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Мікросхема A2I08H040NR1 NXP

Hersteller: NXP
RF Power LDMOS Transistor 728-960 MHz 9 W, Vs=28 V
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Technische Details Мікросхема A2I08H040NR1 NXP

RF Power LDMOS Transistor 728-960 MHz 9 W, Vs=28 V.