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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRFP22N60KPBF Produktcode: 190283 |
Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 600 V Idd,A: 22 A Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150 JHGF: THT |
auf Bestellung 8 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP22N60KPBF Produktcode: 35348 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 600 Idd,A: 22 Rds(on), Ohm: 0.24 Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150 JHGF: THT |
verfügbar: 5 Stück
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IRFP23N50LPBF Produktcode: 25263 |
Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 500 Idd,A: 23 Rds(on), Ohm: 0.19 Ciss, pF/Qg, nC: 3600/26 JHGF: THT |
auf Bestellung 24 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP240PBF Produktcode: 24070 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 Idd,A: 20 Rds(on), Ohm: 0.18 Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70 JHGF: THT |
verfügbar: 5 Stück
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IRFP240PBF Produktcode: 188578 |
Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70 |
auf Bestellung 24 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP240PBF (TO-247AC, Vishay) Produktcode: 148842 |
Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 200 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70 JHGF: THT |
auf Bestellung 7 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP250 (IRFP250PBF) Produktcode: 7938 |
ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 Idd,A: 33 Rds(on), Ohm: 0.075 Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117 JHGF: THT |
auf Bestellung 131 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP250NPBF Produktcode: 40169 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 Idd,A: 30 Rds(on), Ohm: 0.075 Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123 JHGF: THT |
verfügbar: 105 Stück
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IRFP260N Produktcode: 18423 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 Idd,A: 50 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254 JHGF: THT |
verfügbar: 47 Stück
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IRFP260NPBF Produktcode: 47253 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 200 Idd,A: 50 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234 JHGF: THT |
auf Bestellung 123 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP264NPBF Produktcode: 197506 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 250 V Idd,A: 44 A Rds(on), Ohm: 60 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3860/210 JHGF: THT |
auf Bestellung 82 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP264PBF Produktcode: 51613 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 250 Idd,A: 38 Rds(on), Ohm: 0.075 Ciss, pF/Qg, nC: 5400/210 JHGF: THT |
verfügbar: 6 Stück
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IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix) Produktcode: 156295 |
Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 250 V Idd,A: 38 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5400/210 JHGF: THT |
auf Bestellung 81 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP2907PBF Produktcode: 60422 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 75 V Idd,A: 209 A Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410 JHGF: THT |
auf Bestellung 68 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP2907ZPBF Produktcode: 48264 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 75 V Idd,A: 90 A Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180 JHGF: THT |
auf Bestellung 50 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP21N60LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50A | Siliconix |
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP22N50A | Vishay |
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 277W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 277W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 534 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1804 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP22N60KPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP22N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N60KPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP23N50LPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 92A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP23N50LPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 92A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP23N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP23N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP23N50LPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP23N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.235 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm |
auf Bestellung 506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP23N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP23N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP23N50LPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP240 | Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C; IRFP240 TIRFP240 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP240PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP240PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP240PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 3208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP240PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP240PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP240PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP240PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
auf Bestellung 3241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP240PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP240PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP240PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1747 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP243 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V |
auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP244 | Siliconix |
N-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP244PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 9.7A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP244PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 9.7A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP244PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP244PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP244PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP244PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4072 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP245 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP246 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5674 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP250 | Siliconix |
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP250M | Infineon |
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP250M | International Rectifier |
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP22N60KPBF Produktcode: 190283 |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 22 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 22 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150
JHGF: THT
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFP22N60KPBF Produktcode: 35348 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600
Idd,A: 22
Rds(on), Ohm: 0.24
Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600
Idd,A: 22
Rds(on), Ohm: 0.24
Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150
JHGF: THT
verfügbar: 5 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2 EUR |
IRFP23N50LPBF Produktcode: 25263 |
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 23
Rds(on), Ohm: 0.19
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/26
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 23
Rds(on), Ohm: 0.19
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/26
JHGF: THT
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 4.88 EUR |
10+ | 4.4 EUR |
IRFP240PBF Produktcode: 24070 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
verfügbar: 5 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.24 EUR |
IRFP240PBF Produktcode: 188578 |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFP240PBF (TO-247AC, Vishay) Produktcode: 148842 |
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFP250 (IRFP250PBF) Produktcode: 7938 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 33
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 33
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
JHGF: THT
auf Bestellung 131 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.06 EUR |
