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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381 		IR irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 1092 Stück
1+0.4 EUR
10+ 0.35 EUR
100+ 0.28 EUR
IRFZ34E IRFZ34E
Produktcode: 88726 		irfz34e.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF
Produktcode: 30764 		IR irfz34npbf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
JHGF: THT
auf Bestellung 161 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.36 EUR
10+ 0.33 EUR
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403 		IR irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1599 Stück
1+0.32 EUR
10+ 0.28 EUR
100+ 0.27 EUR
IRFZ44PBF IRFZ44PBF
Produktcode: 35443 		IR packaging.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.0175
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 5 Stück
1+0.98 EUR
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF
Produktcode: 35444 		IR IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.0165
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
JHGF: THT
verfügbar: 363 Stück
1+0.64 EUR
10+ 0.61 EUR
IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF
Produktcode: 40288 		IR irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 51
Rds(on), Ohm: 0.0139
Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29
JHGF: THT
verfügbar: 248 Stück
1+0.58 EUR
10+ 0.57 EUR
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF
Produktcode: 48533 		IR irfz46npbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
verfügbar: 48 Stück
erwartet: 100 Stück
1+0.8 EUR
10+ 0.72 EUR
IRFZ48N PBF IRFZ48N PBF
Produktcode: 60156 		IR hyh6568cf6fu65u6.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 64
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
JHGF: THT
verfügbar: 241 Stück
1+0.52 EUR
10+ 0.49 EUR
AUIRFZ44NS
Produktcode: 152487 		infineon-auirfz44ns-ds-v02_02-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFZ10PBF IRFZ10PBF Vishay / Siliconix irfz10.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.99 EUR
23+ 2.36 EUR
100+ 2.03 EUR
500+ 1.85 EUR
1000+ 1.59 EUR
2000+ 1.5 EUR
5000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IRFZ10PBF IRFZ10PBF VISHAY VISH-S-A0001144406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ10PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ14 Siliconix description N-MOSFET 10A 60V 43W 0.20Ω IRFZ14 IRFZ14 TIRFZ14
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY IRFZ14.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
106+ 0.68 EUR
118+ 0.61 EUR
154+ 0.46 EUR
163+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 76
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY IRFZ14.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
106+ 0.68 EUR
118+ 0.61 EUR
154+ 0.46 EUR
163+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 76
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay irfz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay Semiconductors TO220AB_Front.jpg MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 9275 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.59 EUR
25+ 2.12 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.14 EUR
2000+ 1.12 EUR
10000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY VISH-S-A0013856866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay irfz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.94 EUR
201+ 0.76 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 168
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay irfz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.08 EUR
169+ 0.9 EUR
203+ 0.73 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.53 EUR
2000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 146
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay 91289.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay irfz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay Siliconix TO220AB_Front.jpg Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 56422 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.08 EUR
50+ 1.68 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRFZ14PBF-BE3 IRFZ14PBF-BE3 Vishay / Siliconix irfz14.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 4513 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.59 EUR
28+ 1.92 EUR
100+ 1.91 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.31 EUR
2000+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IRFZ14PBF-BE3 IRFZ14PBF-BE3 Vishay Siliconix irfz14.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+2.99 EUR
50+ 2.39 EUR
100+ 1.89 EUR
500+ 1.6 EUR
1000+ 1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRFZ14SPBF IRFZ14SPBF Vishay Semiconductors sihfz14s.pdf MOSFET N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.54 EUR
19+ 2.86 EUR
100+ 2.22 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.59 EUR
2000+ 1.46 EUR
5000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRFZ14SPBF IRFZ14SPBF Vishay Siliconix sihfz14s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.51 EUR
10+ 2.87 EUR
100+ 2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay irfz20.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.73 EUR
100+ 1.6 EUR
250+ 1.48 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 92
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay irfz20.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ20PBF IRFZ20PBF VISHAY VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay Semiconductors packaging.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.59 EUR
18+ 2.94 EUR
100+ 2.51 EUR
250+ 2.14 EUR
500+ 2.1 EUR
2000+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay Siliconix packaging.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
auf Bestellung 1506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.39 EUR
50+ 3.53 EUR
100+ 2.9 EUR
500+ 2.46 EUR
1000+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFZ20PBF-BE3 IRFZ20PBF-BE3 Vishay / Siliconix irfz20.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 1812 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.42 EUR
17+ 3.15 EUR
100+ 2.65 EUR
250+ 2.59 EUR
500+ 2.31 EUR
1000+ 1.98 EUR
2000+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRFZ20PBF-BE3 IRFZ20PBF-BE3 Vishay Siliconix irfz20.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.39 EUR
50+ 3.53 EUR
100+ 2.9 EUR
500+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFZ20PBF. IRFZ20PBF. VISHAY VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ20PBF. - N CHANNEL MOSFET, 50V, 15A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 1827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ24N International Rectifier description N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRFZ24NHR International Rectifier irfz24n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
123+ 0.58 EUR
140+ 0.51 EUR
182+ 0.39 EUR
193+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 67
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
123+ 0.58 EUR
140+ 0.51 EUR
182+ 0.39 EUR
193+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 67
