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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ohne MwSt
IRF7301PBF IRF7301PBF
Produktcode: 22639 		IR IRF7301PBF.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 65 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.4 EUR
IRF7303PBF IRF7303PBF
Produktcode: 113419 		IR irf7303pbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 191 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF7304 IRF7304
Produktcode: 34673 		IR irf7304.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 4.7
Rds(on),Om: 0.09
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 45 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.57 EUR
10+ 0.42 EUR
IRF7306 IRF7306
Produktcode: 3760 		IR irf7306.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar: 12 Stück
1+0.7 EUR
10+ 0.67 EUR
IRF7307TRPBF IRF7307TRPBF
Produktcode: 40384 		IR irf7307pbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
auf Bestellung 70 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.38 EUR
10+ 0.34 EUR
IRF7309PBF IRF7309PBF
Produktcode: 36562 		IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar: 524 Stück
1+0.57 EUR
10+ 0.42 EUR
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal) IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45192 		IR irf7309pbf-1-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 Stück
1+0.35 EUR
IRF730PBF IRF730PBF
Produktcode: 123226 		SILI 91047-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
auf Bestellung 103 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RF7303SR RFMD QFN
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF730 Siliconix HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF730 IRF730 Harris Corporation HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 24825 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
243+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 243
IRF7301PBF IR irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8 description Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.02 EUR
10+ 2.67 EUR
IRF7301PBF International Rectifier/Infineon irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8 description 2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.81 EUR
10+ 1.56 EUR
100+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRF7301TR Infineon 2xN-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.05Ω IRF7301 smd TIRF7301
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF7301TR Infineon 2xN-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.05Ω IRF7301 smd TIRF7301
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF7303TR Infineon Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7303TR UMW Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7303TRPBF IR irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.02 EUR
10+ 2.67 EUR
IRF7303TRPBF International Rectifier/Infineon irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.61 EUR
10+ 1.39 EUR
100+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 10985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.05 EUR
16+ 1.68 EUR
100+ 1.31 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 0.91 EUR
2000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.85 EUR
8000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRF7304 International Rectifier IRF7304.pdf P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7304 International Rectifier IRF7304.pdf P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7304PBF International Rectifier/Infineon irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02 description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.77 EUR
10+ 0.97 EUR
100+ 0.85 EUR
IRF7304TR UMW IRF7304.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7304TRPBF International Rectifier/Infineon irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02 description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.77 EUR
10+ 0.84 EUR
100+ 0.74 EUR
IRF7306PBF International Rectifier/Infineon irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 3,6 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.49 EUR
10+ 1.29 EUR
100+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF7306TR Infineon IRF7306.pdf 2xP-MOSFET -3,6A -30V 2W 0.1Ω IRF7306 TIRF7306
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.44 EUR
84+ 0.85 EUR
95+ 0.76 EUR
109+ 0.66 EUR
116+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
84+ 0.85 EUR
95+ 0.76 EUR
109+ 0.66 EUR
116+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN-3363022.pdf description MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
auf Bestellung 7697 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.18 EUR
30+ 1.77 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.95 EUR
2000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 8789 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
15+ 1.76 EUR
100+ 1.37 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.95 EUR
2000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF7307 IR description Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.76 EUR
10+ 2.45 EUR
IRF7307PBF International Rectifier/Infineon irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+0.92 EUR
10+ 0.79 EUR
100+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRF7307TRPBF International Rectifier/Infineon irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.82 EUR
10+ 4.16 EUR
100+ 3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF7309 Infineon description N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF7309PBF IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.02 EUR
10+ 1.79 EUR
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.36 EUR
100+ 0.72 EUR
123+ 0.58 EUR
145+ 0.49 EUR
154+ 0.47 EUR
500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
100+ 0.72 EUR
123+ 0.58 EUR
145+ 0.49 EUR
154+ 0.47 EUR
500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-3362942.pdf description MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 3450 Stücke:
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26+2.01 EUR
35+ 1.5 EUR
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4000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 26
