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MJD31C YZPST en.CD00000831.pdf Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 75
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 3684 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
54+ 0.98 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 46
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.71 EUR
248+ 0.62 EUR
250+ 0.59 EUR
357+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 224
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.63 EUR
357+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 250
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.38 EUR
5000+ 0.36 EUR
12500+ 0.34 EUR
25000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 36407 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
27+ 0.97 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD31CAJ MJD31CAJ NEXPERIA 3228229.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CAJ MJD31CAJ Nexperia MJD31CA-1659734.pdf Bipolar Transistors - BJT MJD31CA/SOT428/DPAK
auf Bestellung 61821 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
57+ 0.91 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.43 EUR
2500+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 53
MJD31CAJ MJD31CAJ NEXPERIA 3228229.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CAJ MJD31CAJ Nexperia USA Inc. MJD31CA.pdf Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5714 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
21+1.25 EUR
25+ 1.07 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 21
MJD31CAJ MJD31CAJ Nexperia USA Inc. MJD31CA.pdf Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CEITU ONSEMI ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CEITU MJD31CEITU Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3857 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
952+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 952
MJD31CG MJD31CG ONSEMI MJD31_MJD32.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.95 EUR
85+ 0.84 EUR
110+ 0.65 EUR
116+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 76
MJD31CG MJD31CG ONSEMI MJD31_MJD32.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.95 EUR
85+ 0.84 EUR
110+ 0.65 EUR
116+ 0.62 EUR
750+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 76
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.1 EUR
209+ 0.73 EUR
525+ 0.59 EUR
1050+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 145
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.13 EUR
146+ 1.05 EUR
211+ 0.7 EUR
525+ 0.56 EUR
1050+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 140
MJD31CG MJD31CG ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 3MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3A
auf Bestellung 4212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CG MJD31CG onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 8458 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.88 EUR
31+ 1.69 EUR
75+ 1.16 EUR
525+ 0.97 EUR
1050+ 0.92 EUR
2550+ 0.87 EUR
3375+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CG MJD31CG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.08 EUR
75+ 1.68 EUR
150+ 1.33 EUR
525+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD31CH-QJ MJD31CH-QJ Nexperia USA Inc. Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
21+1.25 EUR
25+ 1.06 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 21
MJD31CHE3-TP MJD31CHE3-TP Micro Commercial Co MJD31CHE3(DPAK).pdf Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CHE3-TP MJD31CHE3-TP Micro Commercial Co MJD31CHE3(DPAK).pdf Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4845 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2 EUR
15+ 1.73 EUR
100+ 1.2 EUR
500+ 1 EUR
1000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ-3103807.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 2317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
41+1.28 EUR
48+ 1.1 EUR
100+ 0.82 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.51 EUR
2500+ 0.43 EUR
10000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 41
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ.pdf Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.43 EUR
5000+ 0.41 EUR
12500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ.pdf Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14674 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
21+1.27 EUR
24+ 1.09 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 21
MJD31CITU ONSEMI FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CITU MJD31CITU Fairchild Semiconductor FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 60438 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
MJD31CJ NXP MJD31C.pdf Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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40+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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241+0.66 EUR
292+ 0.52 EUR
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2500+ 0.16 EUR
10000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 241
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7499 Stücke:
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231+0.69 EUR
232+ 0.66 EUR
233+ 0.61 EUR
234+ 0.58 EUR
250+ 0.55 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 231
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia MJD31C-1659720.pdf Bipolar Transistors - BJT MJD31C/SOT428/DPAK
auf Bestellung 13576 Stücke:
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53+0.99 EUR
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2500+ 0.31 EUR
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25000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 53
MJD31CJ MJD31CJ NEXPERIA 3228228.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+0.68 EUR
234+ 0.65 EUR
250+ 0.62 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.57 EUR
3000+ 0.55 EUR
6000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 233
MJD31CJ MJD31CJ NEXPERIA 3228228.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.54 EUR
548+ 0.28 EUR
1000+ 0.22 EUR
2500+ 0.17 EUR
10000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 292
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia USA Inc. MJD31C.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia USA Inc. MJD31C.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 8539 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
32+ 0.83 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 27
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 Diodes Zetex mjd31cq.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0002527711_1-2542211.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 6283 Stücke:
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36+1.47 EUR
41+ 1.29 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.63 EUR
2500+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 36
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 Diodes Incorporated MJD31CQ_Rev3-3_Nov2016.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 Diodes Incorporated MJD31CQ_Rev3-3_Nov2016.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12846 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.46 EUR
21+ 1.28 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
MJD31CRLG MJD31CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.08 EUR
31+ 1.72 EUR
100+ 1.24 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.95 EUR
1800+ 0.89 EUR
3600+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
MJD31CRLG MJD31CRLG ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
MJD31CRLG MJD31CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 12600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1800+0.92 EUR
3600+ 0.87 EUR
5400+ 0.82 EUR
9000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 13267 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.08 EUR
16+ 1.71 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31ct4-a.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
223+ 0.32 EUR
290+ 0.25 EUR
305+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31ct4-a.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
223+ 0.32 EUR
290+ 0.25 EUR
305+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics cd0000083.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics cd0000083.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.23 EUR
5000+ 0.22 EUR
10000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31c-1849937.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.23 EUR
27+ 1.96 EUR
100+ 1.34 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.98 EUR
2500+ 0.83 EUR
5000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD31CT4 MJD31CT4 STMICROELECTRONICS 2307323.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31C en.CD00000831.pdf
Hersteller: YZPST
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
75+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 75
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 3684 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
46+1.14 EUR
54+ 0.98 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 46
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
224+0.71 EUR
