Suchergebnisse für "f3710" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Mindestbestellmenge: 10
Mindestbestellmenge: 7
Mindestbestellmenge: 50
Mindestbestellmenge: 50
Mindestbestellmenge: 25
Mindestbestellmenge: 50
Mindestbestellmenge: 3
Mindestbestellmenge: 46
Mindestbestellmenge: 46
Mindestbestellmenge: 15
Mindestbestellmenge: 10
Mindestbestellmenge: 12
Mindestbestellmenge: 20
Mindestbestellmenge: 20
Mindestbestellmenge: 20
Mindestbestellmenge: 55
Mindestbestellmenge: 55
Mindestbestellmenge: 16
Mindestbestellmenge: 12
Mindestbestellmenge: 25
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3710PBF Produktcode: 43009 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 57 Rds(on), Ohm: 0.023 Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130 JHGF: THT |
verfügbar: 872 Stück
|
|
|||||||||||||||
IRF3710SPBF Produktcode: 43364 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2Pak Uds,V: 100 Rds(on), Ohm: 57 Ciss, pF/Qg, nC: 40 Bem.: 200 JHGF: 01.12.1945 |
verfügbar: 34 Stück
|
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF Produktcode: 190954 |
JSMICRO |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 JHGF: THT |
auf Bestellung 94 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRF3710ZPBF Produktcode: 44978 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm JHGF: THT |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
F3710S |
auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
100P2627F37-10-1-CHP-D-L55 | TE Connectivity |
Category: Unclassified Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L55 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
AUIRF3710ZS | International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms |
auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
auf Bestellung 4154 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710STRL | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
auf Bestellung 55138 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg |
auf Bestellung 2337 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg |
auf Bestellung 623 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF 3710PBF | IR | 09+ TSOP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRF3710BF | JRC | TO220 |
auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRF3710PBF | International Rectifier Corporation | TO-220AB |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF3710S | IR | 8 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRF3710S | IR | TO-263 |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRF3710S | IR |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||
IRF3710S | IR | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRF3710STRR |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF3710ZL |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF3710ZLTRPBF | IR | 0742+ TO262 |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRF3710ZSTR | Infineon | N-MOSFET 100V 59A 160W 0.018Ω IRF3710ZS TIRF3710zs |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
||||||||||||||||
TRF3710IRGZR | TI | 09+ |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247 |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
SKG45N10-T | SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
AUIRF3710Z Produktcode: 107592 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
IRF3710 Produktcode: 23683 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 57 Rds(on), Ohm: 0.023 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||||
IRF3710STRLPBF Produktcode: 191831 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
IRF3710ZS Produktcode: 99470 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2Pak (TO-263-3) Uds,V: 100 Idd,A: 59 Rds(on), Ohm: 18 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82 JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||||
F371010 | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors APEX2.8 14WF,INS SLC |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
F371010-B | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
F37103-000 | TE Connectivity / Raychem | Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
F371043001 | TE Connectivity | Multi-Conductor Cables 55D1121-22-2/6-9 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
F371043001 | TE Connectivity | TWO CONDUCTOR CABLE, MODIFIED FLUOROPOLYMER INSULATED, SHIELDED AND JACKETED, 600 VOLT, LIGHT WEIGHT |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
53F371-005 | Spectrum Control | Spectrum Control |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
AUIRF3710ZSTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IRF3710LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IRF3710STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IRF3710STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IRF3710ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
L17TF3710100 | Amphenol Commercial Products | D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
L17TF3710101 | Amphenol Commercial Products | D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
L17TF3710102 | Amphenol Commercial Products | D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT |
Produkt ist nicht verfügbar |
IRF3710PBF Produktcode: 43009 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 872 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.72 EUR |
10+ | 0.7 EUR |
100+ | 0.69 EUR |