IRF7309TRPBF International Rectifier/Infineon irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
auf Bestellung 1270 Stücke:
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8+0.93 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 26 Stücke:
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.83 EUR
8000+ 0.79 EUR
12000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 25534 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
16+ 1.64 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.88 EUR
2000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF730A IR 91045.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.7 EUR
10+ 2.39 EUR
IRF730APBF IRF730APBF Vishay Semiconductors 91045.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.21 EUR
15+ 3.48 EUR
100+ 2.94 EUR
500+ 2.51 EUR
1000+ 2.18 EUR
2000+ 2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF730APBF IRF730APBF Vishay Siliconix 91045.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.42 EUR
50+ 3.56 EUR
100+ 2.93 EUR
500+ 2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRF730APBF-BE3 IRF730APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91045.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.45 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.63 EUR
250+ 2.56 EUR
500+ 2.3 EUR
1000+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRF730APBF-BE3 IRF730APBF-BE3 Vishay Siliconix 91045.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.42 EUR
50+ 3.56 EUR
100+ 2.93 EUR
500+ 2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Vishay Semiconductors sihf730a.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.33 EUR
13+ 4.29 EUR
100+ 3.54 EUR
250+ 3.28 EUR
500+ 2.94 EUR
1000+ 2.42 EUR
2000+ 2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Vishay Siliconix sihf730a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.28 EUR
50+ 4.25 EUR
100+ 3.49 EUR
500+ 2.96 EUR
1000+ 2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF730ASTRLPBF IRF730ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf730a.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.33 EUR
12+ 4.42 EUR
100+ 3.54 EUR
250+ 3.28 EUR
500+ 2.68 EUR
800+ 2.4 EUR
4800+ 2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF730ASTRLPBF IRF730ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf730a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.28 EUR
10+ 4.39 EUR
100+ 3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF730B IRF730B Fairchild Semiconductor FAIRS16000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 479902 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
952+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 952
IRF730BPBF IRF730BPBF Vishay Semiconductors irf730b.pdf MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.63 EUR
25+ 2.16 EUR
100+ 1.68 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF730BPBF IRF730BPBF Vishay Siliconix irf730b.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.63 EUR
13+ 2.15 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.24 EUR
78+ 0.92 EUR
97+ 0.74 EUR
103+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 58
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
78+ 0.92 EUR
97+ 0.74 EUR
103+ 0.7 EUR
1000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 58
IRF730PBF IRF730PBF Vishay Semiconductors 91047.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET
auf Bestellung 26424 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.12 EUR
22+ 2.47 EUR
100+ 2.12 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.7 EUR
2000+ 1.64 EUR
5000+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRF7301PBF
Produktcode: 22639		 description IRF7301PBF.pdf
IRF7301PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 65 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.4 EUR
IRF7303PBF
Produktcode: 113419		 description irf7303pbf-datasheet.pdf
IRF7303PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 191 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF7304
Produktcode: 34673		 irf7304.pdf
IRF7304
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 4.7
Rds(on),Om: 0.09
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 45 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.57 EUR
10+ 0.42 EUR
IRF7306
Produktcode: 3760		 description irf7306.pdf
IRF7306
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Gebr.: 2P
/: SMD
verfügbar: 12 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.7 EUR
10+ 0.67 EUR
IRF7307TRPBF
Produktcode: 40384		 description irf7307pbf-datasheet.pdf
IRF7307TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
auf Bestellung 70 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.38 EUR
10+ 0.34 EUR
IRF7309PBF
Produktcode: 36562		 description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar: 524 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.57 EUR
10+ 0.42 EUR
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45192		 irf7309pbf-1-datasheet.pdf
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.35 EUR
IRF730PBF
Produktcode: 123226		 91047-datasheet.pdf
IRF730PBF
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
auf Bestellung 103 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RF7303SR
Hersteller: RFMD
QFN
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF730
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 24825 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
243+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 243
IRF7301PBF description irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.02 EUR
10+ 2.67 EUR
IRF7301PBF description irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+1.81 EUR
10+ 1.56 EUR
100+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRF7301TR
Hersteller: Infineon
2xN-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.05Ω IRF7301 smd TIRF7301
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF7301TR
Hersteller: Infineon
2xN-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.05Ω IRF7301 smd TIRF7301
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF7303TR
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7303TR
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.02 EUR
10+ 2.67 EUR
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+1.61 EUR
10+ 1.39 EUR