IRFP250NPBF Produktcode: 40169 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
JHGF: THT
verfügbar: 105 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.16 EUR |
100+ | 1.11 EUR |
IRFP260N Produktcode: 18423 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
JHGF: THT
verfügbar: 47 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.4 EUR |
10+ | 1.2 EUR |
IRFP260NPBF Produktcode: 47253 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
JHGF: THT
auf Bestellung 123 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.96 EUR |
IRFP264NPBF Produktcode: 197506 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 250 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3860/210
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 250 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3860/210
JHGF: THT
auf Bestellung 82 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFP264PBF Produktcode: 51613 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 250
Idd,A: 38
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 5400/210
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 250
Idd,A: 38
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 5400/210
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.4 EUR |
IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix) Produktcode: 156295 |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 250 V
Idd,A: 38 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5400/210
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 250 V
Idd,A: 38 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5400/210
JHGF: THT
auf Bestellung 81 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFP2907PBF Produktcode: 60422 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
JHGF: THT
auf Bestellung 68 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFP2907ZPBF Produktcode: 48264 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
JHGF: THT
auf Bestellung 50 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRFP21N60LPBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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22+ | 7.33 EUR |
24+ | 6.6 EUR |
25+ | 6.13 EUR |
100+ | 5.57 EUR |
250+ | 5.3 EUR |
IRFP22N50A |
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 9.42 EUR |
IRFP22N50A |
Hersteller: Vishay
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 9.42 EUR |
IRFP22N50APBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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18+ | 4.05 EUR |
20+ | 3.65 EUR |
26+ | 2.83 EUR |
27+ | 2.69 EUR |
IRFP22N50APBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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18+ | 4.05 EUR |
20+ | 3.65 EUR |
26+ | 2.83 EUR |
27+ | 2.69 EUR |
IRFP22N50APBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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22+ | 7.42 EUR |
26+ | 5.99 EUR |
29+ | 5.18 EUR |
100+ | 4.54 EUR |
250+ | 3.31 EUR |
IRFP22N50APBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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31+ | 5.26 EUR |
33+ | 4.65 EUR |
35+ | 4.23 EUR |
100+ | 3.87 EUR |
250+ | 3.4 EUR |
IRFP22N50APBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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28+ | 5.66 EUR |
32+ | 4.8 EUR |
35+ | 4.27 EUR |
100+ | 3.82 EUR |
250+ | 2.98 EUR |
500+ | 2.83 EUR |
1000+ | 2.68 EUR |
IRFP22N50APBF |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFP22N50APBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 12.66 EUR |
25+ | 10.02 EUR |
100+ | 8.59 EUR |
500+ | 7.63 EUR |
1000+ | 6.54 EUR |
IRFP22N60KPBF |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP22N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - IRFP22N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFP22N60KPBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 18.77 EUR |
10+ | 16.09 EUR |
100+ | 13.41 EUR |
IRFP23N50LPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 92A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 92A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 5.29 EUR |
20+ | 3.63 EUR |
21+ | 3.43 EUR |
IRFP23N50LPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 92A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 92A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 5.29 EUR |
20+ | 3.63 EUR |
21+ | 3.43 EUR |
IRFP23N50LPBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
11+ | 15.77 EUR |
14+ | 11.27 EUR |
30+ | 10.15 EUR |
IRFP23N50LPBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 8.05 EUR |
21+ | 7.57 EUR |
25+ | 6.38 EUR |
100+ | 5.9 EUR |
IRFP23N50LPBF |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP23N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.235 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
Description: VISHAY - IRFP23N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.235 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFP23N50LPBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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21+ | 7.67 EUR |
22+ | 7.14 EUR |
26+ | 5.77 EUR |
100+ | 5.04 EUR |
250+ | 3.86 EUR |
500+ | 3.66 EUR |
IRFP23N50LPBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 7.73 EUR |
50+ | 6.85 EUR |
100+ | 6.17 EUR |
150+ | 5.62 EUR |
IRFP23N50LPBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 17.34 EUR |
25+ | 13.84 EUR |
100+ | 12.38 EUR |
500+ | 10.93 EUR |
IRFP240 |
Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C; IRFP240 TIRFP240
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C; IRFP240 TIRFP240
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 3.65 EUR |
IRFP240PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
34+ | 2.14 EUR |
38+ | 1.93 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
250+ | 1.43 EUR |
IRFP240PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
34+ | 2.14 EUR |
38+ | 1.93 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
250+ | 1.43 EUR |
IRFP240PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 3208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
26+ | 6.1 EUR |
41+ | 3.75 EUR |
50+ | 2.93 EUR |
100+ | 2.63 EUR |
200+ | 2.5 EUR |
800+ | 2.14 EUR |
1600+ | 1.91 EUR |
3200+ | 1.8 EUR |
IRFP240PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
62+ | 2.56 EUR |
375+ | 2.27 EUR |
750+ | 2.04 EUR |
1125+ | 1.86 EUR |
IRFP240PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFP240PBF |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP240PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
Description: VISHAY - IRFP240PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 3241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFP240PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
52+ | 3.07 EUR |
60+ | 2.57 EUR |
100+ | 2.11 EUR |
250+ | 1.87 EUR |
IRFP240PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
40+ | 4 EUR |
49+ | 3.17 EUR |
100+ | 2.46 EUR |
250+ | 2.14 EUR |
IRFP240PBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 6.81 EUR |
25+ | 5.48 EUR |
100+ | 4.51 EUR |
500+ | 3.81 EUR |
1000+ | 3.23 EUR |
IRFP243 |
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
116+ | 6.24 EUR |
IRFP244 |
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 4.03 EUR |
IRFP244PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
32+ | 2.29 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
IRFP244PBF |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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32+ | 2.29 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
IRFP244PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
39+ | 4.06 EUR |
41+ | 3.72 EUR |
44+ | 3.35 EUR |
IRFP244PBF |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 8.17 EUR |
22+ | 6.93 EUR |
50+ | 5.3 EUR |
IRFP244PBF |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRFP244PBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 4072 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 8.63 EUR |
25+ | 6.83 EUR |
100+ | 5.86 EUR |
500+ | 5.73 EUR |
IRFP245 |
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
195+ | 3.7 EUR |
IRFP246 |
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 5674 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
188+ | 3.84 EUR |
IRFP250 |
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 4.12 EUR |
IRFP250M |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.49 EUR |
IRFP250M |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.49 EUR |
IRFP250MPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
28+ | 2.62 EUR |
30+ | 2.42 EUR |
40+ | 1.83 EUR |
42+ | 1.73 EUR |
IRFP250MPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
28+ | 2.62 EUR |
30+ | 2.42 EUR |
40+ | 1.83 EUR |
42+ | 1.73 EUR |
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