Suchergebnisse für "W11NB80" : 6
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Mindestbestellmenge: 5
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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W11NB80 |
auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STW11NB80 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTE2973 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 14A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 275W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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W11NB80 Produktcode: 34828 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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STW11NB80 Produktcode: 92821 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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STW11NB80 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
NTE2973 |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 15.96 EUR |
STW11NB80 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar