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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRF720 Produktcode: 3059 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 400 Idd,A: 03.02.2015 Rds(on), Ohm: 01.08.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 410/20 JHGF: THT |
verfügbar: 12 Stück
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IRF7201PBF Produktcode: 24055 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 07.03.2015 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 550/19 JHGF: SMD |
verfügbar: 99 Stück
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IRF7201TRPBF Produktcode: 42753 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 7,3 A Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 550/19 JHGF: SMD |
auf Bestellung 3180 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7204 Produktcode: 25811 |
IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Id,A: 5.3 Rds(on),Om: 0.060 /: SMD |
verfügbar: 12 Stück
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IRF720PBF Produktcode: 164162 |
Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 400 V Idd,A: 3,3 A Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 410/20 JHGF: THT |
auf Bestellung 27 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF720 | Siliconix |
N-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF720 | Siliconix |
N-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF720 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF720 - IRF720, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 12045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF720 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12045 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7201TR | International Rectifier |
N-MOSFET 7.3A 30V 2,5W 50&mohm; IRF7201 smd TIRF7201 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7201TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7201TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7201TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7201TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7201TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7204 | TECH PUBLIC |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; IRF7204 TIRF7204 TEC Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7204PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В; Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7204PBF | IR | Транз. Пол. ММ P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2,5W; Rds=0,06 Ohm |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7204TR | Infineon |
P-MOSFET 5.3A 20V 2.5W 0.06Ω IRF7204 smd TIRF7204 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7204TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7204TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7204TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7205 | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 870 @ 10; Qg, нКл = 40 @ 10 В; Rds = 70 мОм @ 4,6 A, 10 В; Ugs(th) = 3V @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7205TR | JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR JGSEMI TIRF7205 JGS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7205TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR UMW TIRF7205 UMW Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7205TR | Infineon |
P-MOSFET 4.6A 30V 2.5W 0.07Ω Possible substitute: STS4DPF30L IRF7205 smd TIRF7205 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1293 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2057 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V |
auf Bestellung 23700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF7205 - 20V-250V P-CHANNEL POW Packaging: Bulk |
auf Bestellung 32600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7205TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V |
auf Bestellung 24181 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF720PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.1A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF720PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.1A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF720PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF720PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF720PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF720PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF720PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF720PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 2814 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF720PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF720PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 2065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF720PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF720PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 1791 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF720PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF720SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp |
auf Bestellung 743 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF720SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7220 | International Rectifier |
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF723 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 79897 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7240PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = -40; Id = -10,5; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25; Qg, нКл = 73; Rds = 15 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -2 В; SOICN-8 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7240PBF | IR | Транз. Пол. ММ P-Channel SOIC8 Udss=40V Id=10,5A P=2.5W Rds=15mOhm |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7240TR | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7240TR | JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 10A; 4,2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR JGSEMI TIRF7240 JGS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7240TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR UMW TIRF7240 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF720 Produktcode: 3059 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
JHGF: THT
verfügbar: 12 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.56 EUR |
10+ | 0.52 EUR |
IRF7201PBF Produktcode: 24055 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 07.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 07.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
verfügbar: 99 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.36 EUR |
10+ | 0.34 EUR |
IRF7201TRPBF Produktcode: 42753 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
auf Bestellung 3180 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRF7204 Produktcode: 25811 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.060
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.060
/: SMD
verfügbar: 12 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.7 EUR |
10+ | 0.57 EUR |
IRF720PBF Produktcode: 164162 |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
JHGF: THT
auf Bestellung 27 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRF720 |
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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30+ | 1.34 EUR |
IRF720 |
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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30+ | 1.34 EUR |
IRF720 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF720 - IRF720, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - IRF720 - IRF720, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF720 |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
auf Bestellung 12045 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1158+ | 0.62 EUR |
IRF7201TR |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 7.3A 30V 2,5W 50&mohm; IRF7201 smd TIRF7201
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 7.3A 30V 2,5W 50&mohm; IRF7201 smd TIRF7201
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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30+ | 1.01 EUR |
IRF7201TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF7201TRPBF |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF7201TRPBF |
Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 18.06 EUR |
