Produkte > B1M
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A Power dissipation: 241W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A Kind of package: tube | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| B1M080120HK | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A Power dissipation: 241W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of package: tube | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| B1M1774404EB4230FP | Corning | Corning 4 PORT 4 SCAPC 230FT SST FLAT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |