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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IKW15T120 Produktcode: 119901 |
Infineon |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 1,7 V Ic 25: 30 A Ic 100: 15 A Pd 25: 110 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/520 |
auf Bestellung 38 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 10 Stück: |
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IKW15N120T2 | Infineon |
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 457ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 235W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 93nC Turn-on time: 57ns Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 30A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW20N60TFKSA1 | Infineon |
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKW20N60T TIKW20n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon |
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon |
1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Pulsed collector current: 75A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 155nC Collector-emitter voltage: 1.2kV Kind of package: tube Collector current: 50A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3 | Infineon |
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3 | Infineon |
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | Infineon |
45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60T TIKW30n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 39A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 39.5A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Turn-on time: 51ns Turn-off time: 376ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120H3 | Infineon |
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2 | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 165A Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 153W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 223nC Kind of package: tube Turn-on time: 52ns Turn-off time: 218ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N65H5 | Infineon |
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 448ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | Infineon |
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 61A Power dissipation: 159.6W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of package: tube Turn-on time: 50ns Turn-off time: 233ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3 | Infineon |
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3 | Infineon |
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Manufacturer series: F5 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 305W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon |
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon |
80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode IKW75N60T TIKW75n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW03N120H2 | INF | 07+; |
auf Bestellung 3145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW03N120H2 | INF | TO-247 |
auf Bestellung 8640 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW08N120 | Infineon |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW08T120 | INFINEON | MODULE |
auf Bestellung 100087 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW08T120 | Infineon technologies |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW15T120T2 | MODULE |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW20N60H3 | Infineon technologies |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW25T120T2 | MODULE |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW30N60DTP | Infineon |
auf Bestellung 91440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW30N65ES5 | Infineon |
auf Bestellung 22080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW30N65H5 | Infineon technologies |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW30N65WR5 | Infineon technologies |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW40N60DTP | Infineon |
auf Bestellung 21840 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N60H3 | Infineon technologies |
auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65H5 | Infineon technologies |
auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW40N65WR5 | Infineon technologies |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW40T120 | INFINEON | 10+ TO-247 |
auf Bestellung 3240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW40T120 | INFINEON | MODULE |
auf Bestellung 500094 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKW40T120 | Infineon technologies |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
IKW15T120 Produktcode: 119901 |
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/520
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/520
auf Bestellung 38 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 10 Stück:
IKW15N120T2 |
Hersteller: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 17.53 EUR |
IKW15N120T2FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 11.91 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
IKW20N60H3FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
14+ | 5.11 EUR |
IKW20N60TFKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IKW20N60TFKSA1 |
Hersteller: Infineon
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKW20N60T TIKW20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKW20N60T TIKW20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 8.96 EUR |
IKW25N120T2FKSA1 |
Hersteller: Infineon
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 14.93 EUR |
IKW25N120T2FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 10.87 EUR |
10+ | 7.48 EUR |
11+ | 7.06 EUR |
100+ | 6.78 EUR |
IKW25T120FKSA1 |
Hersteller: Infineon
1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 13.38 EUR |
IKW25T120FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 8.95 EUR |
12+ | 6.06 EUR |
120+ | 5.98 EUR |
IKW30N60H3 |
Hersteller: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 6.74 EUR |
IKW30N60H3 |
Hersteller: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 6.74 EUR |
IKW30N60H3FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 14.3 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
IKW30N60TFKSA1 |
Hersteller: Infineon
45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 13.2 EUR |
IKW30N60TFKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IKW30N65ES5XKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
11+ | 6.79 EUR |
12+ | 6.11 EUR |
17+ | 4.45 EUR |
18+ | 4.2 EUR |
IKW30N65WR5XKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 5.35 EUR |
15+ | 4.8 EUR |
19+ | 3.78 EUR |
21+ | 3.56 EUR |
IKW40N120CS6XKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 10.27 EUR |
11+ | 6.72 EUR |
IKW40N120H3 |
Hersteller: Infineon
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 17.34 EUR |
IKW40N120T2 |
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 22.62 EUR |
IKW40N120T2FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 11.85 EUR |
8+ | 9.12 EUR |
9+ | 8.62 EUR |
IKW40N60H3FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 7.85 EUR |
11+ | 7.06 EUR |
14+ | 5.12 EUR |
IKW40N65F5FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
11+ | 6.76 EUR |
12+ | 6.09 EUR |
16+ | 4.66 EUR |
17+ | 4.4 EUR |
IKW40N65H5 |
Hersteller: Infineon
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 11.57 EUR |
IKW40N65WR5XKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 5.85 EUR |
14+ | 5.26 EUR |
18+ | 4.03 EUR |
19+ | 3.8 EUR |
IKW40T120FKSA1 |
Hersteller: Infineon
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 20.98 EUR |
IKW50N60DTPXKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
15+ | 4.88 EUR |
17+ | 4.3 EUR |
20+ | 3.75 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
IKW50N60H3 |
Hersteller: Infineon
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 10.4 EUR |
IKW50N60H3 |
Hersteller: Infineon
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 10.4 EUR |
IKW50N60H3FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 7.78 EUR |
12+ | 5.96 EUR |
13+ | 5.63 EUR |
IKW50N60T |
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 14.89 EUR |
IKW50N60T |
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 14.89 EUR |
IKW50N65F5FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IKW50N65H5FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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13+ | 5.52 EUR |
15+ | 4.88 EUR |
17+ | 4.23 EUR |
18+ | 3.99 EUR |
IKW50N65H5FKSA1 |
Hersteller: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 13.35 EUR |
IKW50N65WR5XKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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11+ | 6.99 EUR |
12+ | 6.29 EUR |
15+ | 4.82 EUR |
16+ | 4.55 EUR |
IKW75N60H3FKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 12.71 EUR |
8+ | 9.21 EUR |
IKW75N60TFKSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 12.96 EUR |
8+ | 9.42 EUR |
IKW75N60TFKSA1 |
Hersteller: Infineon
80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode IKW75N60T TIKW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode IKW75N60T TIKW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 19.27 EUR |
IKW40N60DTPXKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IKW40N60H3FKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Wählen Sie Seite:
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