1.6 EUR
126+ 1.21 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 99
IRF630PBF description sihf630p.pdf
IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+2.99 EUR
27+ 1.99 EUR
100+ 1.77 EUR
500+ 1.62 EUR
1000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IRF630S sih630s.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF630SPBF description IRF630S.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
70+1.03 EUR
78+ 0.92 EUR
95+ 0.76 EUR
100+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 70
IRF630SPBF description IRF630S.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
70+1.03 EUR
78+ 0.92 EUR
95+ 0.76 EUR
100+ 0.72 EUR
1000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 70
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
63+2.51 EUR
79+ 1.95 EUR
100+ 1.52 EUR
250+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 63
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
79+2.02 EUR
100+ 1.58 EUR
250+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 79
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
auf Bestellung 5192 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.93 EUR
17+ 3.17 EUR
100+ 2.59 EUR
250+ 2.4 EUR
500+ 2.18 EUR
1000+ 1.83 EUR
2000+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
99+1.61 EUR
115+ 1.33 EUR
250+ 1.21 EUR
500+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 99
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
98+1.62 EUR
115+ 1.34 EUR
250+ 1.22 EUR
500+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 98
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.95 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.6 EUR
250+ 2.54 EUR
500+ 2.18 EUR
800+ 1.8 EUR
2400+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.95 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.6 EUR
250+ 2.4 EUR
500+ 2.18 EUR
800+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IRF634 IRF634, IRF634FP.pdf irf634.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF634 IRF634, IRF634FP.pdf irf634.pdf
Hersteller: Vishay
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF634PBF IRF634PBF.pdf
IRF634PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
96+ 0.75 EUR
117+ 0.61 EUR
122+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 71
IRF634PBF IRF634PBF.pdf
IRF634PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
96+ 0.75 EUR
117+ 0.61 EUR
122+ 0.59 EUR
1000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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