100+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 10985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+2.05 EUR
16+ 1.68 EUR
100+ 1.31 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 0.91 EUR
2000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4000+0.85 EUR
8000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRF7304 IRF7304.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7304 IRF7304.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7304PBF description irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.77 EUR
10+ 0.97 EUR
100+ 0.85 EUR
IRF7304TR IRF7304.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7304TRPBF description irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.77 EUR
10+ 0.84 EUR
100+ 0.74 EUR
IRF7306PBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 3,6 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+1.49 EUR
10+ 1.29 EUR
100+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF7306TR IRF7306.pdf
Hersteller: Infineon
2xP-MOSFET -3,6A -30V 2W 0.1Ω IRF7306 TIRF7306
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.44 EUR
84+ 0.85 EUR
95+ 0.76 EUR
109+ 0.66 EUR
116+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.44 EUR
84+ 0.85 EUR
95+ 0.76 EUR
109+ 0.66 EUR
116+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF7306TRPBF description Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN-3363022.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
auf Bestellung 7697 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+2.18 EUR
30+ 1.77 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.95 EUR
2000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 8789 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+2.16 EUR
15+ 1.76 EUR
100+ 1.37 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.95 EUR
2000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF7307 description
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.76 EUR
10+ 2.45 EUR
IRF7307PBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+0.92 EUR
10+ 0.79 EUR
100+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRF7307TRPBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+4.82 EUR
10+ 4.16 EUR
100+ 3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF7309 description
Hersteller: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.02 EUR
10+ 1.79 EUR
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+1.36 EUR
100+ 0.72 EUR
123+ 0.58 EUR
145+ 0.49 EUR
154+ 0.47 EUR
500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+1.36 EUR
100+ 0.72 EUR
123+ 0.58 EUR
145+ 0.49 EUR
154+ 0.47 EUR
500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF7309TRPBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-3362942.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+2.01 EUR
35+ 1.5 EUR
100+ 1.21 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 0.89 EUR
2000+ 0.83 EUR
4000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 26
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+0.93 EUR
10+ 0.8 EUR
100+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4000+0.83 EUR
8000+ 0.79 EUR
12000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 25534 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+2.03 EUR
16+ 1.64 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.88 EUR
2000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF730A 91045.pdf
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.7 EUR
10+ 2.39 EUR
IRF730APBF 91045.pdf
IRF730APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+4.21 EUR
15+ 3.48 EUR
100+ 2.94 EUR
500+ 2.51 EUR
1000+ 2.18 EUR
2000+ 2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF730APBF 91045.pdf
IRF730APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 608 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
6+4.42 EUR
50+ 3.56 EUR
100+ 2.93 EUR
500+ 2.48 EUR
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IRF730APBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH HEXFET
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17+ 3.07 EUR
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500+ 2.3 EUR
1000+ 1.98 EUR
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IRF730APBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 999 Stücke:
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6+4.42 EUR
50+ 3.56 EUR
100+ 2.93 EUR
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IRF730ASPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
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IRF730ASPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
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IRF730ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
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800+ 2.4 EUR
4800+ 2.32 EUR
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IRF730ASTRLPBF sihf730a.pdf
IRF730ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 296 Stücke:
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IRF730B
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 479902 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
952+0.77 EUR
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IRF730BPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch
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20+2.63 EUR
25+ 2.16 EUR
100+ 1.68 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF730BPBF irf730b.pdf
IRF730BPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.63 EUR
13+ 2.15 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF730PBF IRF730PBF.pdf
IRF730PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
58+1.24 EUR
78+ 0.92 EUR
97+ 0.74 EUR
103+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 58
IRF730PBF IRF730PBF.pdf
IRF730PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
58+1.24 EUR
78+ 0.92 EUR
97+ 0.74 EUR
103+ 0.7 EUR
1000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 58
IRF730PBF 91047.pdf
IRF730PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
auf Bestellung 26424 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+3.12 EUR
22+ 2.47 EUR
100+ 2.12 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.7 EUR
2000+ 1.64 EUR
5000+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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