IRF7201TRPBF |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF7201TRPBFXTMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH
Trans MOSFET N-CH
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4000+ | 0.45 EUR |
IRF7201TRPBFXTMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH
Trans MOSFET N-CH
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4000+ | 0.45 EUR |
IRF7204 |
Hersteller: TECH PUBLIC
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; IRF7204 TIRF7204 TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; IRF7204 TIRF7204 TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 0.77 EUR |
IRF7204PBF |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В; Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В; Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 2.29 EUR |
10+ | 0.63 EUR |
100+ | 0.5 EUR |
IRF7204PBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2,5W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2,5W; Rds=0,06 Ohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 1.51 EUR |
10+ | 1.34 EUR |
IRF7204TR |
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 5.3A 20V 2.5W 0.06Ω IRF7204 smd TIRF7204
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 5.3A 20V 2.5W 0.06Ω IRF7204 smd TIRF7204
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 1.52 EUR |
IRF7204TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF7204TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2998+ | 0.65 EUR |
IRF7204TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF7205 |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 870 @ 10; Qg, нКл = 40 @ 10 В; Rds = 70 мОм @ 4,6 A, 10 В; Ugs(th) = 3V @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 870 @ 10; Qg, нКл = 40 @ 10 В; Rds = 70 мОм @ 4,6 A, 10 В; Ugs(th) = 3V @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 0.49 EUR |
100+ | 0.43 EUR |
IRF7205TR |
Hersteller: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR JGSEMI TIRF7205 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR JGSEMI TIRF7205 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
100+ | 0.47 EUR |
IRF7205TR |
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR UMW TIRF7205 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR UMW TIRF7205 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 0.63 EUR |
IRF7205TR |
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 4.6A 30V 2.5W 0.07Ω Possible substitute: STS4DPF30L IRF7205 smd TIRF7205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 4.6A 30V 2.5W 0.07Ω Possible substitute: STS4DPF30L IRF7205 smd TIRF7205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 1.05 EUR |
IRF7205TRPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
IRF7205TRPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
47+ | 1.52 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
4000+ | 0.33 EUR |
IRF7205TRPBF |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF7205TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4000+ | 0.55 EUR |
IRF7205TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4000+ | 0.4 EUR |
8000+ | 0.35 EUR |
IRF7205TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF7205TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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133+ | 1.19 EUR |
154+ | 0.99 EUR |
156+ | 0.94 EUR |
226+ | 0.63 EUR |
250+ | 0.59 EUR |
500+ | 0.47 EUR |
1000+ | 0.3 EUR |
IRF7205TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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156+ | 1.02 EUR |
226+ | 0.68 EUR |
250+ | 0.64 EUR |
500+ | 0.51 EUR |
1000+ | 0.32 EUR |
IRF7205TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC
MOSFET MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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28+ | 1.88 EUR |
32+ | 1.63 EUR |
100+ | 1.12 EUR |
500+ | 0.94 EUR |
1000+ | 0.75 EUR |
2000+ | 0.7 EUR |
4000+ | 0.69 EUR |
IRF7205TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
auf Bestellung 23700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4000+ | 0.71 EUR |
8000+ | 0.67 EUR |
12000+ | 0.62 EUR |
IRF7205TRPBF |
auf Bestellung 32600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1013+ | 0.72 EUR |
IRF7205TRPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
auf Bestellung 24181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 1.87 EUR |
17+ | 1.61 EUR |
100+ | 1.12 EUR |
500+ | 0.93 EUR |
1000+ | 0.8 EUR |
2000+ | 0.71 EUR |
IRF720PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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59+ | 1.22 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
139+ | 0.51 EUR |
IRF720PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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59+ | 1.22 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
139+ | 0.51 EUR |
1000+ | 0.5 EUR |
IRF720PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
135+ | 1.17 EUR |
143+ | 1.07 EUR |
148+ | 1 EUR |
200+ | 0.91 EUR |
IRF720PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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100+ | 1.58 EUR |
127+ | 1.2 EUR |
149+ | 0.99 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
IRF720PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
203+ | 0.78 EUR |
IRF720PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF720PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
127+ | 1.25 EUR |
149+ | 1.03 EUR |
500+ | 0.7 EUR |
IRF720PBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
MOSFET 400V N-CH HEXFET
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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22+ | 2.47 EUR |
26+ | 2.06 EUR |
100+ | 1.78 EUR |
500+ | 1.67 EUR |
IRF720PBF |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF720PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRF720PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF720PBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 2.99 EUR |
50+ | 2.39 EUR |
100+ | 1.89 EUR |
500+ | 1.6 EUR |
1000+ | 1.31 EUR |
IRF720PBF-BE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH HEXFET
MOSFET 400V N-CH HEXFET
auf Bestellung 1791 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 2.3 EUR |
28+ | 1.88 EUR |
100+ | 1.78 EUR |
1000+ | 1.67 EUR |
IRF720PBF-BE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 2.99 EUR |
IRF720SPBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 3.77 EUR |
17+ | 3.15 EUR |
100+ | 2.49 EUR |
250+ | 2.3 EUR |
500+ | 2.09 EUR |
1000+ | 1.99 EUR |
2000+ | 1.88 EUR |
IRF720SPBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 4.16 EUR |
50+ | 3.34 EUR |
100+ | 2.75 EUR |
IRF7220 |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 1.58 EUR |
IRF723 |
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 79897 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
386+ | 1.87 EUR |
IRF7240PBF |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = -40; Id = -10,5; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25; Qg, нКл = 73; Rds = 15 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -2 В; SOICN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = -40; Id = -10,5; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25; Qg, нКл = 73; Rds = 15 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -2 В; SOICN-8
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 2.29 EUR |
10+ | 1.94 EUR |
100+ | 1.71 EUR |
IRF7240PBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ P-Channel SOIC8 Udss=40V Id=10,5A P=2.5W Rds=15mOhm
Транз. Пол. ММ P-Channel SOIC8 Udss=40V Id=10,5A P=2.5W Rds=15mOhm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 4.14 EUR |
10+ | 3.76 EUR |
IRF7240TR |
Hersteller: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 2.59 EUR |
IRF7240TR |
Hersteller: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 10A; 4,2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR JGSEMI TIRF7240 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 10A; 4,2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR JGSEMI TIRF7240 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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50+ | 0.86 EUR |
IRF7240TR |
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR UMW TIRF7240 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR UMW TIRF7240 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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25+ | 1.24 EUR |
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