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IRFBE30PBF IRFBE30PBF
Produktcode: 15766 		Vishay 91118.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
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IRFBE30 Siliconix 91118.pdf description N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
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auf Bestellung 60 Stücke:
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IRFBE30 Vishay 91118.pdf description Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A
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IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Vishay Semiconductors Hexfet%20TO262_2.jpg MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
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100+ 3.87 EUR
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2000+ 2.91 EUR
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 559 Stücke:
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62+ 1.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 49
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
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62+ 1.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 49
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay Semiconductors 91118.pdf MOSFET 800V N-CH HEXFET
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IRFBE30PBF INTERNATIONAL RECTIFIER 91118.pdf N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBE30PBF-BE3 IRFBE30PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91118.pdf MOSFET 800V N-CH HEXFET
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12+4.55 EUR
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100+ 3.33 EUR
500+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY IRFBE30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.26 EUR
36+ 2.03 EUR
42+ 1.73 EUR
44+ 1.63 EUR
50+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY IRFBE30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
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32+2.26 EUR
36+ 2.03 EUR
42+ 1.73 EUR
44+ 1.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 32
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay Semiconductors IRF9Z34S_1.jpg MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
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500+ 4.76 EUR
1000+ 4 EUR
2000+ 3.98 EUR
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IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Vishay 91119.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRLPBF Vishay Semiconductors MOSFET 800V 4.1A 125W
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7+8.32 EUR
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FT01039FBE300 10 кОм Термістор 10 кОм 3950A в білій термоусадці
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FT01039FBE300T 10 кОм Термістор 10 кОм 3950A в білій термоусадці з терміналами
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IRFBE30PBF 91118.pdf IRFBE30PBF Транзисторы
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IRFBE30PBF- VIS 09+ SOP8
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IRFBE30S IR
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRFBE30S IR 07+ TO-263
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IRFBE30S IR TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
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TRFBE30SPBF
auf Bestellung 100 Stücke:
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IRFBE30 IRFBE30
Produktcode: 23059 		IR 91118.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
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IRFBE30 IRFBE30 Vishay 91118.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBE30LPBF VISHAY Hexfet%20TO262_2.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRFBE30LPBF VISHAY Hexfet%20TO262_2.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Vishay 91119.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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IRFBE30STRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRFBE30STRLPBF IRFBE30STRLPBF Vishay 91119.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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RNF14FBE301R RNF14FBE301R SEI Stackpole SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 301 ohm, 1%, 25 ppm
Produkt ist nicht verfügbar
RNF14FBE30K1 RNF14FBE30K1 SEI Stackpole SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 30.1 Kohm, 1%, 25 ppm
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SIHFBE30L-GE3 VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SIHFBE30L-GE3 VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHFBE30L-GE3 SIHFBE30L-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SIHFBE30L-GE3 SIHFBE30L-GE3 Vishay 91119.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 T/R
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SIHFBE30S-GE3 SIHFBE30S-GE3 Vishay / Siliconix sihfbe30.pdf MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V
Produkt ist nicht verfügbar
SIHFBE30STRL-GE3 SIHFBE30STRL-GE3 Vishay / Siliconix sihfbe30.pdf MOSFET MOSFET N-CHANNEL 800V
Produkt ist nicht verfügbar
IRFBE30STRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RNF14FTE301R RNF14FTE301R SEI Stackpole SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 301 ohm, 1%, 25 ppm
Produkt ist nicht verfügbar
RNF14FTE30K1 RNF14FTE30K1 SEI Stackpole SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 30.1 Kohm, 1%, 25 ppm
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IRFBE30PBF
Produktcode: 15766		 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
verfügbar: 3 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.13 EUR
IRFBE30 description 91118.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFBE30 description 91118.pdf
Hersteller: Vishay
Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+17.67 EUR
IRFBE30LPBF Hexfet%20TO262_2.jpg
IRFBE30LPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
auf Bestellung 18479 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+6.63 EUR
12+ 4.55 EUR
100+ 3.87 EUR
250+ 3.74 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 3.02 EUR
2000+ 2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.47 EUR
55+ 1.3 EUR
62+ 1.16 EUR
68+ 1.06 EUR
72+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 49
IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.47 EUR
55+ 1.3 EUR
62+ 1.16 EUR
68+ 1.06 EUR
72+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 49
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V N-CH HEXFET
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+4.84 EUR
14+ 3.9 EUR
100+ 3.33 EUR
500+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRFBE30PBF 91118.pdf
Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFBE30PBF-BE3 91118.pdf
IRFBE30PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CH HEXFET
auf Bestellung 4973 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+4.55 EUR
16+ 3.35 EUR
100+ 3.33 EUR
500+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRFBE30SPBF IRFBE30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+2.26 EUR
36+ 2.03 EUR
42+ 1.73 EUR
44+ 1.63 EUR
50+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRFBE30SPBF IRFBE30.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+2.26 EUR
36+ 2.03 EUR
42+ 1.73 EUR
44+ 1.63 EUR
50+ 1.62 EUR
250+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRFBE30SPBF IRF9Z34S_1.jpg
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+7.62 EUR
10+ 6.81 EUR
100+ 5.62 EUR
500+ 4.76 EUR
1000+ 4 EUR
2000+ 3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRFBE30SPBF 91119.pdf
IRFBE30SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFBE30STRLPBF
IRFBE30STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V 4.1A 125W
auf Bestellung 1591 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+8.32 EUR
10+ 6.99 EUR
25+ 6.79 EUR
100+ 5.67 EUR
250+ 5.51 EUR
500+ 5.02 EUR
800+ 4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FT01039FBE300
10 кОм Термістор 10 кОм 3950A в білій термоусадці
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FT01039FBE300T
10 кОм Термістор 10 кОм 3950A в білій термоусадці з терміналами
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
IRFBE30PBF-
Hersteller: VIS
09+ SOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFBE30S
Hersteller: IR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFBE30S
Hersteller: IR
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFBE30S
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TRFBE30SPBF
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFBE30
Produktcode: 23059		 description 91118.pdf
IRFBE30
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRFBE30 description 91118.pdf
IRFBE30
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBE30LPBF Hexfet%20TO262_2.jpg
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFBE30LPBF Hexfet%20TO262_2.jpg
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFBE30LPBF 91119.pdf
IRFBE30LPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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IRFBE30STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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IRFBE30STRLPBF 91119.pdf
IRFBE30STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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RNF14FBE301R SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf
RNF14FBE301R
Hersteller: SEI Stackpole
Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 301 ohm, 1%, 25 ppm
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RNF14FBE30K1 SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf
RNF14FBE30K1
Hersteller: SEI Stackpole
Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 30.1 Kohm, 1%, 25 ppm
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SIHFBE30L-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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SIHFBE30L-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHFBE30L-GE3
SIHFBE30L-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET
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SIHFBE30L-GE3 91119.pdf
SIHFBE30L-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 T/R
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SIHFBE30S-GE3 sihfbe30.pdf
SIHFBE30S-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V
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SIHFBE30STRL-GE3 sihfbe30.pdf
SIHFBE30STRL-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 800V
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IRFBE30STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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RNF14FTE301R SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf
RNF14FTE301R
Hersteller: SEI Stackpole
Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 301 ohm, 1%, 25 ppm
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RNF14FTE30K1 SEI_RNF_RNMF-3077683.pdf
RNF14FTE30K1
Hersteller: SEI Stackpole
Metal Film Resistors - Through Hole RES, MF, 1/4W, 30.1 Kohm, 1%, 25 ppm
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