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IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS IXA60IF1200NA.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS media-3319601.pdf IGBT Modules XPT IGBT Copack
auf Bestellung 490 Stücke:
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10+ 68.3 EUR
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IXA60IF1200NA
Produktcode: 116936 		littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa60if1200na_datasheet.pdf.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS IXA60IF1200NA.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
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IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V
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IXA60IF1200NA
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
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IXA60IF1200NA
Hersteller: IXYS
IGBT Modules XPT IGBT Copack
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IXA60IF1200NA
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXA60IF1200NA
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
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IXA60IF1200NA
Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Module N-CH 1200V
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Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V
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