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF INTERNATIONAL RECTIFIER irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON INFN-S-A0012813733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3473 Stücke:
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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142+1.12 EUR
173+ 0.88 EUR
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500+ 0.5 EUR
1000+ 0.4 EUR
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IRFZ24NPBF IR irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,07 Ohm
auf Bestellung 203 Stücke:
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1+1.8 EUR
10+ 1.5 EUR
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ24N_DataSheet_v01_01_EN-3363353.pdf description MOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC
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40+1.33 EUR
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100+ 0.8 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY packaging.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.47 EUR
53+ 1.36 EUR
123+ 0.58 EUR
130+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 49
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY packaging.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 983 Stücke:
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49+1.47 EUR
53+ 1.36 EUR
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IRFZ24PBF IRFZ24PBF Vishay Semiconductors packaging.pdf description MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 739 Stücke:
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2000+ 1.59 EUR
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IRFZ24PBF IRFZ24PBF Vishay Siliconix packaging.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 309 Stücke:
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7+3.8 EUR
50+ 3.04 EUR
100+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRFZ24PBF-BE3 IRFZ24PBF-BE3 Vishay / Siliconix MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 5772 Stücke:
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16+3.3 EUR
20+ 2.73 EUR
100+ 2.12 EUR
500+ 1.79 EUR
1000+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IRFZ24PBF-BE3 IRFZ24PBF-BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.8 EUR
50+ 3.04 EUR
100+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRFZ24SPBF IRFZ24SPBF Vishay Semiconductors sihfz24s.pdf MOSFET 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.75 EUR
11+ 4.78 EUR
100+ 3.82 EUR
250+ 3.64 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFZ24SPBF IRFZ24SPBF Vishay Siliconix sihfz24s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.72 EUR
10+ 4.75 EUR
100+ 3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRFZ34N Infineon description N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRFZ34N IR description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=60V; Id=30A; Pdmax=88W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.41 EUR
10+ 2.13 EUR
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.24 EUR
107+ 0.67 EUR
122+ 0.59 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 58
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
107+ 0.67 EUR
122+ 0.59 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 58
IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381		 description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 1092 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.4 EUR
10+ 0.35 EUR
100+ 0.28 EUR
IRFZ34E
Produktcode: 88726		 irfz34e.pdf
IRFZ34E
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFZ34NPBF
Produktcode: 30764		 irfz34npbf.pdf
IRFZ34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
JHGF: THT
auf Bestellung 161 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.36 EUR
10+ 0.33 EUR
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403		 irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1599 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.32 EUR
10+ 0.28 EUR
100+ 0.27 EUR
IRFZ44PBF
Produktcode: 35443		 description packaging.pdf
IRFZ44PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.0175
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 5 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.98 EUR
IRFZ44VPBF
Produktcode: 35444		 IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFZ44VPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.0165
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
JHGF: THT
verfügbar: 363 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.64 EUR
10+ 0.61 EUR
IRFZ44ZPBF
Produktcode: 40288		 description irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c
IRFZ44ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 51
Rds(on), Ohm: 0.0139
Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29
JHGF: THT
verfügbar: 248 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.58 EUR
10+ 0.57 EUR
IRFZ46NPBF
Produktcode: 48533		 description irfz46npbf-datasheet.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
verfügbar: 48 Stück
erwartet: 100 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.8 EUR
10+ 0.72 EUR
IRFZ48N PBF
Produktcode: 60156		 hyh6568cf6fu65u6.pdf
IRFZ48N PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 64
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
JHGF: THT
verfügbar: 241 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.52 EUR
10+ 0.49 EUR
AUIRFZ44NS
Produktcode: 152487		 infineon-auirfz44ns-ds-v02_02-en.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRFZ10PBF irfz10.pdf
IRFZ10PBF
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+2.99 EUR
23+ 2.36 EUR
100+ 2.03 EUR
500+ 1.85 EUR
1000+ 1.59 EUR
2000+ 1.5 EUR
5000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IRFZ10PBF VISH-S-A0001144406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ10PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ10PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ14 description
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 10A 60V 43W 0.20Ω IRFZ14 IRFZ14 TIRFZ14
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRFZ14PBF IRFZ14.pdf
IRFZ14PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
76+0.94 EUR
106+ 0.68 EUR
118+ 0.61 EUR
154+ 0.46 EUR
163+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 76
IRFZ14PBF IRFZ14.pdf
IRFZ14PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
76+0.94 EUR
106+ 0.68 EUR
118+ 0.61 EUR
154+ 0.46 EUR
163+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 76
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ14PBF TO220AB_Front.jpg
IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 9275 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+2.59 EUR
25+ 2.12 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.14 EUR
2000+ 1.12 EUR
10000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IRFZ14PBF VISH-S-A0013856866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ14PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
168+0.94 EUR
201+ 0.76 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 168
