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ohne MwSt
2N5551 2N5551
Produktcode: 193606
Hottech 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 912 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5551 (Bipolartransistor NPN) 2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024
Fairchild 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 36 Stück
1+0.06 EUR
10+ 0.045 EUR
2N5551-Y (Bipolartransistor NPN) 2N5551-Y (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1459
Philips 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
verfügbar: 120 Stück
1+0.04 EUR
10+ 0.034 EUR
100+ 0.028 EUR
N555 TI SOP
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
N555 TI 04+ SOP
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
N555 TI SOP8
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
N555 TI 09+ SOP8
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
N555 TI MSOP8
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
N555D PHILIPS 04+
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N5550 1N5550 Microchip Technology LDS_0230-1592115.pdf Rectifiers 200 V Std Rectifier
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.65 EUR
100+ 12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5550 1N5550 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.55 EUR
100+ 12.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
1N5551 1N5551 Microchip Technology LDS_0230-1592115.pdf Rectifiers 400 V Std Rectifier
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.65 EUR
100+ 12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5551US 1N5551US Microchip Technology LDS_0230_1-1592349.pdf Rectifiers 400 V Std Rectifier
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.61 EUR
10+ 16.54 EUR
25+ 16.46 EUR
100+ 15.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5552 1N5552 Microchip Technology lds-0230.pdf Rectifier Diode Switching 600V 5A 2000ns 2-Pin Case E Bag
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5552 1N5552 Microchip Technology LDS_0230-1592115.pdf Rectifiers 600 V Std Rectifier
auf Bestellung 8833 Stücke:
Lieferzeit 270-284 Tag (e)
4+13.18 EUR
100+ 12.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5552US 1N5552US Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Rectifiers 600 V Std Rectifier
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.93 EUR
100+ 15.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5552US/TR 1N5552US/TR Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Rectifiers 600 V Std Rectifier
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 252-266 Tag (e)
4+17.32 EUR
100+ 16.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5553 1N5553 Microchip Technology LDS_0230-1592115.pdf Rectifiers 800 V Std Rectifier
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.64 EUR
10+ 16.54 EUR
25+ 16.46 EUR
100+ 15.6 EUR
250+ 15.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5553 1N5553 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.67 EUR
100+ 15.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
1N5553US 1N5553US Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Description: DIODE GEN PURP 800V 3A B SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+25.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
1N5554 1N5554 Microchip Technology LDS_0230-1592115.pdf Rectifiers 1000 V Std Rectifier
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+20.57 EUR
100+ 19.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
1N5554 1N5554 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+20.44 EUR
100+ 18.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
1N5554US 1N5554US Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Rectifiers 1000 V Std Rectifier
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.81 EUR
100+ 18.41 EUR
500+ 18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
1N5554US/TR 1N5554US/TR Microchip Technology lds-0230-1.pdf Surface Mount Standard Recovery Glass Rectifiers
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5555 1N5555 Microchip Technology 8920-lds-0094-datasheet ESD Suppressors / TVS Diodes 47.5V 32A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+36.82 EUR
100+ 34.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
1N5555 1N5555 Microchip Technology 8920-lds-0094-datasheet Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+36.56 EUR
100+ 33.95 EUR
1N5556 1N5556 Microchip Technology 8920-lds-0094-datasheet ESD Suppressors / TVS Diodes 63.5V 24A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+54.6 EUR
100+ 50.7 EUR
1N5556 1N5556 Microchip Technology 8920-lds-0094-datasheet Description: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V
Supplier Device Package: DO-13
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 43.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+54.21 EUR
1N5558 1N5558 Microchip Technology 8920-lds-0094-datasheet ESD Suppressors / TVS Diodes 265V 5.7A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+70.95 EUR
100+ 65.88 EUR
2N5550 2N5550 CDIL 2N5550 Rev4.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 5559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1825+0.039 EUR
2225+ 0.032 EUR
2500+ 0.029 EUR
2925+ 0.025 EUR
3100+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 1825
2N5550 2N5550 LUGUANG ELECTRONIC 2N5550.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1355+0.053 EUR
2465+ 0.029 EUR
2780+ 0.026 EUR
2865+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1355
2N5550 2N5550 CDIL 2N5550 Rev4.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1825+0.039 EUR
2225+ 0.032 EUR
2500+ 0.029 EUR
2925+ 0.025 EUR
3100+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 1825
2N5550 2N5550 LUGUANG ELECTRONIC 2N5550.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1355+0.053 EUR
2465+ 0.029 EUR
2780+ 0.026 EUR
2865+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1355
2N5550 LGE 2N5550 Rev4.pdf description Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 500
2N5550 PBFREE 2N5550 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 10159 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.16 EUR
52+ 1.01 EUR
100+ 0.75 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.46 EUR
2500+ 0.42 EUR
10000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 45
2N5550/D26Z 2N5550/D26Z Fairchild Semiconductor FAIRS25003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
2N5550RLRA 2N5550RLRA onsemi 2N5550 Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
2N5550RLRAG 2N5550RLRAG onsemi 2N5550 Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
2N5550RLRP 2N5550RLRP onsemi 2N5550 Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 164000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
2N5550TA 2N5550TA onsemi / Fairchild 2N5550_D-2309758.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 8162 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
89+ 0.59 EUR
139+ 0.37 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.14 EUR
10000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 60
2N5550TA 2N5550TA onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 3482 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
45+ 0.58 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31
2N5550TA 2N5550TA onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
