Транзистор FLK027WG Fujitsu
Hersteller: Fujitsu
Транз. Пол. СВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34%
Транз. Пол. СВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34%
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 252.01 EUR |
| 10+ | 229.1 EUR |
| 100+ | 218.2 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details Транзистор FLK027WG Fujitsu
Транз. Пол. СВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34%.