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
146+1.08 EUR
169+ 0.9 EUR
203+ 0.73 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.53 EUR
2000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 146
IRFZ14PBF 91289.pdf
IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFZ14PBF TO220AB_Front.jpg
IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 56422 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+2.08 EUR
50+ 1.68 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRFZ14PBF-BE3 irfz14.pdf
IRFZ14PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 4513 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+2.59 EUR
28+ 1.92 EUR
100+ 1.91 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.31 EUR
2000+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IRFZ14PBF-BE3 irfz14.pdf
IRFZ14PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+2.99 EUR
50+ 2.39 EUR
100+ 1.89 EUR
500+ 1.6 EUR
1000+ 1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRFZ14SPBF sihfz14s.pdf
IRFZ14SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+3.54 EUR
19+ 2.86 EUR
100+ 2.22 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.59 EUR
2000+ 1.46 EUR
5000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRFZ14SPBF sihfz14s.pdf
IRFZ14SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+3.51 EUR
10+ 2.87 EUR
100+ 2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRFZ20PBF irfz20.pdf
IRFZ20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
92+1.73 EUR
100+ 1.6 EUR
250+ 1.48 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 92
IRFZ20PBF irfz20.pdf
IRFZ20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ20PBF VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ20PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ20PBF packaging.pdf
IRFZ20PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+3.59 EUR
18+ 2.94 EUR
100+ 2.51 EUR
250+ 2.14 EUR
500+ 2.1 EUR
2000+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRFZ20PBF packaging.pdf
IRFZ20PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
auf Bestellung 1506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+4.39 EUR
50+ 3.53 EUR
100+ 2.9 EUR
500+ 2.46 EUR
1000+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFZ20PBF-BE3 irfz20.pdf
IRFZ20PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 1812 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+4.42 EUR
17+ 3.15 EUR
100+ 2.65 EUR
250+ 2.59 EUR
500+ 2.31 EUR
1000+ 1.98 EUR
2000+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRFZ20PBF-BE3 irfz20.pdf
IRFZ20PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+4.39 EUR
50+ 3.53 EUR
100+ 2.9 EUR
500+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFZ20PBF. VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ20PBF.
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ20PBF. - N CHANNEL MOSFET, 50V, 15A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 1827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ24N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRFZ24NHR irfz24n.pdf
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ24NPBF description irfz24n.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+1.07 EUR
123+ 0.58 EUR
140+ 0.51 EUR
182+ 0.39 EUR
193+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 67
IRFZ24NPBF description irfz24n.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+1.07 EUR
123+ 0.58 EUR
140+ 0.51 EUR
182+ 0.39 EUR
193+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 67
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
273+0.58 EUR
292+ 0.52 EUR
293+ 0.5 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.37 EUR
2000+ 0.35 EUR
4000+ 0.32 EUR
8000+ 0.3 EUR
16000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 273
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
150+1.05 EUR
181+ 0.84 EUR
254+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 150
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
197+0.81 EUR
267+ 0.57 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 197
IRFZ24NPBF description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFZ24NPBF description INFN-S-A0012813733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
181+0.87 EUR
254+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 181
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
142+1.12 EUR
173+ 0.88 EUR
238+ 0.62 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 142
IRFZ24NPBF description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,07 Ohm
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.8 EUR
10+ 1.5 EUR
IRFZ24NPBF description Infineon_IRFZ24N_DataSheet_v01_01_EN-3363353.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC
auf Bestellung 23851 Stücke:
Lieferzeit 84-98 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+1.33 EUR
50+ 1.04 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.64 EUR
2000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRFZ24PBF description packaging.pdf
IRFZ24PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.47 EUR
53+ 1.36 EUR
123+ 0.58 EUR
130+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 49
IRFZ24PBF description packaging.pdf
IRFZ24PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.47 EUR
53+ 1.36 EUR
123+ 0.58 EUR
130+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 49
IRFZ24PBF description packaging.pdf
IRFZ24PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+3.56 EUR
19+ 2.89 EUR
100+ 2.25 EUR
500+ 2.1 EUR
1000+ 1.67 EUR
2000+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRFZ24PBF description packaging.pdf
IRFZ24PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+3.8 EUR
50+ 3.04 EUR
100+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRFZ24PBF-BE3
IRFZ24PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 5772 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+3.3 EUR
20+ 2.73 EUR
100+ 2.12 EUR
500+ 1.79 EUR
1000+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IRFZ24PBF-BE3
IRFZ24PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+3.8 EUR
50+ 3.04 EUR
100+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRFZ24SPBF sihfz24s.pdf
IRFZ24SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+5.75 EUR
11+ 4.78 EUR
100+ 3.82 EUR
250+ 3.64 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFZ24SPBF sihfz24s.pdf
IRFZ24SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+5.72 EUR
10+ 4.75 EUR
100+ 3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRFZ34N description
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRFZ34N description
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=60V; Id=30A; Pdmax=88W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.41 EUR
10+ 2.13 EUR
IRFZ34NPBF irfz34n.pdf
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
58+1.24 EUR
107+ 0.67 EUR
122+ 0.59 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 58
IRFZ34NPBF irfz34n.pdf
IRFZ34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
58+1.24 EUR
107+ 0.67 EUR
122+ 0.59 EUR
159+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
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