10000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5550TA 2N5550TA Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 33620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7755+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7755
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi / Fairchild 2N5550_D-2309758.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 7419 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
64+0.82 EUR
89+ 0.58 EUR
220+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.14 EUR
10000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 134000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.15 EUR
6000+ 0.14 EUR
10000+ 0.13 EUR
50000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 105817 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
32+0.83 EUR
45+ 0.59 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 32
2N5550TF 2N5550TF Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 29681 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi / Fairchild 2N5550_D-2309758.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 9396 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
89+ 0.59 EUR
216+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.13 EUR
10000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 60
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 121205 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
31+0.86 EUR
45+ 0.58 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31
2N5550TFR 2N5550TFR Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 58874 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7755+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7755
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
10000+ 0.11 EUR
50000+ 0.097 EUR
100000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551
+1
2N5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2n5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1350+0.054 EUR
1950+ 0.037 EUR
2475+ 0.029 EUR
3275+ 0.022 EUR
3450+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1350
2N5551 SLKOR 2n5551.pdf 2n5551.pdf Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N5551 MIC 2n5551.pdf 2n5551.pdf NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N5551 HOTTECH 2n5551.pdf 2n5551.pdf NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N5551
+1
2N5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2n5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1350+0.054 EUR
1950+ 0.037 EUR
2475+ 0.029 EUR
3275+ 0.022 EUR
3450+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1350
2N5551 JSMicro Semiconductor 2n5551.pdf 2n5551.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2n5551.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 8803 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
166+0.31 EUR
223+ 0.23 EUR
267+ 0.2 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.14 EUR
4000+ 0.1 EUR
8000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 166
2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N5551 Diotec 2n5551.pdf 2n5551.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.17 EUR
10+ 0.15 EUR
2N5551
Produktcode: 193606
2N5551.pdf
2N5551
Hersteller: Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 912 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024
2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 36 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.06 EUR
10+ 0.045 EUR
2N5551-Y (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1459
2N5551.pdf
2N5551-Y (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
verfügbar: 120 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.034 EUR
100+ 0.028 EUR
N555
Hersteller: TI
SOP
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
N555
Hersteller: TI
04+ SOP
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
N555
Hersteller: TI
SOP8
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
N555
Hersteller: TI
09+ SOP8
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
N555
Hersteller: TI
MSOP8
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
N555D
Hersteller: PHILIPS
04+
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N5550 LDS_0230-1592115.pdf
1N5550
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 200 V Std Rectifier
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+13.65 EUR
100+ 12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5550 11519-lds-0230-datasheet
1N5550
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+13.55 EUR
100+ 12.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
1N5551 LDS_0230-1592115.pdf
1N5551
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 400 V Std Rectifier
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+13.65 EUR
100+ 12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5551US LDS_0230_1-1592349.pdf
1N5551US
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 400 V Std Rectifier
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+16.61 EUR
10+ 16.54 EUR
25+ 16.46 EUR
100+ 15.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5552 lds-0230.pdf
1N5552
Hersteller: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 600V 5A 2000ns 2-Pin Case E Bag
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5552 LDS_0230-1592115.pdf
1N5552
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 600 V Std Rectifier
auf Bestellung 8833 Stücke:
Lieferzeit 270-284 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+13.18 EUR
100+ 12.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5552US 10966-sa7-43-datasheet
1N5552US
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 600 V Std Rectifier
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+16.93 EUR
100+ 15.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5552US/TR 10966-sa7-43-datasheet
1N5552US/TR
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 600 V Std Rectifier
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 252-266 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+17.32 EUR
100+ 16.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5553 LDS_0230-1592115.pdf
1N5553
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 800 V Std Rectifier
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+16.64 EUR
10+ 16.54 EUR
25+ 16.46 EUR
100+ 15.6 EUR
250+ 15.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
1N5553 11519-lds-0230-datasheet
1N5553
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+16.67 EUR
100+ 15.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
1N5553US 10966-sa7-43-datasheet
1N5553US
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A B SQ-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+25.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
1N5554 LDS_0230-1592115.pdf
1N5554
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 1000 V Std Rectifier
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+20.57 EUR
100+ 19.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
1N5554 11519-lds-0230-datasheet
1N5554
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+20.44 EUR
100+ 18.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
1N5554US 10966-sa7-43-datasheet
1N5554US
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 1000 V Std Rectifier
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+19.81 EUR
100+ 18.41 EUR
