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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRFB3077PBF Produktcode: 104275 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 75 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160 JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
auf Bestellung 194 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB3206PBF Produktcode: 34412 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 60 Idd,A: 210 Rds(on), Ohm: 0.0024 Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120 JHGF: THT |
auf Bestellung 275 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB3306PBF Produktcode: 88656 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 60 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85 JHGF: THT |
auf Bestellung 60 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB3307ZPBF Produktcode: 37782 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 75 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79 JHGF: THT |
auf Bestellung 147 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB4020PBF Produktcode: 55927 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 80 Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18 JHGF: THT |
verfügbar: 14 Stück
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IRFB4110PBF Produktcode: 42666 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 100 V Idd,A: 180 A Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150 JHGF: THT |
auf Bestellung 437 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB4115PBF Produktcode: 37473 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 150 V Idd,A: 104 A JHGF: THT |
auf Bestellung 185 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB4227PBF Produktcode: 25579 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 130 Rds(on), Ohm: 0.197 Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70 JHGF: THT |
verfügbar: 36 Stück
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IRFB4410PBF Produktcode: 72936 |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 100 V Idd,A: 96 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120 JHGF: THT |
auf Bestellung 108 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB4510PBF Produktcode: 58620 |
Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 100 V Idd,A: 62 A Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58 JHGF: THT |
auf Bestellung 322 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB4710PBF Produktcode: 35455 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 Idd,A: 75 Rds(on), Ohm: 0.014 Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110 JHGF: THT |
auf Bestellung 49 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB7434PBF Produktcode: 171783 |
Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 40 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216 JHGF: THT |
auf Bestellung 274 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB9N65APBF Produktcode: 100724 |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 650 V Idd,A: 8,5 A Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48 JHGF: THT |
auf Bestellung 5 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFBC30 Produktcode: 18143 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 600 Idd,A: 03.06.2015 Rds(on), Ohm: 01.08.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 475/16.5 JHGF: THT |
verfügbar: 12 Stück
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IRFBC30PBF Produktcode: 133046 |
Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 600 V Idd,A: 3,6 A Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 660/31 JHGF: THT |
auf Bestellung 17 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFBC40 Produktcode: 26834 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 600 Idd,A: 06.02.2015 Rds(on), Ohm: 01.02.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60 JHGF: THT |
verfügbar: 45 Stück
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IRFBC40 Produktcode: 163760 |
Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 600 V Idd,A: 6,2 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60 JHGF: THT |
auf Bestellung 100 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFBE20 Produktcode: 58305 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 800 Idd,A: 01.08.2015 Rds(on), Ohm: 06.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 530/38 JHGF: THT |
verfügbar: 5 Stück
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IRFBE30PBF Produktcode: 15766 |
Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 800 Idd,A: 03.01.2015 Rds(on), Ohm: 3 Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78 JHGF: THT |
verfügbar: 3 Stück
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IRFBF30PBF Produktcode: 85247 |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 900 V Idd,A: 3,6 A Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78 JHGF: THT |
auf Bestellung 4 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFBG20 Produktcode: 18614 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 1000 Idd,A: 01.04.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 500/38 JHGF: THT |
verfügbar: 12 Stück
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IRFBG30PBF Produktcode: 29889 |
Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 1000 V Idd,A: 2 А Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 980/80 |
auf Bestellung 15 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB11N50A | Vishay |
N-MOSFET 500V 11A 170W 0.520Ω IRFB11N50A TIRFB11n50a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF-BE3 | Vishay | Транз. Пол. БМ TO220AB N-Channel Udss=500V; Id=11A; Rds=0,52Ohm Pd=170W |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB17N50LPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB17N50LPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB17N50LPBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 16 А; Ptot, Вт = 220; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2760 @ 25; Qg, нКл = 130 @ 10 В; Rds = 320 мОм @ 9,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; TO-220AB |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB17N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB20N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 280W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB20N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 280W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB20N50KPBF | Vishay | Транзистор польовий TO220AB N-Ch MOSFET; Uds = 500V; Ids =12A; 280W |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB23N20DPBF | Infineon | Транзистор N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB; HEXFET® |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB260N | International Rectifier |
