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B1M080120HCBASiC SEMICONDUCTORB1M080120HC THT N channel transistors
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B1M080120HKBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 149nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Drain-source voltage: 1.2kV
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B1M080120HKBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 149nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
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B1M1774404EB4230FPCorningCorning 4 PORT 4 SCAPC 230FT SST FLAT
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B1MFDC COMPONENTSB1MF-DC SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
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