500+ 18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
1N5554US/TR lds-0230-1.pdf
1N5554US/TR
Hersteller: Microchip Technology
Surface Mount Standard Recovery Glass Rectifiers
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5555 8920-lds-0094-datasheet
1N5555
Hersteller: Microchip Technology
ESD Suppressors / TVS Diodes 47.5V 32A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+36.82 EUR
100+ 34.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
1N5555 8920-lds-0094-datasheet
1N5555
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+36.56 EUR
100+ 33.95 EUR
1N5556 8920-lds-0094-datasheet
1N5556
Hersteller: Microchip Technology
ESD Suppressors / TVS Diodes 63.5V 24A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+54.6 EUR
100+ 50.7 EUR
1N5556 8920-lds-0094-datasheet
1N5556
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V
Supplier Device Package: DO-13
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 43.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+54.21 EUR
1N5558 8920-lds-0094-datasheet
1N5558
Hersteller: Microchip Technology
ESD Suppressors / TVS Diodes 265V 5.7A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 16 Stücke:
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2N5550 description 2N5550 Rev4.pdf
2N5550
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 5559 Stücke:
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1825+0.039 EUR
2225+ 0.032 EUR
2500+ 0.029 EUR
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Mindestbestellmenge: 1825
2N5550 description 2N5550.pdf
2N5550
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 2865 Stücke:
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1355+0.053 EUR
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2865+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1355
2N5550 description 2N5550 Rev4.pdf
2N5550
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5559 Stücke:
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1825+0.039 EUR
2225+ 0.032 EUR
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Mindestbestellmenge: 1825
2N5550 description 2N5550.pdf
2N5550
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2865 Stücke:
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2780+ 0.026 EUR
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2N5550 description 2N5550 Rev4.pdf
Hersteller: LGE
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 500
2N5550 PBFREE
2N5550 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 10159 Stücke:
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45+1.16 EUR
52+ 1.01 EUR
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1000+ 0.46 EUR
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2N5550/D26Z FAIRS25003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550/D26Z
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:
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11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
2N5550RLRA 2N5550 Rev4.pdf
2N5550RLRA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
2N5550RLRAG 2N5550 Rev4.pdf
2N5550RLRAG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
2N5550RLRP 2N5550 Rev4.pdf
2N5550RLRP
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 164000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
2N5550TA 2N5550_D-2309758.pdf
2N5550TA
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 8162 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
60+0.87 EUR
89+ 0.59 EUR
139+ 0.37 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.14 EUR
10000+ 0.11 EUR
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2N5550TA ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 3482 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
31+0.86 EUR
45+ 0.58 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31
2N5550TA ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
10000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5550TA FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 33620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7755+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7755
2N5550TAR 2N5550_D-2309758.pdf
2N5550TAR
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 7419 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
64+0.82 EUR
89+ 0.58 EUR
220+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.14 EUR
10000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64
2N5550TAR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TAR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 134000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.15 EUR
6000+ 0.14 EUR
10000+ 0.13 EUR
50000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5550TAR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TAR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 105817 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+0.83 EUR
45+ 0.59 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 32
2N5550TF FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TF
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 29681 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11539+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
2N5550TFR 2N5550_D-2309758.pdf
2N5550TFR
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 9396 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
60+0.87 EUR
89+ 0.59 EUR
216+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.13 EUR
10000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 60
2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 121205 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
31+0.86 EUR
45+ 0.58 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31
2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 58874 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7755+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7755
2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
10000+ 0.11 EUR
50000+ 0.097 EUR
100000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N5551 2n5551.pdf 2n5551.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1350+0.054 EUR
1950+ 0.037 EUR
2475+ 0.029 EUR
3275+ 0.022 EUR
3450+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1350
2N5551 2n5551.pdf 2n5551.pdf
Hersteller: SLKOR
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N5551 2n5551.pdf 2n5551.pdf
Hersteller: MIC
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N5551 2n5551.pdf 2n5551.pdf
Hersteller: HOTTECH
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N5551 2n5551.pdf 2n5551.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1350+0.054 EUR
1950+ 0.037 EUR
2475+ 0.029 EUR
3275+ 0.022 EUR
3450+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1350
2N5551 2n5551.pdf 2n5551.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
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2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
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223+ 0.23 EUR
267+ 0.2 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.14 EUR
4000+ 0.1 EUR
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2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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Hersteller: Diotec
Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
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