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB260NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB260NPBF | Infineon | N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 56A; 380W; TO220AB |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB260NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB260NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB260NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB260NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3006 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3006GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3006GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3077PBF Produktcode: 104275 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 194 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFB3206PBF Produktcode: 34412 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0024
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0024
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
JHGF: THT
auf Bestellung 275 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.52 EUR |
10+ | 1.44 EUR |
IRFB3306PBF Produktcode: 88656 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
JHGF: THT
auf Bestellung 60 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 2.16 EUR |
IRFB3307ZPBF Produktcode: 37782 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
JHGF: THT
auf Bestellung 147 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 1.24 EUR |
10+ | 1.12 EUR |
IRFB4020PBF Produktcode: 55927 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 80
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 80
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
JHGF: THT
verfügbar: 14 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 1.4 EUR |
IRFB4110PBF Produktcode: 42666 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 437 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFB4115PBF Produktcode: 37473 |
auf Bestellung 185 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 2.2 EUR |
10+ | 2 EUR |
IRFB4227PBF Produktcode: 25579 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.197
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.197
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
JHGF: THT
verfügbar: 36 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 5 EUR |
IRFB4410PBF Produktcode: 72936 |
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
JHGF: THT
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
JHGF: THT
auf Bestellung 108 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFB4510PBF Produktcode: 58620 |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 62 A
Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 62 A
Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58
JHGF: THT
auf Bestellung 322 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFB4710PBF Produktcode: 35455 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110
JHGF: THT
auf Bestellung 49 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 2.2 EUR |
10+ | 1.86 EUR |
IRFB7434PBF Produktcode: 171783 |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
JHGF: THT
auf Bestellung 274 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFB9N65APBF Produktcode: 100724 |
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
JHGF: THT
Uds,V: 650 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
JHGF: THT
auf Bestellung 5 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFBC30 Produktcode: 18143 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 600
Idd,A: 03.06.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 475/16.5
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 600
Idd,A: 03.06.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 475/16.5
JHGF: THT
verfügbar: 12 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.76 EUR |
10+ | 0.7 EUR |
IRFBC30PBF Produktcode: 133046 |
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/31
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/31
JHGF: THT
auf Bestellung 17 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFBC40 Produktcode: 26834 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 06.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 06.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
verfügbar: 45 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.76 EUR |
10+ | 0.72 EUR |
IRFBC40 Produktcode: 163760 |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFBE20 Produktcode: 58305 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 800
Idd,A: 01.08.2015
Rds(on), Ohm: 06.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 530/38
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 800
Idd,A: 01.08.2015
Rds(on), Ohm: 06.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 530/38
JHGF: THT
verfügbar: 5 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.98 EUR |
IRFBE30PBF Produktcode: 15766 |
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
verfügbar: 3 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 1.13 EUR |
IRFBF30PBF Produktcode: 85247 |
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 900 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78
JHGF: THT
Uds,V: 900 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78
JHGF: THT
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFBG20 Produktcode: 18614 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 1000
Idd,A: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 500/38
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 1000
Idd,A: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 500/38
JHGF: THT
verfügbar: 12 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.98 EUR |