IRF3710SPBF Produktcode: 43364 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 34 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 1.08 EUR |
10+ | 1.06 EUR |
IRF3710ZPBF Produktcode: 190954 |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 94 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRF3710ZPBF Produktcode: 44978 |
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.72 EUR |
100P2627F37-10-1-CHP-D-L55 |
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 611.54 EUR |
2+ | 600 EUR |
3+ | 588.47 EUR |
AUIRF3710ZS |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 9.93 EUR |
AUIRF3710ZSTRL |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 8.63 EUR |
10+ | 7.28 EUR |
25+ | 7.25 EUR |
100+ | 5.88 EUR |
500+ | 5.33 EUR |
800+ | 4.42 EUR |
2400+ | 4.19 EUR |
IRF3710 |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 1.82 EUR |
IRF3710 |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 1.82 EUR |
IRF3710 |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 1.44 EUR |
IRF3710 |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 1.82 EUR |
IRF3710 |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 2.37 EUR |
10+ | 2.05 EUR |
100+ | 1.8 EUR |
IRF3710PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
46+ | 1.57 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
IRF3710PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
46+ | 1.57 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
IRF3710PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 6.36 EUR |
10+ | 5.63 EUR |
IRF3710PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 4154 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
15+ | 3.67 EUR |
18+ | 2.91 EUR |
100+ | 2.44 EUR |
250+ | 2.41 EUR |
500+ | 2.09 EUR |
1000+ | 1.8 EUR |
2000+ | 1.76 EUR |
IRF3710STRL |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 3.17 EUR |
IRF3710STRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 55138 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
12+ | 4.47 EUR |
15+ | 3.54 EUR |
100+ | 2.94 EUR |
250+ | 2.86 EUR |
500+ | 2.7 EUR |
800+ | 1.96 EUR |
IRF3710Z |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 2.36 EUR |
IRF3710Z |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 2.36 EUR |
IRF3710Z |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 2.36 EUR |
IRF3710ZPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
55+ | 1.32 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
IRF3710ZPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
55+ | 1.32 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
IRF3710ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 2337 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
16+ | 3.3 EUR |
19+ | 2.81 EUR |
100+ | 2.27 EUR |
500+ | 1.99 EUR |
1000+ | 1.78 EUR |
2000+ | 1.68 EUR |
5000+ | 1.63 EUR |
IRF3710ZSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
12+ | 4.42 EUR |
16+ | 3.46 EUR |
100+ | 3.02 EUR |
800+ | 2.13 EUR |
2400+ | 2.05 EUR |
4800+ | 1.99 EUR |
IRF3710PBF |
Hersteller: International Rectifier Corporation
TO-220AB
TO-220AB
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF3710ZSTR |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 100V 59A 160W 0.018Ω IRF3710ZS TIRF3710zs
N-MOSFET 100V 59A 160W 0.018Ω IRF3710ZS TIRF3710zs
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)SKG45N10-T |
Hersteller: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 1.34 EUR |
IRF3710 Produktcode: 23683 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710ZS Produktcode: 99470 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 100
Idd,A: 59
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 100
Idd,A: 59
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
F371010 |
Hersteller: Aptiv (formerly Delphi)
Automotive Connectors APEX2.8 14WF,INS SLC
Automotive Connectors APEX2.8 14WF,INS SLC
Produkt ist nicht verfügbar
F371010-B |
Hersteller: Aptiv (formerly Delphi)
Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C
Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C
Produkt ist nicht verfügbar
F37103-000 |
Hersteller: TE Connectivity / Raychem
Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0
Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0
Produkt ist nicht verfügbar
F371043001 |
Hersteller: TE Connectivity
Multi-Conductor Cables 55D1121-22-2/6-9
Multi-Conductor Cables 55D1121-22-2/6-9
Produkt ist nicht verfügbar
F371043001 |
Hersteller: TE Connectivity
TWO CONDUCTOR CABLE, MODIFIED FLUOROPOLYMER INSULATED, SHIELDED AND JACKETED, 600 VOLT, LIGHT WEIGHT
TWO CONDUCTOR CABLE, MODIFIED FLUOROPOLYMER INSULATED, SHIELDED AND JACKETED, 600 VOLT, LIGHT WEIGHT
Produkt ist nicht verfügbar
AUIRF3710ZSTRL |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710LPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710STRLPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710STRRPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3710ZSTRLPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
L17TF3710100 |
Hersteller: Amphenol Commercial Products
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
Produkt ist nicht verfügbar
L17TF3710101 |
Hersteller: Amphenol Commercial Products
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
Produkt ist nicht verfügbar
L17TF3710102 |
Hersteller: Amphenol Commercial Products
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
Produkt ist nicht verfügbar
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]