248+ 0.62 EUR
250+ 0.59 EUR
357+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 224
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
250+0.63 EUR
357+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 250
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.38 EUR
5000+ 0.36 EUR
12500+ 0.34 EUR
25000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 36407 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+1.12 EUR
27+ 0.97 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD31CAJ 3228229.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CAJ MJD31CA-1659734.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD31CA/SOT428/DPAK
auf Bestellung 61821 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+0.99 EUR
57+ 0.91 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.43 EUR
2500+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 53
MJD31CAJ 3228229.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CAJ MJD31CA.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5714 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+1.25 EUR
25+ 1.07 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 21
MJD31CAJ MJD31CA.pdf
MJD31CAJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CEITU ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CEITU ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MJD31CEITU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3857 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
952+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 952
MJD31CG MJD31_MJD32.pdf
MJD31CG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
76+0.95 EUR
85+ 0.84 EUR
110+ 0.65 EUR
116+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 76
MJD31CG MJD31_MJD32.pdf
MJD31CG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
76+0.95 EUR
85+ 0.84 EUR
110+ 0.65 EUR
116+ 0.62 EUR
750+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 76
MJD31CG mjd31-d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
145+1.1 EUR
209+ 0.73 EUR
525+ 0.59 EUR
1050+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 145
MJD31CG mjd31-d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
140+1.13 EUR
146+ 1.05 EUR
211+ 0.7 EUR
525+ 0.56 EUR
1050+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 140
MJD31CG ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 3MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3A
auf Bestellung 4212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CG MJD31_D-2315971.pdf
MJD31CG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 8458 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+1.88 EUR
31+ 1.69 EUR
75+ 1.16 EUR
525+ 0.97 EUR
1050+ 0.92 EUR
2550+ 0.87 EUR
3375+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
MJD31CG mjd31-d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CG mjd31-d.pdf
MJD31CG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+2.08 EUR
75+ 1.68 EUR
150+ 1.33 EUR
525+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD31CH-QJ
MJD31CH-QJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+1.25 EUR
25+ 1.06 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 21
MJD31CHE3-TP MJD31CHE3(DPAK).pdf
MJD31CHE3-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CHE3-TP MJD31CHE3(DPAK).pdf
MJD31CHE3-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4845 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+2 EUR
15+ 1.73 EUR
100+ 1.2 EUR
500+ 1 EUR
1000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-3103807.pdf
MJD31CHQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 2317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.28 EUR
48+ 1.1 EUR
100+ 0.82 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.51 EUR
2500+ 0.43 EUR
10000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 41
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ.pdf
MJD31CHQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.43 EUR
5000+ 0.41 EUR
12500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ.pdf
MJD31CHQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14674 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+1.27 EUR
24+ 1.09 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 21
MJD31CITU FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CITU FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MJD31CITU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 60438 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1480+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
MJD31CJ MJD31C.pdf
Hersteller: NXP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40
MJD31CJ mjd31c.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
241+0.66 EUR
292+ 0.52 EUR
548+ 0.27 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.16 EUR
10000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 241
MJD31CJ mjd31c.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
231+0.69 EUR
232+ 0.66 EUR
233+ 0.61 EUR
234+ 0.58 EUR
250+ 0.55 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 231
MJD31CJ MJD31C-1659720.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD31C/SOT428/DPAK
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53+0.99 EUR
62+ 0.84 EUR
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2500+ 0.31 EUR
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MJD31CJ 3228228.pdf
MJD31CJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3049 Stücke:
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MJD31CJ mjd31c.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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233+0.68 EUR
234+ 0.65 EUR
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MJD31CJ 3228228.pdf
MJD31CJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CJ mjd31c.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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292+0.54 EUR
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2500+ 0.17 EUR
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MJD31CJ MJD31C.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
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2500+0.33 EUR
5000+ 0.31 EUR
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MJD31CJ MJD31C.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
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27+0.99 EUR
32+ 0.83 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.37 EUR
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MJD31CQ-13 DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2348 Stücke:
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MJD31CQ-13 mjd31cq.pdf
MJD31CQ-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CQ-13 DIOD_S_A0002527711_1-2542211.pdf
MJD31CQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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36+1.47 EUR
41+ 1.29 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.63 EUR
2500+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 36
MJD31CQ-13 DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CQ-13 MJD31CQ_Rev3-3_Nov2016.pdf
MJD31CQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJD31CQ-13 MJD31CQ_Rev3-3_Nov2016.pdf
MJD31CQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12846 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+1.46 EUR
21+ 1.28 EUR
100+ 0.88 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
MJD31CRLG 2236997.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CRLG MJD31_D-2315971.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+2.08 EUR
31+ 1.72 EUR
100+ 1.24 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.95 EUR
1800+ 0.89 EUR
3600+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
MJD31CRLG mjd31-d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1800+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
MJD31CRLG 2236997.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CRLG mjd31-d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 12600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1800+0.92 EUR
3600+ 0.87 EUR
5400+ 0.82 EUR
9000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
MJD31CRLG mjd31-d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 13267 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+2.08 EUR
16+ 1.71 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 13
MJD31CT4 mjd31ct4-a.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.36 EUR
223+ 0.32 EUR
290+ 0.25 EUR
305+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
MJD31CT4 mjd31ct4-a.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.36 EUR
223+ 0.32 EUR
290+ 0.25 EUR
305+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
MJD31CT4 cd0000083.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD31CT4 cd0000083.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.23 EUR
5000+ 0.22 EUR
10000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
MJD31CT4 mjd31c-1849937.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+2.23 EUR
27+ 1.96 EUR
100+ 1.34 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.98 EUR
2500+ 0.83 EUR
5000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 24
MJD31CT4 2307323.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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