10+ | 0.84 EUR |
IRFBG30PBF Produktcode: 29889 |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFB11N50A |
Hersteller: Vishay
N-MOSFET 500V 11A 170W 0.520Ω IRFB11N50A TIRFB11n50a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 500V 11A 170W 0.520Ω IRFB11N50A TIRFB11n50a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 3.23 EUR |
IRFB11N50APBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
42+ | 1.72 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
250+ | 1.19 EUR |
IRFB11N50APBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
42+ | 1.72 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
250+ | 1.19 EUR |
IRFB11N50APBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFB11N50APBF-BE3 |
Hersteller: Vishay
Транз. Пол. БМ TO220AB N-Channel Udss=500V; Id=11A; Rds=0,52Ohm Pd=170W
Транз. Пол. БМ TO220AB N-Channel Udss=500V; Id=11A; Rds=0,52Ohm Pd=170W
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 10.23 EUR |
10+ | 8.27 EUR |
IRFB17N50LPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 2.96 EUR |
27+ | 2.67 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
35+ | 2.06 EUR |
IRFB17N50LPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 2.96 EUR |
27+ | 2.67 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
35+ | 2.06 EUR |
250+ | 1.99 EUR |
IRFB17N50LPBF |
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 16 А; Ptot, Вт = 220; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2760 @ 25; Qg, нКл = 130 @ 10 В; Rds = 320 мОм @ 9,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; TO-220AB
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 16 А; Ptot, Вт = 220; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2760 @ 25; Qg, нКл = 130 @ 10 В; Rds = 320 мОм @ 9,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 3.78 EUR |
10+ | 3.26 EUR |
100+ | 2.86 EUR |
IRFB17N50LPBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFB18N50KPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 3.22 EUR |
25+ | 2.9 EUR |
32+ | 2.3 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
250+ | 2.14 EUR |
IRFB18N50KPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 3.22 EUR |
25+ | 2.9 EUR |
32+ | 2.3 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
250+ | 2.14 EUR |
IRFB18N50KPBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFB20N50KPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 3.13 EUR |
26+ | 2.83 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
IRFB20N50KPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
23+ | 3.13 EUR |
26+ | 2.83 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
IRFB20N50KPBF |
Hersteller: Vishay
Транзистор польовий TO220AB N-Ch MOSFET; Uds = 500V; Ids =12A; 280W
Транзистор польовий TO220AB N-Ch MOSFET; Uds = 500V; Ids =12A; 280W
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 13.54 EUR |
10+ | 12.03 EUR |
IRFB23N20DPBF |
Hersteller: Infineon
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB; HEXFET®
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 170W; TO220AB; HEXFET®
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 6.77 EUR |
10+ | 6.39 EUR |
IRFB260N |
Hersteller: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 9.72 EUR |
IRFB260NPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 5.51 EUR |
IRFB260NPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 5.51 EUR |
24+ | 2.97 EUR |
100+ | 1.76 EUR |
IRFB260NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
49+ | 3.26 EUR |
55+ | 2.8 EUR |
100+ | 2.6 EUR |
200+ | 2.49 EUR |
500+ | 2.23 EUR |
IRFB260NPBF |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 56A; 380W; TO220AB
N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 56A; 380W; TO220AB
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 8.27 EUR |
10+ | 7.52 EUR |
IRFB260NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
38+ | 4.16 EUR |
43+ | 3.58 EUR |
49+ | 3.03 EUR |
100+ | 2.5 EUR |
IRFB260NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFB260NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFB260NPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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38+ | 4.16 EUR |
43+ | 3.58 EUR |
49+ | 3.03 EUR |
100+ | 2.5 EUR |
IRFB3004PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
47+ | 3.43 EUR |
49+ | 3.14 EUR |
51+ | 2.89 EUR |
100+ | 2.67 EUR |
250+ | 2.56 EUR |
500+ | 2.39 EUR |
1000+ | 2.23 EUR |
IRFB3004PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFB3004PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 6.49 EUR |
28+ | 5.5 EUR |
50+ | 4.22 EUR |
100+ | 4.04 EUR |
200+ | 3.69 EUR |
500+ | 3.16 EUR |
1000+ | 2.96 EUR |
2000+ | 2.85 EUR |
IRFB3004PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
44+ | 3.61 EUR |
47+ | 3.26 EUR |
50+ | 2.96 EUR |
100+ | 2.71 EUR |
250+ | 2.59 EUR |
500+ | 2.4 EUR |
IRFB3004PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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47+ | 3.43 EUR |
49+ | 3.14 EUR |
51+ | 2.89 EUR |
100+ | 2.67 EUR |
250+ | 2.56 EUR |
500+ | 2.39 EUR |
1000+ | 2.23 EUR |
IRFB3004PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
44+ | 3.62 EUR |
47+ | 3.27 EUR |
50+ | 2.97 EUR |
100+ | 2.72 EUR |
250+ | 2.6 EUR |
500+ | 2.41 EUR |
IRFB3006 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω IRFB3006 TIRFB3006
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 7.81 EUR |
IRFB3006GPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
35+ | 4.54 EUR |
41+ | 3.8 EUR |
61+ | 2.41 EUR |
IRFB3006GPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
35+ | 4.53 EUR |
41+ | 3.79 EUR |
61+ | 2.41 EUR |
IRFB3006PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
17+ | 4.43 EUR |
18+ | 3.98 EUR |
24+ | 3.05 EUR |
25+ | 2.87 EUR |
IRFB3006PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
17+ | 4.43 EUR |
18+ | 3.98 EUR |
24+ | 3.05 EUR |
25+ | 2.87 EUR |
IRFB3006PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
39+ | 4.11 EUR |
40+ | 3.82 EUR |
44+ | 3.4 EUR |
100+ | 2.9 EUR |
250+ | 2.69 EUR |
IRFB3006PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
80+ | 1.97 EUR |
84+ | 1.82 EUR |
100+ | 1.72 EUR |
200+ | 1.65 EUR |
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